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1. 发明专利

JP2015008324A 発光ダイオード有权
标题翻译：发光二极管
公开(公告)号：JP2015008324A
公开(公告)日：2015-01-15
申请号：JP2014177428
申请日：2014-09-01
申请人：ソウルバイオシスカンパニーリミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd. , Seoul Viosys Co Ltd , ソウルバイオシスカンパニーリミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd.
发明人： KIM CHANG YEON , LEE YUN HEE , YOU JONG KYUN , LIM HONG CHOL , KIM HWA MOK
IPC分类号： H01L33/10 , H01L33/20 , H01L33/32
CPC分类号： H01L33/10 , H01L33/025 , H01L2933/0091
摘要：【課題】光抽出効率を向上させた発光ダイオードを提供する。【解決手段】発光ダイオードは、第1の導電型半導体層257、活性層255、第2の導電型半導体層253を有し、支持基板271上に位置する半導体スタック250と、支持基板271と半導体スタック250との間に位置し、半導体スタックにオーム接触し、半導体積層構造の外部に露出した第1領域を有する第1電極261と、第1電極261の第1領域上に位置し、第1電極261に電気的に接続された第1のボンディングパッド265と、半導体スタック上に位置する第2電極269と、を備え、第1の導電型半導体層257と第2の導電型半導体層253の少なくとも一つは、相互に離隔して位置する複数の散乱要素263を有する。【選択図】図8
摘要翻译：要解决的问题：提供具有改善的光提取效率的发光二极管。解决方案：发光二极管包括：第一导电类型半导体层257; 有源层255; 第二导电类型半导体层253; 位于支撑基板271上的半导体堆叠250; 第一电极261，其具有位于支撑基板271和半导体叠层250之间的第一区域，并与半导体叠层形成欧姆接触，并且暴露于半导体叠层结构的外部; 位于第一电极261的第一区域上并与第一电极261电连接的第一焊盘265; 以及位于半导体堆叠上的第二电极269。第一导电类型半导体层257和第二导电类型半导体层253中的至少一个具有彼此间隔一定距离的多个散射元件263。

2. 发明专利

JP2017085081A 分布ブラッグ反射器を有する発光ダイオードチップ有权
公开(公告)号：JP2017085081A
公开(公告)日：2017-05-18
申请号：JP2016162217
申请日：2016-08-22
申请人：ソウルバイオシスカンパニーリミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd. , Seoul Viosys Co Ltd , ソウルバイオシスカンパニーリミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd.
发明人： KIM YE SEUL , WOO SANG WON , KIM KYOUNG WAN
IPC分类号： H01L33/46
CPC分类号： H01L33/46 , H01L33/50
摘要：【課題】発光構造体から放出された光を反射するように発光構造体の一側に配置された分布ブラッグ反射器(DBR)を含む発光ダイオードチップが提供される。【解決手段】DBRは、交互に積層された低屈折率を有する第1材料層および高屈折率を有する第2材料層を含み、可視領域の中心波長(λ:554nm)に対して、0.25λ+10%より大きい光学厚さを有する第1群の第1材料層と、0.25λ+10%より小さく0.25λ-10%より大きい光学厚さを有する第2群の第1材料層とが交互に配置された第1領域と、0.25λ-10%より小さい光学厚さを有し連続して配置された第3群の第1材料層を含む第2領域と、第1領域と第2領域との間に位置し、0.25λ-10%より小さい光学厚さを有する第1材料層、および0.25λより大きい光学厚さを有する第1材料層を含む第3領域と、を含む。これにより、入射角が増加してもストップバンドにリップルが発生しないDBRを提供できる。【選択図】図5

