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51. 发明专利

TW201902584A 基板處理裝置及基板處理方法审中-公开
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TW201902584A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107113214
申请日：2018-04-18
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：澤島隼 , SAWASHIMA, JUN
IPC分类号： B05C5/02 , B05C9/14 , B05C11/10 , B05D1/02 , H01L21/02
摘要：基板處理裝置包含有：上游加熱器，其對流動於循環流路之處理液進行加熱；複數個溫度調節器，其變更流動於複數個上游流路之處理液之溫度；及複數個流量調整閥，其變更流動於複數個上游流路之處理液之流量。複數個溫度調節器包含有對處理液進行冷卻之冷卻器或對處理液進行冷卻及加熱之冷熱單元。複數個溫度調節器之設定溫度與複數個流量調整閥之設定流量係設定為返回槽之處理液之溫度成為槽內之處理液之溫度以下。
简体摘要：基板处理设备包含有：上游加热器，其对流动于循环流路之处理液进行加热；复数个温度调节器，其变更流动于复数个上游流路之处理液之温度；及复数个流量调整阀，其变更流动于复数个上游流路之处理液之流量。复数个温度调节器包含有对处理液进行冷却之冷却器或对处理液进行冷却及加热之冷热单元。复数个温度调节器之设置温度与复数个流量调整阀之设置流量系设置为返回槽之处理液之温度成为槽内之处理液之温度以下。

52. 发明专利

TWI647737B 基板處理方法及基板處理裝置有权
简体标题：基板处理方法及基板处理设备
公开(公告)号：TWI647737B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：TW106137153
申请日：2017-10-27
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：中山知佐世 , NAKAYAMA, CHISAYO , 田中裕二 , TANAKA, YUJI , 春本将彦 , HARUMOTO, MASAHIKO , 浅井正也 , ASAI, MASAYA , 福本靖博 , FUKUMOTO, YASUHIRO , 松尾友宏 , MATSUO, TOMOHIRO , 石井丈晴 , ISHII, TAKEHARU
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/324

53. 发明专利

TWI646596B 基板處理方法以及基板處理裝置有权
简体标题：基板处理方法以及基板处理设备
公开(公告)号：TWI646596B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：TW106130998
申请日：2017-09-11
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：吉原直彦 , YOSHIHARA, NAOHIKO , 奥谷学 , OKUTANI, MANABU , 太田喬 , OTA, TAKASHI , 阿部博史 , ABE, HIROSHI
IPC分类号： H01L21/306 , B05D1/02 , B05D3/12

54. 发明专利

TW201843738A 熱處理方法及熱處理裝置审中-公开
简体标题：热处理方法及热处理设备
公开(公告)号：TW201843738A
公开(公告)日：2018-12-16
申请号：TW106144084
申请日：2017-12-15
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：上田晃頌 , UEDA, AKITSUGU
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/67
摘要：本發明之課題在於提供一種能夠防止加熱處理後之基板氧化之熱處理方法及熱處理裝置。將未處理之半導體晶圓W自轉位器部101依次經由第1冷卻腔室131及搬送腔室170搬送至處理腔室6。將在處理腔室6進行過加熱處理之處理後之半導體晶圓W依次經由搬送腔室170及第1冷卻腔室131搬送至轉位器部101。自將未處理之半導體晶圓W搬入至第1冷卻腔室131起特定時間，以大供給流量將氮氣供給至第1冷卻腔室131內，且自第1冷卻腔室131以大排氣流量進行排氣。第1冷卻腔室131內之氧濃度迅速地降低，能夠防止加熱處理後之半導體晶圓W氧化。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种能够防止加热处理后之基板氧化之热处理方法及热处理设备。将未处理之半导体晶圆W自转位器部101依次经由第1冷却腔室131及搬送腔室170搬送至处理腔室6。将在处理腔室6进行过加热处理之处理后之半导体晶圆W依次经由搬送腔室170及第1冷却腔室131搬送至转位器部101。自将未处理之半导体晶圆W搬入至第1冷却腔室131起特定时间，以大供给流量将氮气供给至第1冷却腔室131内，且自第1冷却腔室131以大排气流量进行排气。第1冷却腔室131内之氧浓度迅速地降低，能够防止加热处理后之半导体晶圆W氧化。

