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1. 发明公开

CN117954337A 调平组件、芯片键合设备及键合调平方法审中-实审
公开(公告)号：CN117954337A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410096372.2
申请日：2024-01-23
申请人：北京华卓精科科技股份有限公司
发明人：高长刚 , 朱翼先 , 华国杰
IPC分类号： H01L21/603
摘要：本发明提供一种调平组件、芯片键合设备及键合调平方法，涉及半导体技术领域。该调平组件包括连接座和调平球头，连接座的底部设有球面槽、相对的两侧均设有连接耳，连接座内设有压缩气体通道和真空通道，压缩气体通道和真空通道两者的通道入口均位于连接座的侧壁面、通道出口位于球面槽的球形槽面；调平球头具有凸球面，调平球头相对的两侧均通过连接结构一一对应连接于两个连接耳，凸球面配合插接于球面槽，且连接结构具有供凸球面相对球形槽面滑移以及相向或背离球面槽面移动的调节间隙。该调平组件应用于芯片键合设备中时，能够对键合头及芯片和晶圆进行调平，操作便捷、调平效果佳。

2. 发明公开

CN117855126A 一种芯片拾取装置及半导体制造设备审中-实审
公开(公告)号：CN117855126A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311723155.3
申请日：2023-12-14
申请人：北京华卓精科科技股份有限公司
发明人：刘俊丰 , 华国杰 , 朱翼先
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/687
摘要：本发明提供了一种芯片拾取装置及半导体制造设备，涉及半导体封装技术领域，为解决现有芯片拾取装置无法准确、高效地拾取到芯片的问题而设计。该芯片拾取装置包括固定架、直线驱动件、真空吸附件和力传感器，直线驱动件安装于固定架，力传感器安装于直线驱动件的动力输出端，真空吸附件安装于力传感器的感应输入端，其中，真空吸附件由真空源提供真空吸附力，用于吸取芯片。本发明能够准确、高效地拾取到芯片。

3. 发明公开

CN117855118A 芯片转移交接设备审中-实审
公开(公告)号：CN117855118A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311716816.X
申请日：2023-12-14
申请人：北京华卓精科科技股份有限公司
发明人：盛越 , 张豹 , 刘俊丰 , 华国杰 , 朱翼先
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/687
摘要：本发明提供了一种芯片转移交接设备，涉及半导体封装技术领域，为解决现有的倒装芯片键合工艺中芯片的接收与键合是先后串行完成的，导致产率较低的问题而设计。该芯片转移交接设备包括拾取翻转装置、缓冲台以及拾取交接装置，拾取翻转装置用于拾取载台的芯片，并翻转拾取到的芯片；缓冲台与载台间隔设置；拾取交接装置用于拾取经拾取翻转装置翻转后的芯片，并将拾取到的芯片放置于缓冲台；缓冲台用于将接收到的芯片提供至键合装置。本发明使得芯片的交接与键合可以同时进行，在上一芯片进行键合工艺时，便可进行下一芯片的拾取交接，提高了芯片的键合效率，从而解决了上述问题。

4. 发明公开

CN117855090A 一种扩膜装置及扩膜方法审中-实审
公开(公告)号：CN117855090A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311723104.0
申请日：2023-12-14
申请人：北京华卓精科科技股份有限公司
发明人：刘俊丰 , 朱翼先
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/687
摘要：本发明提供一种扩膜装置及扩膜方法，涉及半导体的技术领域。该扩膜装置，用于对晶圆环的蓝膜进行扩膜，包括基座、扩膜环、升降组件和压环组件，扩膜环和升降组件均固定安装于基座，扩膜环的外径小于晶圆环的内径；压环组件包括压环，压环与升降组件连接，压环的内径大于扩膜环的外径且与扩膜环同轴设置；压环设置有吸盘，吸盘能够吸附晶圆环的环体；升降组件能够驱动压环组件沿扩膜环和压环的轴向上升或下降。该扩膜装置，能够将蓝膜进行扩膜，而且完成扩膜后可以直接通过机械手等装置将晶圆环取走，以便立即开始下一晶圆环的扩膜，所以能够提高整个扩膜流程的效率；此外，该扩膜装置可轻松加工和组装。

