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1. 发明授权

KR101076516B1 플라즈마 처리방법 및 장치 失效
标题翻译：等离子体处理方法和装置
公开(公告)号：KR101076516B1
公开(公告)日：2011-10-24
申请号：KR1020040071614
申请日：2004-09-08
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 오쿠무라도모히로 , 나카야마이치로 , 마에시마사토시 , 미즈노분지 , 사사키유이치로
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01J37/3244 , H01J37/32412 , H01L21/2236
摘要： 진공실(900) 내의배기를정지함과더불어진공실내에의가스의공급을정지하고진공실내에헬륨가스와디보란가스의혼합가스를봉입한상태에서, 진공용기내에플라즈마를발생시킴과더불어, 시료전극에고주파전력을공급함으로써, 붕소를기판(9)의표면근방에도입한다.

2. 发明公开

KR1020100090749A 플라즈마도핑방법 및 플라즈마도핑장치 有权
标题翻译：等离子喷涂方法和等离子体喷涂装置
公开(公告)号：KR1020100090749A
公开(公告)日：2010-08-17
申请号：KR1020100061200
申请日：2010-06-28
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 오쿠무라도모히로 , 나카야마이치로 , 미즈노분지 , 사사키유이치로
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01L21/2236 , H01J37/321 , H01J37/32412
摘要： PURPOSE: A plasma doping method and a plasma doping apparatus are provided to stably perform a low-concentration doping operation by including a high frequency power unit which supplies high frequency power through a matching circuit. CONSTITUTION: A vacuum container(1) includes a plasma generator(8). High frequency power is supplied to the plasma generator and generates plasma inside the vacuum container. The high frequency power is supplied to the sample electrode(6) in the vacuum container, and a low-concentration plasma doping process is performed with respect to a substrate on the sample electrode. The progressive wave and the reflected wave of the high frequency power is sample. If an integration value of the progressive wave and the reflected waves reaches to a pre-set value, the high frequency power is stop being supplied.
摘要翻译：目的：提供等离子体掺杂方法和等离子体掺杂装置，以通过包括通过匹配电路提供高频功率的高频功率单元来稳定地执行低浓度掺杂操作。构成：真空容器（1）包括等离子体发生器（8）。向等离子体发生器提供高频功率，并在真空容器内产生等离子体。将高频电力提供给真空容器中的样品电极（6），并且相对于样品电极上的衬底执行低浓度等离子体掺杂工艺。高频功率的逐行波和反射波是采样。如果逐行波和反射波的积分值达到预设值，则停止提供高频功率。

3. 发明授权

KR100960791B1 플라즈마 도핑 장치 有权
标题翻译：等离子喷涂设备
公开(公告)号：KR100960791B1
公开(公告)日：2010-06-01
申请号：KR1020030046722
申请日：2003-07-10
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 오쿠무라도모히로 , 나카야마이치로 , 미즈노분지
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01J37/32412 , C23C8/36 , C23C14/48 , H01J37/32467 , H01L21/2236 , H05H1/46
摘要： 본 발명의 도핑(doping) 장치는, 내부에 챔버(chamber)를 형성하는 진공 용기를 구비하고 있다. 상기 용기는, 유전(誘電) 재료로 제조되고 또한 챔버 내에 설치되어서, 기판에 도핑되는 불순물을 포함하는 부분을 구비하고 있다. 또한, 상기 용기의 상기 부분을 통해서 전계(電界)를 형성함으로써 챔버 내에 플라즈마를 생성하는 플라즈마 소스(plasma source)가 설치되어 있다. 이러한 장치에 의해서, 플라즈마 내의 이온이 상기 용기의 상기 부분에 충돌하여, 상기 용기의 상기 부분으로부터 챔버 내로 불순물을 공급한다.

4. 发明公开

KR1020100048954A 반도체장치 및 그 제조방법 无效
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020100048954A
公开(公告)日：2010-05-11
申请号：KR1020097004969
申请日：2008-02-22
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 사사키유이치로 , 오카시타가츠미 , 나카모토게이이치 , 가나다히사타카 , 미즈노분지
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7854 , H01L29/66803 , H01L21/40 , H01L29/4232
摘要： A gate insulating film (62) is so formed as to straddle a fin-shaped semiconductor region (61) having an impurity region (61a) in the upper portion and an impurity region (61b) in the side portions. The curvature radius r' of the upper corner of a part of the fin-shaped semiconductor region (61) located outside the gate insulating film (62) is larger than the curvature radius r of the upper corner of another part of the fin-shaped semiconductor region (61) located below the gate insulating film (62), but not larger than 2r.
摘要翻译：栅极绝缘膜（62）被形成为跨越在上部具有杂质区域（61a）的鳍状半导体区域（61）和侧部中的杂质区域（61b）。位于栅绝缘膜（62）外部的鳍状半导体区域（61）的一部分的上角的曲率半径r'大于鳍状的另一部分的上角的曲率半径r 半导体区域（61）位于栅极绝缘膜（62）的下方，但不大于2r。