55. 发明专利

TW201843540A 基板處理方法及基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理方法及基板处理设备
公开(公告)号：TW201843540A
公开(公告)日：2018-12-16
申请号：TW107123818
申请日：2017-02-23
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：宗德皓太 , SOTOKU, KOTA
IPC分类号： G03F7/42 , C08J11/14 , B05D7/04
摘要：本發明為一種基板處理方法，係用於由在表面形成了具有硬化層之抗蝕劑的基板去除該抗蝕劑的基板處理方法，其包括：基板保持步驟，係保持上述基板；與抗蝕劑剝離步驟，係對用於混合複數流體而生成液滴之複數流體噴嘴，供給臭氧氣體與過熱水蒸氣，將含有藉由臭氧氣體與過熱水蒸氣之混合所生成之臭氧水之液滴的臭氧氣體與過熱水蒸氣的混合氣體，由上述複數流體噴嘴朝上述基板之表面吐出，藉此由上述基板之表面剝離抗蝕劑。
简体摘要：本发明为一种基板处理方法，系用于由在表面形成了具有硬化层之抗蚀剂的基板去除该抗蚀剂的基板处理方法，其包括：基板保持步骤，系保持上述基板；与抗蚀剂剥离步骤，系对用于混合复数流体而生成液滴之复数流体喷嘴，供给臭氧气体与过热水蒸气，将含有借由臭氧气体与过热水蒸气之混合所生成之臭氧水之液滴的臭氧气体与过热水蒸气的混合气体，由上述复数流体喷嘴朝上述基板之表面吐出，借此由上述基板之表面剥离抗蚀剂。

56. 发明专利

TW201843530A 描繪裝置及描繪方法审中-公开
简体标题：描绘设备及描绘方法
公开(公告)号：TW201843530A
公开(公告)日：2018-12-16
申请号：TW106142388
申请日：2017-12-04
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：長尾龍也 , NAGAO, TATSUYA , 乘光良直 , NORIMITSU, YOSHINAO , 中井一博 , NAKAI, KAZUHIRO , 北村清志 , KITAMURA, KIYOSHI
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027
摘要：描繪裝置(1)之光調變部(46)，係對來自光源(43)之光進行調變。掃描機構(2)係在基板(9)上掃描藉由光調變部(46)而調變之光。控制部(6)根據描繪資料控制光調變部(46)及掃描機構(2)，以執行對基板(9)之描繪。控制部(6)具備記憶部及資料生成部。關於顯示基板(9)之始自基準狀態之伸縮程度的複數之伸縮率，記憶部係預先記憶對以各伸縮率伸縮之基板(9)進行描繪之情況之圖像的掃描長度資料(run-length data)而作為複數個之初始描繪資料。資料生成部係利用選擇描繪資料生成上述描繪資料，該選擇描繪資料，係根據基板(9)之實際的伸縮率而自複數個初始描繪資料中選出之一個初始描繪資料。藉此，可迅速且精度良好地對產生伸縮之基板(9)進行描繪。
简体摘要：描绘设备(1)之光调制部(46)，系对来自光源(43)之光进行调制。扫描机构(2)系在基板(9)上扫描借由光调制部(46)而调制之光。控制部(6)根据描绘数据控制光调制部(46)及扫描机构(2)，以运行对基板(9)之描绘。控制部(6)具备记忆部及数据生成部。关于显示基板(9)之始自基准状态之伸缩程度的复数之伸缩率，记忆部系预先记忆对以各伸缩率伸缩之基板(9)进行描绘之情况之图像的扫描长度数据(run-length data)而作为复数个之初始描绘数据。数据生成部系利用选择描绘数据生成上述描绘数据，该选择描绘数据，系根据基板(9)之实际的伸缩率而自复数个初始描绘数据中选出之一个初始描绘数据。借此，可迅速且精度良好地对产生伸缩之基板(9)进行描绘。

57. 发明专利

TW201843437A 工件保持裝置、檢查裝置及工件位置補正方法审中-公开
简体标题：工件保持设备、检查设备及工件位置补正方法
公开(公告)号：TW201843437A
公开(公告)日：2018-12-16
申请号：TW106139507
申请日：2017-11-15
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：西村友詳 , NISHIMURA, TOMOMITSU
IPC分类号： G01N21/95 , G01N21/84 , G01D11/30
摘要：本發明係以高精度使工件之對稱軸與保持該工件且使之旋轉之工件保持裝置之旋轉軸一致。工件保持裝置，其具備：保持台，其具備保持工件之夾頭機構、一面支撐夾頭機構一面使夾頭機構朝與旋轉軸正交之方向移動而對工件進行定位之定位機構、及藉由使定位機構繞旋轉軸旋轉而使保持於夾頭機構之工件繞旋轉軸旋轉之旋轉機構；對準用攝像部，其對保持於夾頭機構之工件之外周部進行拍攝；偏芯檢測部，其根據以對準用攝像部拍攝藉由旋轉機構而旋轉之工件所取得之影像，檢測對稱軸相對於旋轉軸之偏芯；及工件位置補正部，其藉由定位機構以消除偏芯之方式使夾頭機構移動，並以對稱軸與旋轉軸一致之方式進行工件之位置補正。
简体摘要：本发明系以高精度使工件之对称轴与保持该工件且使之旋转之工件保持设备之旋转轴一致。工件保持设备，其具备：保持台，其具备保持工件之夹头机构、一面支撑夹头机构一面使夹头机构朝与旋转轴正交之方向移动而对工件进行定位之定位机构、及借由使定位机构绕旋转轴旋转而使保持于夹头机构之工件绕旋转轴旋转之旋转机构；对准用摄像部，其对保持于夹头机构之工件之外周部进行拍摄；偏芯检测部，其根据以对准用摄像部拍摄借由旋转机构而旋转之工件所取得之影像，检测对称轴相对于旋转轴之偏芯；及工件位置补正部，其借由定位机构以消除偏芯之方式使夹头机构移动，并以对称轴与旋转轴一致之方式进行工件之位置补正。

