基本信息:
- 专利标题： 高频开关晶体管和高频电路
- 专利标题（英）：High frequency switching transistor and high frequency circuit
- 申请号：CN200510120141.8 申请日：2005-11-07
- 公开(公告)号：CN1801620A 公开(公告)日：2006-07-12
- 发明人： R·罗斯兰德 , H·塔迪肯 , U·格尔拉赫
- 申请人： 因芬尼昂技术股份公司
- 申请人地址： 德国慕尼黑
- 专利权人： 因芬尼昂技术股份公司
- 当前专利权人： 因芬尼昂技术股份公司
- 当前专利权人地址： 德国慕尼黑
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理人： 吴立明; 张志醒
- 优先权： 102004053558.2 2004.11.05 DE; 102004061561.6 2004.12.21 DE; 102005049247.9 2005.10.14 DE
- 主分类号： H03K17/693
- IPC分类号： H03K17/693 ; H01P1/15
摘要：
一种高频开关晶体管(100；200)包括具有衬底掺杂剂浓度的衬底(102)和与该衬底相邻的阻挡区(104)，该阻挡区(104)具有第一导电类型，其中阻挡区掺杂剂浓度比该衬底掺杂剂浓度高。而且，该高频开关晶体管(100；200)包括嵌入在阻挡区中的源区(108)，其包括不同于第一导电类型的第二导电类型，且具有比阻挡区掺杂剂浓度高的源区掺杂剂浓度。另外，该高频开关晶体管(100；200)包括嵌入在阻挡区中的漏区(110)，且设置得偏离源区(108)，其包括第二导电类型且具有比阻挡区掺杂剂浓度高的掺杂剂浓度。而且，该高频开关晶体管(100；200)具有在源区(108)和漏区(110)之间延伸的沟道区(112)，其中沟道区(112)包括阻挡区(104)的子区域。而且，该高频开关晶体管(100；200)具有绝缘区(114)，其覆盖沟道区(112)且其设置在沟道区(112)和栅电极(114)之间。这种高频开关晶体管(100；200)允许开关具有较高高频信号幅度的高频信号，如可由常规的高频开关晶体管开关的。
公开/授权文献:
- CN1801620B 高频开关晶体管和高频电路 公开/授权日：2011-11-16
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H03 | 基本电子电路 |
| ----H03K | 脉冲技术 |
| ------H03K17/00 | 电子开关或选通，即不通过通断接触的 |
| --------H03K17/51 | .按使用特殊元件区分的 |
| ----------H03K17/56 | ..应用半导体器件作为有源元件的 |
| ------------H03K17/60 | ...应用双极晶体管的 |
| --------------H03K17/693 | ....有若干输入端或输出端的开关装置，例如多路复用器、分配器 |