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1. 发明授权

US07655960B2 A1xInyGa1-x-yN mixture crystal substrate, method of growing same and method of producing same 有权
标题翻译： AlxInyGa1-x-yN混合晶体基板，其生长方法及其制造方法
公开(公告)号：US07655960B2
公开(公告)日：2010-02-02
申请号：US11501817
申请日：2006-08-10
申请人： Seiji Nakahata , Ryu Hirota , Kensaku Motoki , Takuji Okahisa , Kouji Uematsu
发明人： Seiji Nakahata , Ryu Hirota , Kensaku Motoki , Takuji Okahisa , Kouji Uematsu
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： C30B29/406 , C30B25/02 , C30B25/18 , C30B25/183 , C30B29/40 , C30B29/403 , H01L21/02381 , H01L21/02395 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/02642 , H01L21/02647
摘要： Seeds are implanted in a regular pattern upon an undersubstrate. An AlxInyGa1−x−yN (0≦x≦1, 0≦y≦1, 0
摘要翻译：将种子以规则的图案植入到下衬底上。通过小面生长法在种子植入的底层上生长Al x In y Ga 1-x-y N（0 <= x <= 1,0 <= y <= 1,0

2. 发明申请

US20120040511A1 AlxInyGa1-x-yN MIXTURE CRYSTAL SUBSTRATE, METHOD OF GROWING SAME AND METHOD OF PRODUCING SAME 有权
标题翻译： Al x In y Ga 1-x-y N混合晶体基板及其制造方法及其制造方法
公开(公告)号：US20120040511A1
公开(公告)日：2012-02-16
申请号：US13281106
申请日：2011-10-25
申请人： Seiji NAKAHATA , Ryu Hirota , Kensaku Motoki , Takuji Okahisa , Kouji Uematsu
发明人： Seiji NAKAHATA , Ryu Hirota , Kensaku Motoki , Takuji Okahisa , Kouji Uematsu
IPC分类号： H01L21/322
CPC分类号： C30B29/406 , C30B25/02 , C30B25/18 , C30B25/183 , C30B29/40 , C30B29/403 , H01L21/02381 , H01L21/02395 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/02642 , H01L21/02647
摘要： Seeds are implanted in a regular pattern upon an undersubstrate. An AlxInyGa1−x−yN (0≦x≦1, 0≦y≦1, 0
摘要翻译：将种子以规则的图案植入到下衬底上。通过小平面生长法在混合晶体生长在种子植入的底层基底上，使Al x In y Ga 1-x-y N（0＆nlE; x＆nlE; 1,0＆amp; nlE; y＆nlE; 1,0

3. 发明授权

US08067300B2 AlxInyGa1-x-yN mixture crystal substrate, method of growing same and method of producing same 失效
标题翻译： Al x In y Ga 1-x-y N混合晶体基板，其生长方法及其制造方法
公开(公告)号：US08067300B2
公开(公告)日：2011-11-29
申请号：US12431063
申请日：2009-04-28
申请人： Seiji Nakahata , Ryu Hirota , Kensaku Motoki , Takuji Okahisa , Kouji Uematsu
发明人： Seiji Nakahata , Ryu Hirota , Kensaku Motoki , Takuji Okahisa , Kouji Uematsu
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： C30B29/406 , C30B25/02 , C30B25/18 , C30B25/183 , C30B29/40 , C30B29/403 , H01L21/02381 , H01L21/02395 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/02642 , H01L21/02647
摘要： Seeds are implanted in a regular pattern upon an undersubstrate. An AlxInyGa1-x-yN (0≦x≦1, 0≦y≦1, 0
摘要翻译：将种子以规则的图案植入到下衬底上。通过小平面生长法在混合晶体生长在种子植入的底层基底上，使Al x In y Ga 1-x-y N（0＆nlE; x＆nlE; 1,0＆amp; nlE; y＆nlE; 1,0

4. 发明申请

US20060273343A1 A1xInyGa1-x-yN mixture crystal substrate, method of growing same and method of producing same 有权
标题翻译： AlxInyGa1-x-yN混合晶体基板，其生长方法及其制造方法
公开(公告)号：US20060273343A1
公开(公告)日：2006-12-07
申请号：US11501817
申请日：2006-08-10
申请人： Seiji Nakahata , Ryu Hirota , Kensaku Motoki , Takuji Okahisa , Kouji Uematsu
发明人： Seiji Nakahata , Ryu Hirota , Kensaku Motoki , Takuji Okahisa , Kouji Uematsu
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： C30B29/406 , C30B25/02 , C30B25/18 , C30B25/183 , C30B29/40 , C30B29/403 , H01L21/02381 , H01L21/02395 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/02642 , H01L21/02647
摘要： Seeds are implanted in a regular pattern upon an undersubstrate. An AlxInyGa1−x−yN (0≦x≦1, 0≦y≦1, 0
摘要翻译：将种子以规则的图案植入到下衬底上。在（1≤y≤1,0≤x≤1,0<= x <=1,0,0≤y≤1,0< x + y <= 1）混合晶体通过小平面生长法在种植植入的底物上生长。小面生长使种子凹陷在种子上方。小面从相邻区域组装到底坑的位错，并在底面下方形成闭合缺陷积聚区域（H）。闭合缺陷积聚区（H）永久性停滞位错。释放位错，径向平面缺陷组件和线性缺陷组件被禁止。周围伴随的低位错单晶区（Z）和超低位错单晶区（Y）是位错密度单晶。

