基本信息:
- 专利标题： 横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法
- 申请号：CN201310186628.0 申请日：2013-05-16
- 公开(公告)号：CN104167360B 公开(公告)日：2017-05-31
- 发明人： 章舒 , 韩广涛 , 孙贵鹏
- 申请人： 无锡华润上华半导体有限公司
- 申请人地址： 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号
- 专利权人： 无锡华润上华半导体有限公司
- 当前专利权人： 无锡华润上华科技有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号
- 代理机构： 广州华进联合专利商标代理有限公司
- 代理人： 邓云鹏
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336 ; H01L29/78
摘要：
本发明公开了一种横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法，包括下列步骤：在晶圆的衬底上生长氧化层；在晶圆表面涂覆光刻胶；使用第一光刻掩模版进行光刻，显影后露出第一注入窗口；通过第一注入窗口进行离子注入，在衬底内形成漂移区；去胶后再次于晶圆表面涂覆一层光刻胶；使用漂移区氧化层光刻掩模版进行光刻；对氧化层进行刻蚀，形成漂移区氧化层。本发明还涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件。本发明先生长漂移区氧化层，再进行漂移区注入。避免了热生长漂移区氧化层引起的漂移区注入离子的横扩区域浓度淡、导通电阻较高的问题，直接将较高浓度的离子注入到该区域，有效地降低了导通电阻。
公开/授权文献:
- CN104167360A 横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法 公开/授权日：2014-11-26
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/335 | .....场效应晶体管 |
| ------------------H01L21/336 | ......带有绝缘栅的 |