3. 发明专利

JP2015051268A 空気浄化装置审中-公开
标题翻译：空气净化器
公开(公告)号：JP2015051268A
公开(公告)日：2015-03-19
申请号：JP2014181149
申请日：2014-09-05
申请人：ソウルバイオシスカンパニーリミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd. , Seoul Viosys Co Ltd , ソウルバイオシスカンパニーリミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd.
发明人： YI JAE SEON , SON YOUNG HWAN , LEE SEONG MIN , KIM JONG RACK , KO IK HWAN
IPC分类号： A61L9/16 , A61L9/20
CPC分类号： A61L9/20 , A61L9/205 , A61L2209/11 , A61L2209/14 , B01D46/0028 , F24F2001/0096 , F24F2003/1667
摘要：【課題】紫外線を用いる空気浄化装置を提供すること。【解決手段】一実施形態において、空気浄化装置は、空気流入口及び空気排出口を有するケースと、ケース内で空気の流路に沿って配置される空気浄化部とを備える。空気浄化部は、通気孔を有する印刷回路基板、印刷回路基板上に配置される紫外線発光ダイオード、及び紫外線発光ダイオードの周りに配置される光反射構造物を有する紫外線光源部を備える。紫外線発光ダイオードは、通気孔を通過した空気に対して紫外線を照射する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供使用紫外线的空气净化器。解决方案：一个实施例的空气净化器具有：具有空气流入口和排气口的壳体; 以及沿壳体内的气流通道布置的空气净化单元。空气净化单元配备有：具有通气孔的印刷电路基板; 布置在印刷电路基板上的紫外线发光二极管; 以及具有设置在紫外发光二极管的周围的光反射结构的紫外光源单元。紫外线发光二极管将紫外线照射到通过通气孔的空气中。

4. 发明专利

JP2017533364A 紫外線ベースのバスルーム表面衛生処理有权
公开(公告)号：JP2017533364A
公开(公告)日：2017-11-09
申请号：JP2017522819
申请日：2015-11-06
申请人：ソウルバイオシスカンパニーリミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd. , ソウルバイオシスカンパニーリミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd. , センサーエレクトロニックテクノロジーインコーポレイテッド , センサーエレクトロニックテクノロジーインコーポレイテッド
发明人：ドブリンスキ，アレクサンダー , シュール，マイケル , ギャスカ，レミギウス
IPC分类号： E03D9/00 , A47K13/12 , A47K13/14 , A47K17/00
CPC分类号： A61L2/10 , A47K13/302 , E03D9/08
摘要：バスルームにおいて、少なくとも一つの表面を洗浄及び/又は殺菌するための方法を提供する。殺菌は、紫外線を表面に向けて放出できる紫外線ソースを用いて行うことができる。洗浄は、表面上に流れる水のような流体を用いて行われる。前記表面は、少なくとも便器の便座及び/又は便器に関連する別の表面を含む。【選択図】図1A

5. 发明专利

JPWO2014002959A1 ｍ面窒化物系発光ダイオードの製造方法有权
标题翻译：用于制造基于氮化物的m面发光二极管的方法
公开(公告)号：JPWO2014002959A1
公开(公告)日：2016-06-02
申请号：JP2014522624
申请日：2013-06-24
申请人：三菱化学株式会社 , ソウルバイオシスカンパニーリミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd. , ソウルバイオシスカンパニーリミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd.
发明人：栗原　香 , 香栗原 , 祐太朗竹下 , 祐太朗竹下 , 下山　謙司 , 謙司下山 , 鷹居　真二 , 真二鷹居
IPC分类号： H01L33/32 , H01L33/14 , H01L33/16 , H01L33/42
CPC分类号： H01L33/0075 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L33/145 , H01L33/16 , H01L33/42 , H01L2933/0016 , H01L2933/0066
摘要：順方向電圧の低減されたm面窒化物系LEDを得ることのできる、m面窒化物系LEDの新規な製造方法を提供すること。m面窒化物系LEDの製造方法は、(i)その厚さ方向と六方晶のm軸とがなす角度が10度以内であるn型窒化物半導体層の上に、窒化物半導体からなる活性層を形成するステップと、(ii)前記活性層の上に、p型不純物でドープされたAlGaN層を形成するステップと、(iii)前記AlGaN層の表面に、InGaNからなるコンタクト層を形成するステップと、(iv)前記コンタクト層の表面に電極を形成するステップと、を有する。
摘要翻译：提供了一个正向电压可以得到降低的m面的氮化物类LED，为m面的氮化物类LED的制备新的过程。用于产生m面的氮化物类LED是，（ⅰ）其厚度方向与晶体的m轴之间的六角形角的方法是在n型氮化物半导体层上为10度内，氮化物半导体的活性上（ii）所述活性层的顶部上形成的层，和形成掺有p型杂质的AlGaN层中，（iii）所述AlGaN层的表面上，以形成由InGaN制成的接触层它有一个步骤，以及形成（iv）所述接触层的表面上形成电极的工序。

