基本信息:
- 专利标题： 一种监控SiO2湿法刻蚀终点的方法
- 申请号：CN202411615521.8 申请日：2024-11-13
- 公开(公告)号：CN119517772A 公开(公告)日：2025-02-25
- 发明人： 吴金臻 , 冉鹏
- 申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
- 申请人地址： 重庆市南岸区南坪花园路14号
- 专利权人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
- 当前专利权人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
- 当前专利权人地址： 重庆市南岸区南坪花园路14号
- 代理机构： 重庆辉腾律师事务所
- 代理人： 李玮
- 主分类号： H01L21/66
- IPC分类号： H01L21/66
摘要：
本发明属于半导体制造领域，涉及一种监控SiO2湿法刻蚀终点的方法，包括：生产硅氧比为X、具有明显颜色的SiO2膜片，即陪片1；获取正式产品的SiO2膜片，将其与陪片1同时参与刻蚀，得到刻蚀速率比A；获取正式产品及其SiO2膜厚d，在正式产品上镀硅氧比为X、膜厚为d×A的SiO2膜片，即陪片2；将正式产品和陪片2同时参与刻蚀，当陪片2明显的颜色掉落完时，将当前时间记作刻蚀终点时间T
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/66 | .在制造或处理过程中的测试或测量 |