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41. 发明公开

CN116003109A 一种高性能氧化铝陶瓷劈刀及其制备方法有权
公开(公告)号：CN116003109A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211550288.0
申请日：2022-12-05
申请人：广东工业大学
发明人：伍尚华 , 林坤吉
IPC分类号： C04B35/10 , C04B35/622 , C04B35/638 , H01L21/603
摘要：本发明公开了一种高性能氧化铝陶瓷劈刀及其制备方法，涉及IC封装零件陶瓷劈刀技术领域。本发明提供的高性能氧化铝陶瓷劈刀的制备方法，由陶瓷粉料经改性、造粒、注射成型、排胶、烧结以及热等静压处理制得，陶瓷粉料中加入了碳氮化钛(TiCN)、碳化钛(TiC)、氮化钛(TiN)、氧化锆(ZrO2)或氧化铬(Cr2O3)作为增强相，可以有效提高氧化铝陶瓷劈刀的强度和硬度，增加耐磨性和使用寿命；加入烧结助剂有助于提高烧结体的致密度，保证其力学性能。本发明的制备方法中，陶瓷粉料经过表面改性后可提高陶瓷粉料在成型中的润湿性，降低剪切粘度，有利于注射成型，同时得到的生坯强度更高；经过排胶、烧结以及热等静压处理之后最终得到高性能的氧化铝陶瓷劈刀。

42. 发明公开

CN115917716A 在有机和/或陶瓷衬底上对功率电子半导体构件同时进行接合和绝缘的方法以及相应的复合结构体审中-实审
公开(公告)号：CN115917716A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202180040352.8
申请日：2021-05-19
申请人：西门子股份公司
发明人： B.穆勒 , C.纳希蒂加尔-谢伦伯格 , J.斯特朗斯 , K.威尔克
IPC分类号： H01L21/56 , H01L21/603 , H01L23/58 , H01L23/29
摘要：为了将功率电子半导体构件的接合和绝缘设计得更容易且更高效，提出了一种用于在作为有机和/或陶瓷布线载体的衬底(10)上对功率电子半导体构件(30)进行接合和绝缘的方法，以及一种由功率电子半导体构件(30)和作为有机和/或陶瓷布线载体的衬底(10)组成的经接合的复合结构体，其中，该方法包括以下步骤：为衬底(10)提供金属化层(12)，该衬底具有带有接合材料(14，15)的安装空间，将电绝缘的箔(20)和半导体构件(30)布置在衬底(10)上，使得半导体构件(30)的面向衬底(10)的接触面(34，35)被箔(20)留空，并且半导体构件(30)的由接触面(34，35)暴露的区域(35)至少部分地通过箔(20)来与衬底(10)和接触面(34，35)绝缘，并且在一个工作步骤中，将半导体构件(30)接合到衬底(10)并且通过箔(20)至少部分地将半导体构件(30)电绝缘。本发明还涉及一种功率电子半导体构件(30)与衬底(10)的经接合的复合结构体。该方法还可以包括通过底部填充材料(25)对金属化层(12)、箔(20)和半导体构件(30)之间的剩余的间隙(40)进行封闭的步骤。可以将压力施加到半导体构件(30)上，以便接合半导体构件(30)，使得箔(20)在接合期间至少部分地置于压力中。箔(20)可以将半导体构件(30)的保护环区域(36)绝缘。箔(20)的尺寸可以被设计为，使得在接合之后箔从衬底(10)的金属化层(12)与半导体构件(30)之间的间隙中突出。备选地，箔(20)可以完全被半导体构件(30)覆盖，其中，保护环区域(36)通过箔(20)或通过底部填充(25)绝缘。箔(20)可以具有弹性体、尤其硅酮弹性体或由弹性体、尤其硅酮弹性体组成。箔(20)可以具有填料、尤其陶瓷填料，因此，除了箔(20)的绝缘特性外，还可以适配其他特性、例如热传导和膨胀系数。箔(20)可以具有纤维填充、尤其玻璃纤维填充。箔(20)可以具有粘合层。

