基本信息:
- 专利标题： 磷掺杂的氧化镓介电层、薄膜晶体管及其制备方法
- 申请号：CN202211138015.5 申请日：2022-09-19
- 公开(公告)号：CN115483280B 公开(公告)日：2025-04-22
- 发明人： 许望颖 , 彭涛 , 卓双木 , 林秋宝 , 黄伟城
- 申请人： 集美大学
- 申请人地址： 福建省厦门市集美银江路185号
- 专利权人： 集美大学
- 当前专利权人： 集美大学
- 当前专利权人地址： 福建省厦门市集美银江路185号
- 代理机构： 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)
- 代理人： 刘芙蓉
- 主分类号： H10D64/68
- IPC分类号： H10D64/68 ; H10D30/67 ; H10D30/01
摘要：
本发明提供了一种磷掺杂的氧化镓介电层、薄膜晶体管及其制备方法，通过磷(P)掺杂利用水溶液法合成了具有优异介电性能的Ga
公开/授权文献:
- CN115483280A 磷掺杂的氧化镓介电层、薄膜晶体管及其制备方法 公开/授权日：2022-12-16