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1. 发明专利

JP6928824B2 光導波路構造有权
公开(公告)号：JP6928824B2
公开(公告)日：2021-09-01
申请号：JP2017043153
申请日：2017-03-07
申请人：古河電気工業株式会社
发明人：比嘉康貴 , 川北泰雅
IPC分类号： H01S5/125 , H01S5/026 , G02B6/12

2. 发明专利

JP2019159158A 光導波路構造及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019159158A
公开(公告)日：2019-09-19
申请号：JP2018047202
申请日：2018-03-14
申请人：古河電気工業株式会社
发明人：吉田匡廣 , 比嘉康貴 , 川北泰雅
IPC分类号： G02B6/122 , G02B6/12 , G02B6/13 , G02B6/124
摘要：【課題】ヒータによる加熱効率が高く、信頼性の低下が抑制された光導波路構造及びその製造方法を提供する。【解決手段】光導波路構造は、分布反射部120、分布反射部を上下左右から囲むクラッド部、クラッド部の上部の表面に分布反射部に沿って配置されたヒータ103と、ヒータに電気的に接続された配線104、105と、を備え、クラッド部には縦溝102a、102bが形成され、これら縦溝がメサ形状のメサ部を定義しており、ヒータは、メサ部上に配置され、縦溝の少なくとも一つは、第1溝部102aa、ba、bbと第1溝部よりも溝幅が小さい第2溝部102ab、ac、bcとを有し、縦溝の少なくとも一つに対し、その近傍のクラッド部は、縦溝内のメサ部から遠い内側壁からメサ部に向かって突出して第2溝部を形成する凸部101a、b、cを有し、配線は、凸部の上を通って第2溝部に掛け渡され、ヒータに電気的に接続する。【選択図】図1

3. 发明专利

JP2017163080A 半導体光素子、およびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017163080A
公开(公告)日：2017-09-14
申请号：JP2016048282
申请日：2016-03-11
申请人：古河電気工業株式会社
发明人：岩井則広 , 川北泰雅 , 比嘉康貴
IPC分类号： H01S5/026
摘要：【課題】酸化速度の膜厚依存性を有する半導体層を有する半導体積層構造において、半導体層における面内均一性およびバッチ間安定性を向上させること。【解決手段】Al 1-x-y Ga x In y As 1-z P z 層(0

1-x-yGa
x In
y As
1-z P
z 層とInP層とを順次積層した後、面方向に沿ってAl
1-x-y Ga
x In
y As層を酸化する工程を有する場合に、Al
1-x-y Ga
x In
y As
1-z P
z 層を、酸化速度が極大となる所定の膜厚の1.5倍未満の膜厚に形成する。
【選択図】図4

4. 发明专利

JP2017161830A 半導体光素子审中-公开
公开(公告)号：JP2017161830A
公开(公告)日：2017-09-14
申请号：JP2016048284
申请日：2016-03-11
申请人：古河電気工業株式会社
发明人：岩井則広 , 川北泰雅 , 比嘉康貴
IPC分类号： H01S5/026 , G02B6/12 , G02F1/01
摘要：【課題】加熱部を容易かつ安定して形成できるとともに、ハイメサ導波路構造体を効率良く加熱して、消費電力を低減すること。【解決手段】InP基板の上方に、熱伝導を抑制するAlInAs酸化層または空洞からなる低熱伝導領域と、低熱伝導領域の上層における、低熱伝導領域の面方向に沿った配置領域より狭い領域に、導波路層を有するハイメサ導波路構造体とハイメサ導波路構造体を加熱する加熱部とを設け、加熱部をハイメサ導波路構造体の裾の部分に設ける。【選択図】図2

5. 发明专利

JP6895903B2 半導体レーザ素子、回折格子構造、および回折格子有权
公开(公告)号：JP6895903B2
公开(公告)日：2021-06-30
申请号：JP2017567025
申请日：2017-02-13
申请人：古河電気工業株式会社
发明人：清田和明 , 川北泰雅
IPC分类号： G02B5/18 , H01S5/125

6. 发明专利

JP2018146857A 光導波路構造审中-公开
公开(公告)号：JP2018146857A
公开(公告)日：2018-09-20
申请号：JP2017043153
申请日：2017-03-07
申请人：古河電気工業株式会社
发明人：比嘉康貴 , 川北泰雅
IPC分类号： H01S5/125 , H01S5/026 , G02B6/122
摘要：【課題】ヒータによる加熱効率を高めるとともに、構造設計の制約がより少ない光導波路構造を提供すること。【解決手段】光導波路構造は、基板と、前記基板上に位置する下部クラッド層と、前記下部クラッド層上に位置する光導波層と、前記光導波層上に位置する上部クラッド層と、前記上部クラッド層上に位置するヒータと、前記基板と前記光導波層との間に位置し、互いに異なる半導体材料からなる半導体部分が堆積方向において隣接するように堆積した堆積構造部と、を備える。【選択図】図3