5. 发明公开

CN117664379A 基于激励信号的温度测量装置及其测量方法审中-公开
公开(公告)号：CN117664379A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202211020978.5
申请日：2022-08-24
申请人：北京华卓精科科技股份有限公司 , 北京优微精密测控技术研究有限公司
发明人：徐怀明 , 马清华 , 里健
IPC分类号： G01K7/16 , G01K7/24
摘要：本申请涉及一种基于激励信号的温度测量装置及其测量方法；所述装置包括：控制器、参考激励模块、测温电路、调理电路和信号采样电路；测温电路包括串联连接的温度传感器和分压电阻；控制器用于控制参考激励模块输出激励信号，激励信号加在测温电路的两端；调理电路用于采集温度传感器两端的分压电压，并将分压电压调理后输出到信号采样电路；控制器从信号采样电路获取分压电压和激励信号，解算温度传感器检测的温度值。本方案不需要高精度、结构复杂的恒流源电路，仅通过测量电压即可解算出温度数据；本发明适用于电路板卡空间受限、成本要求严格的场景，可以准确、高效、实时、低成本实现温度测量。

6. 发明公开

CN117659878A 疏水图案化胶带及其制作方法审中-实审
公开(公告)号：CN117659878A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202211030999.5
申请日：2022-08-26
申请人：北京华卓精科科技股份有限公司 , 北京优微精密测控技术研究有限公司
发明人：高晓宇 , 李硕
IPC分类号： C09J7/20 , G03F7/20
摘要：本发明提供了一种疏水图案化胶带及其制作方法，疏水图案化胶带包括：图案化层，具有上表面和下表面，图案化层为阶梯结构；疏水膜层，设置在图案化层的上表面上；胶层，设置在图案化层的下表面上；离型膜层，设置在胶层上；疏水保护层，设置在疏水膜层上。基于本发明的技术方案，由于图案化层为阶梯结构，这样设置在其下表面上的胶层能够粘接覆盖待密封部件上存在高度差的粘接表面，从而密封相邻的两个待密封部件上存在高度差的上端面之间的缝隙。进而扩大了疏水图案化胶带的适用范围。同时解决了相关技术中平带结构的胶带对存在高度差的两个待密封部件之间的缝隙密封效果较差的问题。

7. 发明授权

CN113835181B 一种多自由度调节的镜架有权
公开(公告)号：CN113835181B
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202110956673.4
申请日：2021-08-19
申请人：北京华卓精科科技股份有限公司
发明人：司源 , 陈静 , 申航航
IPC分类号： G02B7/00 , G02B7/02 , B23K26/70
摘要：本发明提供了一种多自由度调节的镜架，涉及光学设备技术领域；镜架包括机架、镜筒安装座和镜筒组件，机架设置有移动调节机构，镜筒安装座安装于机架，且连接于移动调节机构；在移动调节机构的驱动作用下，镜筒安装座能够相对机架移动；镜筒安装座设置有转动调节机构，镜筒组件安装于镜筒安装座，且连接于转动调节机构；在转动调节机构的驱动作用下，镜筒组件能够相对镜筒安装座转动；移动调节机构和转动调节机构的操作端均设置于远离镜筒组件的部位。本发明在满足实际调节需求的同时，当需要对镜头进行调节作业时，使用者的身体部位不会暴露于镜头前方，不会与激光接触，进而不会损伤使用者皮肤，保证了使用者的人身安全。

