基本信息:
- 专利标题： 磷掺杂的氧化镓介电层、薄膜晶体管及其制备方法
- 申请号：CN202211138015.5 申请日：2022-09-19
- 公开(公告)号：CN115483280A 公开(公告)日：2022-12-16
- 发明人： 许望颖 , 彭涛 , 卓双木 , 林秋宝 , 黄伟城
- 申请人： 集美大学
- 申请人地址： 福建省厦门市集美银江路185号
- 专利权人： 集美大学
- 当前专利权人： 集美大学
- 当前专利权人地址： 福建省厦门市集美银江路185号
- 代理机构： 深圳市君胜知识产权代理事务所
- 代理人： 刘芙蓉
- 主分类号： H01L29/51
- IPC分类号： H01L29/51 ; H01L21/34 ; H01L29/786
摘要：
本发明提供了一种磷掺杂的氧化镓介电层、薄膜晶体管及其制备方法，通过磷(P)掺杂利用水溶液法合成了具有优异介电性能的Ga2O3介电层。适当的P掺入可充当网络连接并减少Ga2O3中的氧相关缺陷(氧空位和羟基)，从而改善Ga2O3介电层的介电特性。使用具有最佳掺杂浓度的Ga‑P‑O电介质，使得氧化物薄膜晶体管表现出更高的性能，包括高的迁移率，高的电流开/关比，低工作电压和可忽略不计的滞后性，并且具有出色的偏置应力稳定性。不仅如此，Ga2O3介电层利用水溶液法合成，简单快速，十分方便，适合大规模生产，并为下一代低成本先进Ga2O3器件提供了一条新途径。
公开/授权文献:
- CN115483280B 磷掺杂的氧化镓介电层、薄膜晶体管及其制备方法 公开/授权日：2025-04-22
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/41 | ..以其形状、相对尺寸或位置为特征的 |
| ------------H01L29/49 | ...金属绝缘体半导体电极 |
| --------------H01L29/51 | ....与其相关的绝缘材料 |