6. 发明专利

JP2015521046A 果菜類のホルメシス誘導装置有权
标题翻译：水果和蔬菜的Horumeshisu感应器
公开(公告)号：JP2015521046A
公开(公告)日：2015-07-27
申请号：JP2015514931
申请日：2013-06-04
申请人：ソウルバイオシスカンパニーリミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd. , ソウルバイオシスカンパニーリミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd.
发明人：ミンリ，ソン , ミンリ，ソン , ワンソン，ヨン , ワンソン，ヨン , ウォンス，デ , ウォンス，デ
IPC分类号： A01G7/00
CPC分类号： A23B7/015 , A01G7/06 , G01N33/025 , G05B15/02
摘要：本発明は、紫外線発光ダイオードを利用した野菜及び果物ホルメシス誘導装置に関し、収穫または生長中の果菜類の生体情報によって刺激の強さを決定し、決定された前記刺激の強さに基づいて光の種類、光量、光照射時間、光の波長及び温度のうち1種以上を制御する制御部と、前記決定された刺激の強さに基づいて前記果菜類に光を照射するかまたは温度を調節して適用する刺激生成部とを含む、果菜類のホルメシス誘導装置を提供する。本発明の野菜及び果物ホルメシス誘導装置は、野菜及び果物に紫外線ストレスを加えてホルメシスを誘導することによって、前記野菜及び果物中の健康機能性物質の含有量を向上させる効果がある。さらに、本発明の野菜及び果物ホルメシス誘導装置は、照射光の種類、量または照射時間を外部で適切に制御することができるので、多様な種類の野菜及び果物に対して個別的に最適化されたホルメシス誘導条件を提供することができる効果がある。【選択図】図1
摘要翻译：本发明涉及使用紫外发光二极管，水果蔬菜在收获或生长由生物信息来确定刺激的强度的蔬菜和水果的Horumeshisu感应装置，所确定的基于所述刺激强度的光类型，量，光照射时间，以及用于控制一个或多个光线和温度的波长控制单元，是否或用于将光照射到基于所确定的强度的水果蔬菜温度刺激调整并采用特刺激发生器提供Horumeshisu制导系统的水果蔬菜。本发明的蔬菜和水果Horumeshisu感应装置，通过诱导Horumeshisu添加紫外线应力蔬菜和水果，提高蔬菜的和在水果健康功能物质的含量的效果。另外，蔬菜和本发明的水果Horumeshisu感应装置，照射光的类型，可以从外部正确地控制量或照射时间，它被单独地用于各种类型的蔬菜和水果的优化有能够提供Horumeshisu诱导条件的效果。点域1

7. 发明专利

JP5624747B2 複数の発光セルを有する発光素子及びその製造方法有权
标题翻译：发光装置及其具有多个发光单元的制造方法
公开(公告)号：JP5624747B2
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：JP2009258616
申请日：2009-11-12
申请人：ソウルバイオシスカンパニーリミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd. , ソウルバイオシスカンパニーリミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd.
发明人：原哲徐 , 原哲徐
IPC分类号： H01L33/32
CPC分类号： H01L27/153 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

8. 发明专利

JP2014110431A Nitride semiconductor layer growth method and nitride semiconductor element manufacturing method 有权
标题翻译：氮化物半导体层生长法和氮化物半导体元素制造方法
公开(公告)号：JP2014110431A
公开(公告)日：2014-06-12
申请号：JP2013248530
申请日：2013-11-29
申请人： Seoul Viosys Co Ltd , ソウルバイオシスカンパニーリミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd.
发明人： KWAK WOO CHUL , CHOI SEUNG KYU , SONG JAE HOON , KIM CHAE HON , JUNG JUNG WHAN
IPC分类号： H01L21/205 , H01L33/32
CPC分类号： H01L21/0254 , C30B25/20 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0262 , H01L29/2003
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To disclose a nitride semiconductor layer growth method and a nitride semiconductor element manufacturing method.SOLUTION: A nitride semiconductor layer growth method comprises: preparing a gallium nitride substrate including a non-defect region and a defect region; growing a gallium nitride-based defect dispersion suppression layer on the gallium nitride substrate; and growing a gallium nitride-based semiconductor layer on the defect dispersion suppression layer. As a result, dispersion of the defect region on the gallium nitride substrate in the gallium nitride-based semiconductor layer can be inhibited.
摘要翻译：要解决的问题：公开氮化物半导体层生长方法和氮化物半导体元件制造方法。解决方案：氮化物半导体层生长方法包括：制备包括非缺陷区域和缺陷区域的氮化镓衬底; 在氮化镓衬底上生长氮化镓基缺陷色散抑制层; 以及在所述缺陷色散抑制层上生长氮化镓基半导体层。结果，可以抑制氮化镓系半导体层中的氮化镓衬底上的缺陷区域的分散。

