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    • 5. 发明专利
    • 電解加工裝置 ELECTROLYTIC PROCESSING APPARATUS
    • 电解加工设备 ELECTROLYTIC PROCESSING APPARATUS
    • TW200536643A
    • 2005-11-16
    • TW094109721
    • 2005-03-29
    • 荏原製作所股份有限公司 EBARA CORPORATION
    • 當間康 TOMA, YASUSHI齊藤孝行 SAITO, TAKAYUKI廣川一人 HIROKAWA, KAZUTO
    • B23H
    • C25F7/00B23H5/08H01L21/32125
    • 一種電解加工裝置(50),具有用以饋給電流至基板(W)之饋電電極(74)、與該基板W相接觸之離子交換器(76)以及用以在該基板(W)上執行電解反應之加工電極(72)該電解加工裝置(50)具有用以供應電解加工液體於該基板(W)與該離子交換器(76)之間的電解加工液體源,以及用以供應再生液體至再生液體腔室(90a、90b)的再生液體供應源。該電解加工裝置(50)包括與該加工電極(72)隔開之再生電極(84),以及用以供應電壓於該等電極(74、72、84)之間的電源供應器(58、96)。該電解加工裝置(50)包括控制器(82),用以控制被施加至該等電極(74、72、84)之間的電壓,使得該饋電電極(74)具有高於該加工電極(72)之電位且具有相同於該加工電極(72)之極性,且使得該加工電極(72)具有高於該再生電極(84)之電位。
    • 一种电解加工设备(50),具有用以馈给电流至基板(W)之馈电电极(74)、与该基板W相接触之离子交换器(76)以及用以在该基板(W)上运行电解反应之加工电极(72)该电解加工设备(50)具有用以供应电解加工液体于该基板(W)与该离子交换器(76)之间的电解加工液体源,以及用以供应再生液体至再生液体腔室(90a、90b)的再生液体供应源。该电解加工设备(50)包括与该加工电极(72)隔开之再生电极(84),以及用以供应电压于该等电极(74、72、84)之间的电源供应器(58、96)。该电解加工设备(50)包括控制器(82),用以控制被施加至该等电极(74、72、84)之间的电压,使得该馈电电极(74)具有高于该加工电极(72)之电位且具有相同于该加工电极(72)之极性,且使得该加工电极(72)具有高于该再生电极(84)之电位。
    • 8. 发明专利
    • 電解複合研磨方法及研磨方法 ELECTROLITIC COMPOSITE ABRASION METHOD AND ABRASION METHOD
    • 电解复合研磨方法及研磨方法 ELECTROLITIC COMPOSITE ABRASION METHOD AND ABRASION METHOD
    • TW200936309A
    • 2009-09-01
    • TW097138651
    • 2008-10-08
    • 荏原製作所股份有限公司 EBARA CORPORATION
    • 當間康 TOMA, YASUSHI小寺章 KODERA, AKIRA檜山浩國 HIYAMA, HIROKUNI
    • B24BC25FH01L
    • B23H5/08H01L21/32125
    • 本發明提供一種能一邊防止碟形凹陷及磨蝕等之過度研磨,一邊提高研磨速度之電解複合研磨方法。如此之電解複合研磨方法係:以在使基板表面與研磨墊的接觸面壓設為0的狀態使施加於基板表面的導電膜之電壓增加時,電流密度從增加轉為減少之第一變化點C的電壓作為最小電壓,以在使接觸面壓為有限値的狀態使前述電壓增加時,電流密度從增加後減少轉為一定値之第二變化點B的電壓作為最大電壓,而一邊將前述電壓維持在前述最小電壓以上且前述最大電壓以下,一邊研磨導電膜的表面。另外,提供一種能一邊防止碟形凹陷及磨蝕等之過度研磨,一邊迅速去除接觸插塞及配線形成區域以外的導電膜之電解複合研磨方法。如此之電解複合研磨方法的特徵在於:在提高電壓的工序中,以在使接觸面壓為0的狀態提高電壓時,電流密度從增加轉為減少之第一變化點C的電壓作為閾値電壓,而提高電壓到使得阻障膜露出區域之電壓超過臨限値電壓。
