会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 8. 发明授权
    • 一种SiC基半导体的激光退火方法
    • CN113345806B
    • 2024-03-05
    • CN202110439393.6
    • 2021-04-23
    • 北京华卓精科科技股份有限公司
    • 蒋一鸣陈静
    • H01L21/324H01L21/04H01L21/67
    • 本申请涉及一种SiC基半导体的激光退火方法,包括:确定SiC基底上的金属膜的相关参数,所述金属膜的相关参数至少包括金属类型、金属膜厚度;根据金属膜的相关参数确定激光参数,所述激光参数至少包括功率密度、脉宽;按照确定的激光参数,采用半导体激光器产生对应的脉冲激光对SiC基半导体进行退火处理。本申请采用半导体激光器实现SiC基半导体欧姆接触激光退火,可以取代成本较高的固体激光器,在成本上具备巨大优势;半导体激光的功率密度和脉宽容易调节,可以针对不同金属类型、不同膜厚的工况调节激光参数,进行欧姆接触激光退火;半导体激光器较低的功率密度,可以对更厚的金属膜进行激光退火,满足更广泛的工艺应用范围。(56)对比文件SG 188277 A1,2013.04.30CN 111383916 A,2020.07.07刘敏等.SiC减薄工艺及薄片SiC肖特基二极管的制备.微纳电子技术.2020,(09),5-10.于威等.脉冲激光退火纳米碳化硅的光致发光.光谱学与光谱分析.2005,(04),27-29.于威等.碳化硅薄膜脉冲激光晶化特性研究.物理学报.2004,(06),314-318.刘敏;何志;钮应喜;王晓峰;杨霏;杨富华.激光退火形成Ni/4H-SiC欧姆接触.半导体技术.2016,(第9期),55-59.宋马成.半导体激光退火(Ⅰ)――温升的简单计算和激光参数的选择.微纳电子技术.1981,(第4期),9-14.