58. 发明专利

TWI642888B 減壓乾燥裝置、減壓乾燥系統、減壓乾燥方法有权
简体标题：减压干燥设备、减压干燥系统、减压干燥方法
公开(公告)号：TWI642888B
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW106119539
申请日：2017-06-13
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：芳川典生 , YOSHIKAWA, NORIO , 水野博喜 , MIZUNO, HIROKI , 時枝大佐 , TOKIEDA, DAISUKE
IPC分类号： F26B5/04 , B05C9/12

59. 发明专利

TW201842830A 位置偏移量取得裝置、檢查裝置、位置偏移量取得方法及檢查方法审中-公开
简体标题：位置偏移量取得设备、检查设备、位置偏移量取得方法及检查方法
公开(公告)号：TW201842830A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW106143583
申请日：2017-12-12
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：里見一哉 , SATOMI, KAZUYA , 赤木祐司 , AKAGI, YUJI , 井上學 , INOUE, MANABU
IPC分类号： H05K3/00 , G01B11/00 , G01N21/956 , G06T7/00 , G06T7/33
摘要：在位置偏移量取得裝置(41)之圖像分割部(411)中，分割2個圖像中之一圖像來取得分割區域群。適性區域特定部(412)求出各分割區域相對於取得2個圖像間之位置偏移量之偏移量取得處理之適性度，藉此自分割區域群特定出適於偏移量取得處理之複數個適性區域。位置偏移量取得部(413)於各適性區域中，進行2個圖像間之偏移量取得處理，藉此取得該適性區域之位置偏移量。位置偏移量算出部(414)對於分割區域群中不包含於複數個適性區域之不適性區域，根據複數個適性區域之位置偏移量、及該不適性區域與複數個適性區域之位置關係，來求出位置偏移量。藉此，可精度良好地求出2個圖像中各分割區域之位置偏移量。
简体摘要：在位置偏移量取得设备(41)之图像分割部(411)中，分割2个图像中之一图像来取得分割区域群。适性区域特定部(412)求出各分割区域相对于取得2个图像间之位置偏移量之偏移量取得处理之适性度，借此自分割区域群特定出适于偏移量取得处理之复数个适性区域。位置偏移量取得部(413)于各适性区域中，进行2个图像间之偏移量取得处理，借此取得该适性区域之位置偏移量。位置偏移量算出部(414)对于分割区域群中不包含于复数个适性区域之不适性区域，根据复数个适性区域之位置偏移量、及该不适性区域与复数个适性区域之位置关系，来求出位置偏移量。借此，可精度良好地求出2个图像中各分割区域之位置偏移量。

60. 发明专利

TW201842543A 曝光裝置、基板處理裝置、基板曝光方法以及基板處理方法审中-公开
简体标题：曝光设备、基板处理设备、基板曝光方法以及基板处理方法
公开(公告)号：TW201842543A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW106135709
申请日：2017-10-18
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：松尾友宏 , MATSUO, TOMOHIRO , 福本靖博 , FUKUMOTO, YASUHIRO , 大木孝文 , OKI, TAKAFUMI , 淺井正也 , ASAI, MASAYA , 春本將彥 , HARUMOTO, MASAHIKO , 田中裕二 , TANAKA, YUJI , 中山知佐世 , NAKAYAMA, CHISAYO , 金山幸司 , KANEYAMA, KOJI
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
摘要：一種曝光裝置，係以曝光模式和維護模式來切換曝光裝置之動作模式。在曝光模式中係以框體內部之氧濃度成為比大氣中之氧濃度更低的曝光濃度之方式使框體內部之氛圍自抽吸裝置進行排氣。在此狀態下，藉由自光源部對框體內部之基板照射真空紫外線來曝光基板。在維護模式中係在框體內部之氧濃度比曝光模式中的氧濃度更高的狀態下，藉由自光源部對框體內部之氛圍照射真空紫外線來產生臭氧。
简体摘要：一种曝光设备，系以曝光模式和维护模式来切换曝光设备之动作模式。在曝光模式中系以框体内部之氧浓度成为比大气中之氧浓度更低的曝光浓度之方式使框体内部之氛围自抽吸设备进行排气。在此状态下，借由自光源部对框体内部之基板照射真空紫外线来曝光基板。在维护模式中系在框体内部之氧浓度比曝光模式中的氧浓度更高的状态下，借由自光源部对框体内部之氛围照射真空紫外线来产生臭氧。

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