基本信息:
- 专利标题： 基板翘曲测量的温度漂移校正方法、装置、设备及介质
- 申请号：CN202411883054.7 申请日：2024-12-19
- 公开(公告)号：CN119812028A 公开(公告)日：2025-04-11
- 发明人： 苏佳妮 , 齐月静 , 武志鹏 , 齐威
- 申请人： 中国科学院微电子研究所
- 申请人地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
- 专利权人： 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人： 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
- 代理机构： 北京八月瓜知识产权代理有限公司
- 代理人： 陈赢
- 主分类号： H01L21/66
- IPC分类号： H01L21/66
摘要：
本申请提供了一种基板翘曲测量的温度漂移校正方法、装置、设备及介质，其中，方法包括根据基板高度测量的校准系数模型，确定多项待校准系数；基于设定的温度标定点和各温度标定点下的校准次数，基于基板翘曲测量系统对基板进行各温度标定点下进行对应校准次数的校准操作的结果，获得多个各校准系数，并求取平均值，获得校准系数修正表；基于校准系数修正表，通过多项式差值法或机器学习方法确定待检测温度下修正的各校准系数，并根据校准系数模型确定修正后的基板高度，从而实现检测温度下基板高度的温度漂移校正。本申请对基板翘曲测量系统的校准系数进行在线修正，补偿校准系数随温度变化引起的误差，从而提高基板翘曲测量系统的测量精度。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/66 | .在制造或处理过程中的测试或测量 |