7. 发明专利

JP2017142348A 光導波路構造、光集積素子、および光導波路構造の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017142348A
公开(公告)日：2017-08-17
申请号：JP2016023210
申请日：2016-02-10
申请人：古河電気工業株式会社
发明人：比嘉康貴 , 岩井則広 , 川北泰雅
IPC分类号： G02B6/125 , G02B6/136 , H01S5/227 , H01S5/026 , G02F1/025 , G02B6/122
摘要：【課題】異なる導波路構造の接続部における損失が少なく、製造トレランスが高い光導波路構造を提供する。【解決手段】光導波路構造100であって、第4光導波路部40のハイメサ導波路構造41の、第3光導波路部30の埋め込み導波路構造31との接続端における導波路幅W41は、埋め込み導波路構造31の導波路幅W31よりも広く、ハイメサ導波路構造41の、第2光導波路部20の少なくとも1つのハイメサ導波路構造21、22との接続端における導波路幅W42は、第2光導波路部20の少なくとも1つのハイメサ導波路構造21、22の導波路幅W21、W22の合計よりも広く、埋め込み導波路構造31は、埋め込み導波路構造11と同一構造であり、第3光導波路部30のメサストライプ構造32の幅W32は、ハイメサ導波路構造41の、埋め込み導波路構造31との接続端における導波路幅W41と等しい。【選択図】図1

8. 发明专利

JP2016164945A 集積型半導体光素子审中-公开
标题翻译：集成型半导体光学器件
公开(公告)号：JP2016164945A
公开(公告)日：2016-09-08
申请号：JP2015045196
申请日：2015-03-06
申请人：古河電気工業株式会社
发明人：川北泰雅 , 横内則之
IPC分类号： H01S5/024 , G02F1/017 , G02B6/12 , G02B6/42 , H01S5/022
摘要：【課題】小型な光回路でありながら、導波路構造の信頼性が高く、かつ製造コストが低い集積型半導体光素子を提供する。【解決手段】半導体光素子が配設される基板10と、活性層を有する積層構造体及び導波層を有する積層構造体をそれぞれ少なくとも一つ有し、半導体光素子を構成する複数の積層構造体20、30と、を備え、基板表面は、複数の積層構造体とは材料が異なる半導体または誘電体からなり、かつ複数の積層構造体よりも低屈折率とされており、複数の積層構造体は、活性層または導波層を含む層が積層された積層体の成長面が、基板表面に接合されて形成された積層構造を含み、かつ、基板表面から活性層中心、及び基板表面から導波層中心までの高さが等しく、複数の積層構造体の積層構造同士の接合部は、劈開面同士が接合されて形成されていることを特徴とする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种紧凑型光电路的集成型半导体光学装置，其具有低生产成本的高可靠性波导结构。解决方案：集成型半导体光学器件设置有基板10，半导体光学器件以及构成半导体光学元件的多个叠层结构体20,30，各层具有至少一层具有活性层的叠层结构和至少一层具有波导层的叠层结构。基板表面由半导体或由与多个层叠结构不同的材料形成的电介质组成，折射率低于多个叠层结构。多个层叠结构包括由层叠结构的每个生长表面形成的层叠结构，其具有连接到基板表面的包括有源层或波导层的层。从衬底表面到有源层中心的高度等于从衬底表面到波导层中心的高度。通过每个解理面的关节形成多个层叠结构中的每个层叠结构之间的接合部。选择的图示：图1

9. 发明专利

JP5839852B2 垂直型発光素子及びその製造方法有权
标题翻译：垂直发光器件及其制造方法
公开(公告)号：JP5839852B2
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：JP2011141074
申请日：2011-06-24
申请人：古河電気工業株式会社
发明人：鈴木理仁 , 高木啓史 , 今井英 , 川北泰雅
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18327 , H01S5/18341 , H01S2301/02 , H01S2301/166 , H01S5/18311 , H01S5/18333 , H01S5/18358 , H01S5/18369

10. 发明专利

JP6928622B2 波長可変レーザ装置有权
公开(公告)号：JP6928622B2
公开(公告)日：2021-09-01
申请号：JP2018566689
申请日：2017-02-08
申请人：古河電気工業株式会社
发明人：川北泰雅 , 清田和明 , 比嘉康貴
IPC分类号： H01S5/0687 , H01S5/0239

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