基本信息:
- 专利标题： 一种Cascode级联型GaN HEMT器件老化测试方法及系统
- 申请号：CN202510776142.5 申请日：2025-06-11
- 公开(公告)号：CN120352750A 公开(公告)日：2025-07-22
- 发明人： 王祥 , 章国豪
- 申请人： 广东工业大学
- 申请人地址： 广东省广州市越秀区东风东路729号
- 专利权人： 广东工业大学
- 当前专利权人： 广东工业大学
- 当前专利权人地址： 广东省广州市越秀区东风东路729号
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理人： 黎锦亮
- 主分类号： G01R31/26
- IPC分类号： G01R31/26 ; H01L21/66 ; H01L21/67
摘要：
本申请公开了一种Cascode级联型GaN HEMT器件老化测试方法及系统，本申请提供的方案通过在FT电性测试与反偏老化流程之前，加入高温老化处理，通过该处理过程模拟了器件在高温条件下器件的高速带载开关过程，通过短时间施加略超过器件额定值的瞬态电压，将器件内部的缺陷完全激活，从而能更好的挑选出早期失效的产品。
IPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G01 | 测量；测试 |
| ----G01R | 测量电变量；测量磁变量（通过转换成电变量对任何种类的物理变量进行测量参见G01类名下的 |
| ------G01R31/00 | 电性能的测试装置；电故障的探测装置；以所进行的测试在其他位置未提供为特征的电测试装置 |
| --------G01R31/26 | .单个半导体器件的测试 |