9. 发明专利

JP2014078750A Light-emitting element and manufacturing method of the same 审中-公开
标题翻译：发光元件及其制造方法
公开(公告)号：JP2014078750A
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：JP2013268681
申请日：2013-12-26
申请人： Seoul Viosys Co Ltd , ソウルバイオシスカンパニーリミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd.
发明人： SEO WON CHEOL , LEE SUM GEUN
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/14 , H01L33/46
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/62 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light-emitting element and a manufacturing method of the same, which improve luminous efficiency.SOLUTION: A light-emitting element comprises: a substrate 151; a first light-emitting cell S1 and a second light-emitting cell S2 each including a first conductivity type upper semiconductor layer 125, an active layer 127, a second conductivity type lower semiconductor layer 129 and a hole 130a which pierces the second conductivity type lower semiconductor layer 129 and the active layer 127 to expose the first conductivity type upper semiconductor layer 129; and a connector 135 arranged between the first light-emitting cell S1 and the substrate 151 and between the second light-emitting cell S2 and the substrate 151, for electrically connecting the first light-emitting cell S1 and the second light-emitting cell S2. The hole 130a of the first light-emitting cell S1 and the hole 130a of the second light-emitting cell S2 are located in respective central regions of the light-emitting cells. The connector 135 electrically connects the second conductivity type lower semiconductor layer 129 of the first light-emitting cell S1 and the first conductivity type upper semiconductor layer 125 of the second light-emitting cell S2, which is exposed in the hole 130a.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种提高发光效率的发光元件及其制造方法。解决方案：发光元件包括：基板151; 每个包括第一导电类型上半导体层125，有源层127，第二导电类型下半导体层129和第二导电类型下半导体层129的孔130a的第一发光单元S1和第二发光单元S2 半导体层129和有源层127，以暴露第一导电类型上半导体层129; 以及布置在第一发光单元S1和基板151之间以及第二发光单元S2和基板151之间的用于电连接第一发光单元S1和第二发光单元S2的连接器135。第一发光单元S1的孔130a和第二发光单元S2的孔130a位于发光单元的各自的中心区域。连接器135电连接第一发光单元S1的第二导电类型下半导体层129和暴露在孔130a中的第二发光单元S2的第一导电类型上半导体层125。

10. 发明专利

JP2017537294A 空気清浄機审中-公开
公开(公告)号：JP2017537294A
公开(公告)日：2017-12-14
申请号：JP2017528532
申请日：2015-11-05
申请人：ソウルバイオシスカンパニーリミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd. , ソウルバイオシスカンパニーリミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd.
发明人：ジョン−ラクキム， , ジョン−ラクキム， , ジェ−ハクチョン， , ジェ−ハクチョン， , イク−ファンコ， , イク−ファンコ， , サン−ファンビュン， , サン−ファンビュン，
IPC分类号： F24F7/00 , A61L9/00 , A61L9/16 , A61L9/20 , B01D46/52 , F24F13/20
CPC分类号： A61L9/205 , A61L2209/111 , A61L2209/14 , A61L2209/212 , B01D46/2422 , B01D46/48 , B01D53/0476 , B01D53/30 , B01D53/86 , B01D53/885
摘要：本発明は、空気清浄機に関し、より詳細には、外部ハウジングと内部ハウジングとに区分されるハウジングを備えており、外部ハウジングと内部ハウジングとが互いに離隔し、内部ハウジングに光触媒フィルター及び集塵フィルターが設置され、外部ハウジングと内部ハウジングとの間の空間にも空気を流動させた空気清浄機に関する。本発明は、吸入口及び吐出口が形成された外部ハウジングと、外部ハウジングの内部に設けられ、外部ハウジングに対して離隔して形成される内部ハウジングと、内部ハウジングに設置され、吐出口方向に空気を強制的に排出させるファンと、内部ハウジングに設置され、ファンの空気排出方向又はファンの空気排出方向の反対方向に配置される光触媒フィルターと、光触媒フィルターよりファンによって発生する空気流動方向の上流に配置され、光触媒フィルターに向かって紫外線を照射する紫外線光源と、を含む空気清浄機を提供する。

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