43. 发明公开

CN115831783A 一种封装结构的控制方法及应用其的电子设备封装结构审中-实审
公开(公告)号：CN115831783A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211708388.1
申请日：2022-12-29
申请人：篆芯半导体(南京)有限公司
发明人：王星 , 柳雷
IPC分类号： H01L21/603 , H01L23/488
摘要：本申请涉及半导体封装及其控制技术领域，更为具体来说，本申请涉及一种封装结构的控制方法及应用其的电子设备封装结构。所述封装结构包括从下至上依次设置的PCB电路板、LGA插座、芯片封装基板、芯片封装盖板、压力支架，在所述芯片封装基板上封装有芯片裸片；所述方法包括：在所述压力支架的角部安装步进电机；在所述芯片裸片的角部安装温度感知器；通过所述步进电机实时读取所述温度感知器的数据；基于读取的所述温度感知器中的数据控制压力支架的压力，以使所述芯片封装基板贴合所述LGA插座。本申请能实现封装信号贴片与插座良好接触，大幅改善由于封装基板受热而产生的形变，进而提升了封装质量。

44. 发明公开

CN115763330A 装载机构及晶圆键合设备审中-实审
公开(公告)号：CN115763330A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211485566.9
申请日：2022-11-24
申请人：北京华卓精科科技股份有限公司
发明人：徐贺 , 邢浩 , 张豹
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/603
摘要：本发明提供了一种装载机构及晶圆键合设备，该装载机构包括：第一装载单元，其包括多个第一顶针，多个第一顶针的端部共同确定一个装载平面以及装载区；第二装载单元，其包括多个第二顶针，多个第二顶针的端部共同确定一个装载平面以及装载区，两个装载平面相互平行，两个装载区彼此正对；以及升降单元，其能够驱动第一装载单元与第二装载单元沿目标方向共同运动，升降单元还能够驱动第二装载单元沿目标方向单独运动，目标方向垂直于装载平面。基于本发明的技术方案，在同一区域内构造出两个互不干涉的装载平面，大大加强了结构的紧凑性，提高了空间的利用率。多个顶针之间具有大范围的开放空间，可以为外部的装卸设备提供足够大的操作空间。

45. 发明公开

CN115692261A 一种用于静电键合的自适应调平压力施加装置及方法审中-实审
公开(公告)号：CN115692261A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211284304.6
申请日：2022-10-20
申请人：中国航天三江集团有限公司
发明人：王晓飞 , 赵坤 , 张璐 , 胡金萌 , 吕亮 , 成红 , 谢礼杨 , 姬清晨 , 蓝学楷 , 李强 , 武春风
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/68 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/603
摘要：本发明属于静电键合技术领域，并具体公开了一种用于静电键合的自适应调平压力施加装置及方法。包括液压驱动机构、自适应调整机构、加压键合工艺机构、控制机构，液压驱动机构包括液压活塞杆；自适应调整机构包括径向约束模块和轴向约束模块，径向约束模块饶液压活塞杆轴向外周设置，轴向约束模块设于液压活塞杆末端；加压键合工艺机构包括工艺腔体以及上压板和下载物台，上压板与轴向约束模块活动连接，下载物台与上压板对应设置；控制机构根据键合压力控制所述液压活塞杆的进程，以使得上压板在自适应对准调平并压紧放置于下载物台上的试件。本发明可实现微米级的自适应对准调平，在静电键合过程中可以应用于硅片和玻璃的自适应对准调平压紧。

46. 发明公开

CN115547860A 一种半导体封装的热压键合设备审中-实审
公开(公告)号：CN115547860A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211076324.4
申请日：2022-09-05
申请人：苏州芯睿科技有限公司
发明人：邱新智
IPC分类号： H01L21/603 , H01L21/67
摘要：本发明属于热压键合领域，尤其是一种半导体封装的热压键合设备，针对了目前市场上的键合热压设备出现对位不准确以及温度无法控制，和热量流失较快的情况，现提出如下方案：一种半导体封装的热压键合设备，包括底座1，底座1的上端固定设置有箱体2，箱体2的内壁固定设置有支撑板3，支撑板3用来设置工作台22，箱体2的上端固定设置有油缸4，箱体2的内部设置有U形罩6。本发明中，通过设置有对移动上压板进行限位的结构以及保证上压板和工作台可以均匀加热的结构，实用更加方便，而且设置有两个防止热量流失的结构，相对节能。