8. 发明授权

CN113345806B 一种SiC基半导体的激光退火方法有权
公开(公告)号：CN113345806B
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202110439393.6
申请日：2021-04-23
申请人：北京华卓精科科技股份有限公司
发明人：蒋一鸣 , 陈静
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/04 , H01L21/67
摘要：本申请涉及一种SiC基半导体的激光退火方法，包括：确定SiC基底上的金属膜的相关参数，所述金属膜的相关参数至少包括金属类型、金属膜厚度；根据金属膜的相关参数确定激光参数，所述激光参数至少包括功率密度、脉宽；按照确定的激光参数，采用半导体激光器产生对应的脉冲激光对SiC基半导体进行退火处理。本申请采用半导体激光器实现SiC基半导体欧姆接触激光退火，可以取代成本较高的固体激光器，在成本上具备巨大优势；半导体激光的功率密度和脉宽容易调节，可以针对不同金属类型、不同膜厚的工况调节激光参数，进行欧姆接触激光退火；半导体激光器较低的功率密度，可以对更厚的金属膜进行激光退火，满足更广泛的工艺应用范围。(56)对比文件SG 188277 A1,2013.04.30CN 111383916 A,2020.07.07刘敏等.SiC减薄工艺及薄片SiC肖特基二极管的制备.微纳电子技术.2020,(09),5-10.于威等.脉冲激光退火纳米碳化硅的光致发光.光谱学与光谱分析.2005,(04),27-29.于威等.碳化硅薄膜脉冲激光晶化特性研究.物理学报.2004,(06),314-318.刘敏;何志;钮应喜;王晓峰;杨霏;杨富华.激光退火形成Ni/4H-SiC欧姆接触.半导体技术.2016,(第9期),55-59.宋马成.半导体激光退火(Ⅰ)――温升的简单计算和激光参数的选择.微纳电子技术.1981,(第4期),9-14.

9. 发明公开

CN117639392A 一种磁屏蔽结构、音圈电机及光刻机审中-公开
公开(公告)号：CN117639392A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202210975015.4
申请日：2022-08-12
申请人：北京华卓精科科技股份有限公司 , 北京优微精密测控技术研究有限公司
发明人：王景宇 , 田丽
IPC分类号： H02K11/01 , H02K33/18 , G03F7/20
摘要：本发明提供一种磁屏蔽结构、音圈电机及光刻机，涉及集成电路制造设备领域。该磁屏蔽结构，包括均由导磁材料制成的外壳、上导磁体和下导磁体，外壳包括上筒体和下筒体，下筒体用于容置线圈，磁钢活动插设于线圈内，上导磁体能够设置于磁钢的顶端，下导磁体能够设置于磁钢的底端，上导磁体、磁钢和下导磁体三者共同形成动子，动子能够沿外壳的轴向运动。该磁屏蔽结构，对磁钢的磁感线起到引导作用，使得磁钢的磁感线沿上导磁体、外壳和下导磁体闭合，增加磁场的利用率、增加电机出力，对外漏磁减少，能够减少音圈电机与周围零部件之间的互相干扰、提高设备精度，此外，通过对外壳合理的尺寸设计能有效降低运动过程中外壳对磁钢的影响。

10. 发明公开

CN117446744A 一种阳极键合装置及阳极键合工艺审中-实审
公开(公告)号：CN117446744A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311387037.X
申请日：2023-10-24
申请人：北京华卓精科科技股份有限公司
发明人：陈鹏远 , 姜保彧
IPC分类号： B81C1/00
摘要：本发明提供一种阳极键合装置及阳极键合工艺，涉及阳极键合领域。其中，阳极键合装置包括键合腔室以及设置于键合腔室内的上盘组件和下盘组件，下盘组件用于承载晶圆对；上盘组件包括面电极和点电极，面电极和点电极择一地与电源的负极相连，且两者均用于对晶圆对中位于上方的玻璃晶圆供电；晶圆对中位于下方的硅晶圆与电源的正极相连。该阳极键合装置，使用过程中，可以择一使用点电极或面电极，以满足不同键合工艺的需求；还可以先对晶圆对进行点键合、然后再对晶圆对进行面键合，其中，点键合能够固定晶圆对的两个晶圆的相对位置，从而能够有效避免在后续的面键合过程中两个晶圆的相对位置发生变动的情况，进而能够提高键合精度、保证键合效果。

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