5. 发明申请

US20090215248A1 AlxInyGa1-x-yN MIXTURE CRYSTAL SUBSTRATE, METHOD OF GROWING SAME AND METHOD OF PRODUCING SAME 失效
标题翻译： Al x In y Ga 1-x-y N混合晶体基板及其制造方法及其制造方法
公开(公告)号：US20090215248A1
公开(公告)日：2009-08-27
申请号：US12431063
申请日：2009-04-28
申请人： Seiji NAKAHATA , Ryu HIROTA , Kensaku MOTOKI , Takuji OKAHISA , Kouji UEMATSU
发明人： Seiji NAKAHATA , Ryu HIROTA , Kensaku MOTOKI , Takuji OKAHISA , Kouji UEMATSU
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： C30B29/406 , C30B25/02 , C30B25/18 , C30B25/183 , C30B29/40 , C30B29/403 , H01L21/02381 , H01L21/02395 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/02642 , H01L21/02647
摘要： Seeds are implanted in a regular pattern upon an undersubstrate. An AlxInyGa1-x-yN (0≦x≦1, 0≦y≦1, 0
摘要翻译：将种子以规则的图案植入到下衬底上。通过小面生长法在种子植入的底层上生长Al x In y Ga 1-x-y N（0 <= x <= 1,0 <= y <= 1,0

6. 发明授权

US06299263B1 Automatic retarder controller 有权
标题翻译：自动减速器控制器
公开(公告)号：US06299263B1
公开(公告)日：2001-10-09
申请号：US09381804
申请日：1999-09-24
申请人： Kouji Uematsu , Nobuki Hasegawa
发明人： Kouji Uematsu , Nobuki Hasegawa
IPC分类号： B60T832
CPC分类号： B60K31/042 , B60K31/00 , B60T7/12 , B60T10/00 , B60T10/02 , B60W2530/10 , B60Y2200/14
摘要： An automatic retarder controller for a vehicle, which can prevent overheating, and can more precisely control the vehicle speed to remain constant. For this purpose, in the automatic retarder controller which is mounted on a load-carrying vehicle together with a cooled retarder (31) for exerting a braking force in response to a driving signal, and which automatically controls the driving signal so that the slope descending speed of the vehicle remains nearly constant, a detector for detecting the loading weight of the vehicle is included, and the controller impresses the gain corresponding to the detected loading weight upon the driving signal while the controller controls the vehicle speed to remain constant.
摘要翻译：一种用于车辆的自动延迟器控制器，其可以防止过热，并且可以更精确地控制车辆速度保持恒定。为此，在与用于施加响应于驱动信号的制动力的冷却延迟器（31）一起安装在载重车辆上的自动延迟器控制器中，并且自动控制驱动信号使得斜率下降车辆的速度保持几乎恒定，包括用于检测车辆的装载重量的检测器，并且控制器在控制器控制车辆速度保持恒定的同时将对应于检测到的负载重量的增益施加在驱动信号上。

7. 发明授权

US07105865B2 AlxInyGa1−x−yN mixture crystal substrate 有权
标题翻译： Al x In y Ga 1-x-y N混合晶体衬底
公开(公告)号：US07105865B2
公开(公告)日：2006-09-12
申请号：US11041202
申请日：2005-01-25
申请人： Seiji Nakahata , Ryu Hirota , Kensaku Motoki , Takuji Okahisa , Kouji Uematsu
发明人： Seiji Nakahata , Ryu Hirota , Kensaku Motoki , Takuji Okahisa , Kouji Uematsu
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： C30B29/406 , C30B25/02 , C30B25/18 , C30B25/183 , C30B29/40 , C30B29/403 , H01L21/02381 , H01L21/02395 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/02642 , H01L21/02647
摘要： Seeds are implanted in a regular pattern upon an undersubstrate. An AlxInyGa1-x-yN (0≦x≦1, 0≦y≦1, 0
摘要翻译：将种子以规则的图案植入到下衬底上。在（1≤y≤1,0≤x≤1,0<= x <=1,0,0≤y≤1,0< x + y <= 1）混合晶体通过小平面生长法在种植植入的底物上生长。小面生长使种子凹陷在种子上方。小面从相邻区域组装到底坑的位错，并在底面下方形成闭合缺陷积聚区域（H）。闭合缺陷积聚区（H）永久性停滞位错。释放位错，径向平面缺陷组件和线性缺陷组件被禁止。周围伴随的低位错单晶区（Z）和超低位错单晶区（Y）是位错密度单晶。

