基本信息:
- 专利标题： 一种用于AlN晶体生长的籽晶
- 专利标题（英）：Seed crystal for aluminum nitride (ALN) crystal growth
- 申请号：CN201310006222.X 申请日：2013-01-08
- 公开(公告)号：CN102995124B 公开(公告)日：2015-07-22
- 发明人： 韩杰才 , 宋波 , 金雷 , 张化宇
- 申请人： 哈尔滨工业大学
- 申请人地址： 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 专利权人： 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人： 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人地址： 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 代理机构： 哈尔滨市松花江专利商标事务所
- 代理人： 韩末洙
- 主分类号： C30B29/38
- IPC分类号： C30B29/38 ; C30B23/00
摘要：
一种用于AlN晶体生长的籽晶，它涉及一种用于AlN晶体生长的材料。它要解决现有采用自发成核难以获得大尺寸AlN晶体，采用异质籽晶方法生长出的AlN晶体杂质含量高的问题。用于AlN晶体生长的籽晶为经过退火工艺处理后的AlN陶瓷片。用于AlN晶体生长的籽晶还可以为经过退火工艺处理后再进行抛光处理的AlN陶瓷片，或者在抛光后的陶瓷片表面镀上AlN薄膜，以得到用于AlN晶体生长的籽晶。采用本发明用于AlN晶体生长的籽晶生长出的AlN晶体尺寸较大，杂质含量少。本发明主要应用于半导体器件中AlN晶体的生长。
公开/授权文献:
- CN102995124A 一种用于AlN晶体生长的籽晶 公开/授权日：2013-03-27