基本信息:
- 专利标题： 等离子处理装置以及等离子处理方法
- 申请号：CN202380015772.X 申请日：2023-08-23
- 公开(公告)号：CN119895545A 公开(公告)日：2025-04-25
- 发明人： 江崎隆 , 广田侯然 , 池永和幸 , 角屋诚浩
- 申请人： 株式会社日立高新技术
- 申请人地址： 日本
- 专利权人： 株式会社日立高新技术
- 当前专利权人： 株式会社日立高新技术
- 当前专利权人地址： 日本
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理人： 吴秋明
- 国际申请： PCT/JP2023/030363 2023.08.23
- 国际公布： WO2025/041312 JP 2025.02.27
- 进入国家日期： 2024-06-27
- 主分类号： H01L21/3065
- IPC分类号： H01L21/3065
摘要：
本发明为了提供通过抑制等离子蚀刻处理中的带电异物对样品的附着从而能够实现异物减少的等离子处理方法，提供如下等离子处理方法，具有：等离子处理室，使用等离子对样品进行处理；高频电源，供给用于生成所述等离子的高频电力；静电吸附电极，对所述样品施加电压而将所述样品电吸附固定；以及直流电源，用于对所述静电吸附电极施加电压，等离子处理方法由以下步骤构成：点火步骤，利用所述高频电源对载置于所述静电吸附电极的所述样品进行等离子生成；等离子放电步骤，用于在所述点火步骤后进行所述样品的蚀刻；以及除电步骤，用于在所述等离子放电步骤后通过除电解除所述吸附固定，所述样品在从所述点火步骤到所述除电步骤为止的期间，施加于所述静电吸附电极的电压大于0V。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/306 | ......化学或电处理，例如电解腐蚀 |
| --------------------H01L21/3065 | .......等离子腐蚀；活性离子腐蚀 |