基本信息:
- 专利标题： 中频感应加热方式制备高纯氧化亚硅的方法及设备
- 申请号：CN201611195184.7 申请日：2016-12-21
- 公开(公告)号：CN106608629B 公开(公告)日：2024-07-30
- 发明人： 马飞 , 沈龙 , 丁晓阳 , 葛传长
- 申请人： 上海杉杉科技有限公司
- 申请人地址： 上海市徐汇区浦东新区曹路镇金海路3158号2幢
- 专利权人： 上海杉杉科技有限公司
- 当前专利权人： 上海杉杉科技有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市徐汇区浦东新区曹路镇金海路3158号2幢
- 代理机构： 上海宣宜专利代理事务所(普通合伙)
- 代理人： 刘君
- 主分类号： C01B33/113
- IPC分类号： C01B33/113 ; B01J19/24 ; B01J19/00 ; B01J3/03
摘要：
本发明涉及高纯氧化亚硅的制备技术领域，具体地说是中频感应加热方式制备高纯氧化亚硅的方法及设备，其特征在于，包括真空炉壳体、感应线圈、保温隔热层、石墨坩埚、收集器、炉盖、水冷系统、中频电源、中频馈电装置、抽真空系统、测温系统，其特征在于，所述的真空炉壳体的中心轴线与真空炉壳体的安装地面的夹角为～°；位于石墨坩埚的中心轴线下部的石墨坩埚的至少开口端侧设有石墨挡板；在石墨坩埚的开口端的端面上罩设有收集器，所述的收集器呈圆台筒形，且与石墨坩埚连接处的收集器的开口端的直径大于收集器的尾端的直径；可以通过加热温度和原料配比的调整获得不同硅氧比产品。
公开/授权文献:
- CN106608629A 中频感应加热方式制备高纯氧化亚硅的方法及设备 公开/授权日：2017-05-03
IPC结构图谱:
| C | 化学；冶金 |
| --C01 | 无机化学 |
| ----C01B | 非金属元素；其化合物 |
| ------C01B33/00 | 硅；其化合物 |
| --------C01B33/113 | .氧化硅；其水合物 |