    • 本发明提供一种能一边防止碟形凹陷及磨蚀等之过度研磨,一边提高研磨速度之电解复合研磨方法。如此之电解复合研磨方法系:以在使基板表面与研磨垫的接触面压设为0的状态使施加于基板表面的导电膜之电压增加时,电流密度从增加转为减少之第一变化点C的电压作为最小电压,以在使接触面压为有限値的状态使前述电压增加时,电流密度从增加后减少转为一定値之第二变化点B的电压作为最大电压,而一边将前述电压维持在前述最小电压以上且前述最大电压以下,一边研磨导电膜的表面。另外,提供一种能一边防止碟形凹陷及磨蚀等之过度研磨,一边迅速去除接触插塞及配线形成区域以外的导电膜之电解复合研磨方法。如此之电解复合研磨方法的特征在于:在提高电压的工序中,以在使接触面压为0的状态提高电压时,电流密度从增加转为减少之第一变化点C的电压作为阈値电压,而提高电压到使得阻障膜露出区域之电压超过临限値电压。
    • 9. 发明专利
    • 電解加工裝置 ELECTROLYTIC PROCESSING APPARATUS
    • 电解加工设备 ELECTROLYTIC PROCESSING APPARATUS
    • TWI277474B
    • 2007-04-01
    • TW092127742
    • 2003-10-07
    • 荏原製作所股份有限公司 EBARA CORPORATION
    • 當間康 TOMA, YASUSHI小嚴貴 KOBATA, ITSUKI
    • B23H
    • C25F7/00B23H3/02B23H9/00
    • 一種電解加工裝置,具有至少一加工電極(86)及至少一饋電電極(86),該饋電電極(86)係相對於基板(w)而設置在該至少一加工電極(86)之同側。具有離子交換基之有機化合物係化學結合至該加工電極(86)之表面與該饋電電極(86b)之表面的至少其中一表面,以形成離子交換器(90)。該電解加工裝置亦具有基板保持件(42),用以保持該基板(W)並且使該基板(W)接觸或靠近該加工電極(86)。該電解加工裝置包括電源(48),以及流體供應單元(92、94),該電源(48)用以施加電壓至該加工電極(86)與該饋電電極(86)之間,而該流體供應單元(92、94)則用以供應流體至該基板(w)與該加工電極之間。
    • 一种电解加工设备,具有至少一加工电极(86)及至少一馈电电极(86),该馈电电极(86)系相对于基板(w)而设置在该至少一加工电极(86)之同侧。具有离子交换基之有机化合物系化学结合至该加工电极(86)之表面与该馈电电极(86b)之表面的至少其中一表面,以形成离子交换器(90)。该电解加工设备亦具有基板保持件(42),用以保持该基板(W)并且使该基板(W)接触或靠近该加工电极(86)。该电解加工设备包括电源(48),以及流体供应单元(92、94),该电源(48)用以施加电压至该加工电极(86)与该馈电电极(86)之间,而该流体供应单元(92、94)则用以供应流体至该基板(w)与该加工电极之间。
    • 10. 发明专利
    • 電解加工裝置 ELECTROLYTIC PROCESSING APPARATUS
    • 电解加工设备 ELECTROLYTIC PROCESSING APPARATUS
    • TW200418601A
    • 2004-10-01
    • TW092127742
    • 2003-10-07
    • 荏原製作所股份有限公司 EBARA CORPORATION
    • 當間康 TOMA, YASUSHI小嚴貴 KOBATA, ITSUKI
    • B23H
    • C25F7/00B23H3/02B23H9/00
    • 一種電解加工裝置,具有至少一加工電極(86)及至少一饋電電極(86),該饋電電極(86)設置在相對於基板(W)而與該至少一加工電極(86)同側。具有離子交換基之有機化合物係化學結合至該加工電極(86)之表面與該饋電電極(86b)之表面的至少其中一表面,以形成離子交換器(90)。該電解加工裝置亦具有基板保持件(42),用以保持該基板(W)並且使該基板(W)接觸或靠近該加工電極(86)。該電解加工裝置包括電源(48),以及流體供應單元(92、94)該電源(48)用以施加電壓至該加工電極(86)與該饋電電極(86)之間,而該流體供應單元(92、94)則用以供應流體至該基板(W)與該加工電極之間。
    • 一种电解加工设备,具有至少一加工电极(86)及至少一馈电电极(86),该馈电电极(86)设置在相对于基板(W)而与该至少一加工电极(86)同侧。具有离子交换基之有机化合物系化学结合至该加工电极(86)之表面与该馈电电极(86b)之表面的至少其中一表面,以形成离子交换器(90)。该电解加工设备亦具有基板保持件(42),用以保持该基板(W)并且使该基板(W)接触或靠近该加工电极(86)。该电解加工设备包括电源(48),以及流体供应单元(92、94)该电源(48)用以施加电压至该加工电极(86)与该馈电电极(86)之间,而该流体供应单元(92、94)则用以供应流体至该基板(W)与该加工电极之间。