8. 发明申请

US20050161697A1 AlxInyGa1-x-yN mixture crystal substrate, method of growing same and method of producing same 有权
标题翻译： Al x In y Ga 1-x-y N混合晶体基板，其生长方法及其制造方法
公开(公告)号：US20050161697A1
公开(公告)日：2005-07-28
申请号：US11041202
申请日：2005-01-25
申请人： Seiji Nakahata , Ryu Hirota , Kensaku Motoki , Takuji Okahisa , Kouji Uematsu
发明人： Seiji Nakahata , Ryu Hirota , Kensaku Motoki , Takuji Okahisa , Kouji Uematsu
IPC分类号： C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/40 , H01L21/20 , H01L33/00
CPC分类号： C30B29/406 , C30B25/02 , C30B25/18 , C30B25/183 , C30B29/40 , C30B29/403 , H01L21/02381 , H01L21/02395 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/02642 , H01L21/02647
摘要： Seeds are implanted in a regular pattern upon an undersubstrate. An AlxInyGa1-x-yN (0≦×≦1, 0≦y≦1, 0
摘要翻译：将种子以规则的图案植入到下衬底上。在（1≤y≤1,0≤x≤1,0<= x <=1,0,0≤y≤1,0< x + y <= 1）混合晶体通过小平面生长法在种植植入的底物上生长。小面生长使种子凹陷在种子上方。小面从相邻区域组装到底坑的位错，并在底面下方形成闭合缺陷积聚区域（H）。闭合缺陷积聚区（H）永久性停滞位错。释放位错，径向平面缺陷组件和线性缺陷组件被禁止。周围伴随的低位错单晶区（Z）和超低位错单晶区（Y）是位错密度单晶。

9. 发明授权

US06272415B1 Shift control apparatus of working vehicle 失效
标题翻译：作业车辆换档控制装置
公开(公告)号：US06272415B1
公开(公告)日：2001-08-07
申请号：US09552157
申请日：2000-04-14
申请人： Satoshi Tanaka , Kouji Uematsu
发明人： Satoshi Tanaka , Kouji Uematsu
IPC分类号： B60K4106
CPC分类号： B60W10/06 , B60W10/02 , B60W10/04 , B60W10/10 , B60W10/11 , B60W30/18 , B60W30/1819 , B60W2520/10 , B60W2530/10 , B60W2710/0616 , B60W2710/0644 , B60Y2200/14 , F16H59/18 , F16H59/40 , F16H59/42 , F16H59/46 , F16H59/52 , F16H61/061 , F16H63/502 , F16H2059/405 , F16H2059/425 , F16H2059/462 , F16H2061/0209 , F16H2061/0258 , F16H2061/0444 , F16H2061/161 , F16H2302/04 , F16H2306/14 , Y10T477/6934
摘要： The invention provides a shift control apparatus of a working vehicle in which an excellent shift operability can be obtained without reference to an incline of a travelling road, a loading amount and a road condition without necessity of learning a time for controlling an engine. Accordingly, a controller outputs a command for setting a hydraulic pressure (Pn) of a clutch before a shift operation to 0 value at a time of starting the shift operation and a command for making a hydraulic pressure (Pa) of a clutch after the shift operation be gradually increased in point of time to an electromagnetic proportional control valve (16), changes a fuel injection amount command signal (Fi) to a fuel injection apparatus (19) from an accelerator injection amount signal (THo) on the basis of an accelerator pedal operating amount to a synchronous injection amount signal (THc) for controlling an engine rotational speed so that an absolute value of an input shaft conversion relative speed (Nr) is reduced, and changes the fuel injection amount command signal (Fi) from the synchronous injection amount signal (THc) to the accelerator injection amount signal (THo) when the absolute value of the input shaft conversion relative speed becomes smaller than a predetermined threshold (dNr).
摘要翻译：本发明提供了一种作业车辆的变速控制装置，其中不需要学习用于控制发动机的时间，就不需要参考行驶道路的倾斜，装载量和道路状况而获得优异的换档操作性。因此，在变速操作开始时，控制器输出用于将变速操作前的离合器的液压（Pn）设定为0的指令，以及在变速后进行离合器的液压（Pa）的指令在电磁比例控制阀（16）的时间点上逐渐增加操作，根据燃料喷射量信号（THo）将燃料喷射量指令信号（Fi）从加速器喷射量信号（THo）改变为燃料喷射装置（19）加速器踏板操作量相对于用于控制发动机转速的同步喷射量信号（THc），使得输入轴转换相对速度（Nr）的绝对值减小，并且将燃料喷射量指令信号（Fi）从当输入轴转换相对速度的绝对值变得小于预定阈值（d）时，加速器喷射量信号（THo）的同步喷射量信号（THc） Nr）。

10. 外观设计

USD777602S1 Dump truck 有权
标题翻译：垃圾车
公开(公告)号：USD777602S1
公开(公告)日：2017-01-31
申请号：US29565429
申请日：2016-05-20
申请人： Takeo Ootsuka , Kouji Uematsu , Yasuyuki Suzuki , Tomoya Kumagai , Kouhei Miyazaki
设计人： Takeo Ootsuka , Kouji Uematsu , Yasuyuki Suzuki , Tomoya Kumagai , Kouhei Miyazaki

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