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1. 发明专利

TWI648107B 凹型結核海綿刷有权
简体标题：凹型结核海绵刷
公开(公告)号：TWI648107B
公开(公告)日：2019-01-21
申请号：TW102110519
申请日：2013-03-25
申请人：伊利諾工具工程公司 , ILLINOIS TOOL WORKS INC.
发明人：泰瑞爾傑夫利J , TYRRELL, JEFFREY J. , 維斯爾布蘭迪S , WITHERS, BRADLEY S.
IPC分类号： B08B1/04

2. 发明专利

TW201347862A 凹型結核海綿刷审中-公开
简体标题：凹型结核海绵刷
公开(公告)号：TW201347862A
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW102110519
申请日：2013-03-25
申请人：伊利諾工具工程公司 , ILLINOIS TOOL WORKS INC.
发明人：泰瑞爾傑夫利J , TYRRELL, JEFFREY J. , 維斯爾布蘭迪S , WITHERS, BRADLEY S.
IPC分类号： B08B1/04
CPC分类号： H01L21/02096 , B08B1/04 , H01L21/67046
摘要：本文提供用於清潔基板之清潔裝置及方法。在一態樣中，用於清潔基板之清潔裝置包括刷具，該刷具包括外表面並界定中空孔，該中空孔圍繞刷具之中心軸定位；及結核，該等結核在刷具之外表面上形成，且每個結核包括凹型表面。每個凹型表面界定外邊緣，該外邊緣環繞中心凹點。在另一態樣中，用於清潔基板之方法包括將基板與清潔裝置接合。清潔裝置包括刷具，該刷具包括外表面並界定中空孔，該中空孔圍繞刷具之第一軸定位；及結核，該等結核在外表面上形成，且每個結核包括凹型表面。每個凹型表面界定外邊緣，該外邊緣環繞中心凹點。該方法亦包括圍繞第一軸以第一旋轉方向旋轉刷具。
简体摘要：本文提供用于清洁基板之清洁设备及方法。在一态样中，用于清洁基板之清洁设备包括刷具，该刷具包括外表面并界定中空孔，该中空孔围绕刷具之中心轴定位；及结核，该等结核在刷具之外表面上形成，且每个结核包括凹型表面。每个凹型表面界定外边缘，该外边缘环绕中心凹点。在另一态样中，用于清洁基板之方法包括将基板与清洁设备接合。清洁设备包括刷具，该刷具包括外表面并界定中空孔，该中空孔围绕刷具之第一轴定位；及结核，该等结核在外表面上形成，且每个结核包括凹型表面。每个凹型表面界定外边缘，该外边缘环绕中心凹点。该方法亦包括围绕第一轴以第一旋转方向旋转刷具。

3. 发明专利

TWI572419B 用於清理半導體晶圓的錐形刷有权
简体标题：用于清理半导体晶圆的锥形刷
公开(公告)号：TWI572419B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW102111168
申请日：2013-03-28
申请人：伊利諾工具工程公司 , ILLINOIS TOOL WORKS INC.
发明人：泰瑞爾傑夫利J , TYRRELL, JEFFREY J. , 維斯爾布蘭迪S , WITHERS, BRADLEY S.
IPC分类号： B08B1/00
CPC分类号： A46B9/08 , A46B7/04 , A46B13/00 , B08B1/04 , B08B11/00 , H01L21/02096 , H01L21/67046

4. 发明专利

TW201345620A 用於清理半導體晶圓的錐形刷审中-公开
简体标题：用于清理半导体晶圆的锥形刷
公开(公告)号：TW201345620A
公开(公告)日：2013-11-16
申请号：TW102111168
申请日：2013-03-28
申请人：伊利諾工具工程公司 , ILLINOIS TOOL WORKS INC.
发明人：泰瑞爾傑夫利J , TYRRELL, JEFFREY J. , 維斯爾布蘭迪S , WITHERS, BRADLEY S.
IPC分类号： B08B1/00
CPC分类号： A46B9/08 , A46B7/04 , A46B13/00 , B08B1/04 , B08B11/00 , H01L21/02096 , H01L21/67046
摘要：提供一種用於清理一基板的清理裝置。在一態樣中，該清理裝置包括一刷，該刷包括一第一端、相對於該第一端的一第二端、一外側表面、與一中空孔，該中空孔圍繞該刷的一中心軸而界定在該刷中。該刷界定了靠近該第一端的一第一橫剖面區域與靠近該第二端的一第二橫剖面區域。該第一與第二橫剖面區域兩者都大體上垂直於該中心軸，且該第二橫剖面區域大於該第一橫剖面區域。
简体摘要：提供一种用于清理一基板的清理设备。在一态样中，该清理设备包括一刷，该刷包括一第一端、相对于该第一端的一第二端、一外侧表面、与一中空孔，该中空孔围绕该刷的一中心轴而界定在该刷中。该刷界定了靠近该第一端的一第一横剖面区域与靠近该第二端的一第二横剖面区域。该第一与第二横剖面区域两者都大体上垂直于该中心轴，且该第二横剖面区域大于该第一横剖面区域。

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