47. 发明公开

CN115425014A 一种多芯片集成电路封装方法审中-实审
公开(公告)号：CN115425014A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211035534.9
申请日：2022-08-26
申请人：江西龙芯微科技有限公司
发明人：黄晓波 , 宋向东 , 刘春燕
IPC分类号： H01L25/065 , H01L21/603
摘要：本发明提供一种多芯片集成电路封装方法，涉及集成电路封装技术领域。一种多芯片集成电路封装方法，包括以下步骤：硅片回流、贴膜、硅片进行切割处理，然后在对硅片的载体进行转换，在进行焊剂铺垫，通过可控塌陷芯片焊接，去除芯片连接后残留在芯片和基片间的助焊剂，注塑前，去除芯片和基片上残余湿气，在芯片和基片间以及沿着芯片的周围，浇注液体环氧剂密封，最后将FCBGA1元件装入老化板进行老化检测剔除残次品。通过可控塌陷芯片焊接，使得球形凸点不变形，从而保证了芯片的完整性和性能，虽然BGA的功耗增加，但由于采用的是可控塌陷芯片法焊接，从而可以改善电热性能，并且信号传输延迟小，适应频率和可靠性大大提高。

48. 发明授权

CN115132642B 一种芯片封装装置、方法及封装芯片有权
公开(公告)号：CN115132642B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202211065246.8
申请日：2022-09-01
申请人：深圳宏芯宇电子股份有限公司
发明人：赖振楠 , 吴奕盛
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/603 , H01L21/67 , H01L23/488
摘要：本申请公开一种芯片封装装置、方法及封装芯片，属于芯片封装技术领域，其芯片封装装置包括多个导电片、真空吸附转移组件以及加热组件，其中，真空吸附转移组件，设置有可变吸附平面，可变吸附平面吸附起多个导电片，且每一导电片的一端对应位于一焊盘的上方，另一端对应位于与焊盘对应的焊脚的上方，以在可变吸附平面下压时，将导电片的一端压紧到一所述焊盘上，另一端压紧到与焊盘对应的焊脚上；加热组件，用于加热每一焊盘上的焊接材料和每一焊脚上的焊接材料，以将导电片的一端焊接固定在相应的焊盘上，另一端焊接固定在相应的焊脚上。本申请的技术方案，其可通过多个导电片快速实现芯片与基板间的电气互连。

49. 发明公开

CN115020259A 一种半导体结构及其封装方法有权
公开(公告)号：CN115020259A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210739444.1
申请日：2022-06-28
申请人：今上半导体(信阳)有限公司
发明人：张胜利 , 丁贺 , 高健 , 肖美健 , 罗志勇
IPC分类号： H01L21/603 , H01L23/488
摘要：本发明公开了一种半导体结构及其封装方法，包括提供具有相对设置的第一表面和第二表面的基板，第一表面上设有焊料凸块，第二表面上设有金属凸层；在第二表面上形成光刻胶层I，光刻胶层I具有裸露出金属凸层顶部的第一凹槽；提供具有相背的第一上表面和第二下表面的芯片，第一上表面上设有焊盘，在每个焊盘的上表面上对应地设有导电连接层；在第一上表面和导电连接层上形成光刻胶层II，光刻胶层II具有裸露出导电连接层顶部的第二凹槽；在第二凹槽内设置导电片，导电片的与导电连接层相背的一侧具有容纳焊料凸点的凹口；将芯片的导电片和基板的金属凸层进行键合连接。本发明利用导电片的形状对芯片倒装焊接时进行钳制和定位，提高了生产良率。

50. 发明公开

CN115020257A 芯片堆叠的互连方法审中-实审
公开(公告)号：CN115020257A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210712839.2
申请日：2022-06-22
申请人：中国电子科技集团公司第十三研究所
发明人：厉志强 , 张理想 , 朴贞真
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/603
摘要：本发明提供一种芯片堆叠的互连方法，至少包括第一晶圆和第二晶圆，且第一晶圆和第二晶圆上均设有多个需对应互连的芯片，互连方法包括：在第一晶圆上的所有焊盘上均制备至少一个金属凸点；在第二晶圆的多个预设位置制备焊料层，其中，预设位置为第一晶圆上的芯片与第二晶圆上的芯片进行信号连接的位置；将第一晶圆和第二晶圆进行切割，得到多个第一芯片和第二芯片；将第一芯片上的金属凸点与第二芯片上的焊料层进行键合，实现第一芯片和第二芯片的三维堆叠互连。本发明提供的互连不会对芯片及芯片上的图形造成损伤。

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