5. 发明授权

KR101065918B1 플라즈마도핑방법 有权
标题翻译：等离子体掺杂法和等离子体掺杂装置
公开(公告)号：KR101065918B1
公开(公告)日：2011-09-19
申请号：KR1020030067674
申请日：2003-09-30
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 오쿠무라도모히로 , 나카야마이치로 , 미즈노분지 , 사사키유이치로
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01L21/2236 , H01J37/321 , H01J37/32412
摘要： 안정된 저농도 도핑이 가능한 플라즈마도핑방법을 실현하기 위해서, 진공용기 내에 가스공급장치로부터 소정의 가스를 도입하면서 펌프로 배기를 하여, 진공용기 내를 소정의 압력으로 유지하면서, 고주파전원에 의해 고주파전력을 코일에 인가한다. 진공용기 내에 플라즈마가 발생한 후, 진공용기내의 압력을 내려, 시료전극 상에 놓여진 기판에 대하여 저농도의 플라즈마도핑을 한다. 또한 진공용기내의 압력을 서서히 내리는 동시에 고주파전력을 서서히 증가하여, 시료전극 상에 놓여진 기판에 대하여 저농도의 플라즈마도핑을 한다. 또한, 시료전극에 공급하는 고주파전력의 진행파 Pf 및 반사파 Pr를 고속으로 샘플링하여, Pf-Pr를 시간으로 적분한 값이 미리 설정한 값에 달한 시점에서 고주파전력의 공급을 정지한다.

6. 发明公开

KR1020040007336A 플라즈마 도핑 방법 및 장치 失效
标题翻译：等离子体法和匹配电路的方法和装置
公开(公告)号：KR1020040007336A
公开(公告)日：2004-01-24
申请号：KR1020030047251
申请日：2003-07-11
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 오쿠무라도모히로 , 나카야마이치로 , 미즈노분지
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01J37/32412 , H01J37/321 , H01J37/32174 , H01J37/32935 , H01J37/3299 , H01L21/2236
摘要： PURPOSE: To provide a method and an apparatus for plasma doping having the superior controllability of an impurity concentration introduced on the surface of a sample, and to provide a matching circuit suitable for the method and the apparatus. CONSTITUTION: When an evacuated vessel 1 is exhausted by a pump 3, while predetermined gas is introduced from a gas supply unit 2 into the vessel 1, high-frequency power is applied to a coil 8 by a high-frequency power source 5, and while the container 1 is maintained at predetermined pressure, plasma is generated in the vessel 1, and a substrate 9 placed on a sample electrode 6 can be plasma-doped. Then, an impurity concentration can be controlled based on a measured value by an emission spectroscopic apparatus 13 and a measured value by a high-frequency voltage-measuring unit 15.
摘要翻译：目的：提供一种等离子体掺杂的方法和装置，其具有引入到样品表面上的杂质浓度的优异的可控性，并提供适用于该方法和装置的匹配电路。构成：当抽真空容器1被泵3排出时，当预定气体从气体供应单元2引入容器1中时，高频电力通过高频电源5施加到线圈8，并且当容器1保持在预定压力时，在容器1中产生等离子体，并且放置在样品电极6上的衬底9可以被等离子体掺杂。然后，可以通过发射分光装置13的测量值和高频电压测量单元15的测量值来控制杂质浓度。

7. 发明公开

KR1019970023693A 불순물도입방법및그장치와반도체장치의제조방법 失效
公开(公告)号：KR1019970023693A
公开(公告)日：1997-05-30
申请号：KR1019960045013
申请日：1996-10-10
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 미즈노분지 , 나카오카히로아키 , 다카세미치히코 , 나카야마이치로
IPC分类号： H01L21/223
摘要： 본 발명은 불활성 또는 반응성 가스를 진공조내에 도입하여 불순물 고체로부터 불순물을 발생시키는 데에 있어서, 불순물을 효율적으로 발생시켜서 고체시료의 표면부에 고농도의 불순물층을 형성할 수 있도록 하기 위한 것이다.
진공조(10) 내에 불순물로서의 붕소를 포함하는 불순물 고체(21)와 붕소가 도입되는 고체시료(12)를 유지한다. 진공조(10)의 내부에 Ar 가스를 도입하여 이 Ar가스로 이루어지는 플라스마를 발생시킨다. 불순물 고체(21)에 이 불순물 고체(21)가 플라즈마에 대하여 음극으로 되는 전압을 인가하여 플라즈마 중의 이온에 의하여 불순물 고체(21)와 스프터링함으로써, 이 불순물 고체(21)에 포함되는 붕소를 Ar가스로 이루어지는 플라즈마 중에 출입시킨다. 고체시료(12)에 이 고체시료(12)가 플라즈마에 대하여 음극으로 되는 전압을 인가하여 플라즈마 중에 혼입된 붕소를 고체 시료(12)의 표면부에 도입한다.

8. 发明授权

KR100054285B1 플라즈마 도핑방법 失效
标题翻译：等离子掺杂法
公开(公告)号：KR100054285B1
公开(公告)日：1992-09-01
申请号：KR1019880006315
申请日：1988-05-28
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 미즈노분지 , 구보다마사후미 , 나까야마이찌로 , 단노마즈오
IPC分类号： H01L21/00

9. 发明公开

KR1019890004390A 플라즈마 도우핑방법 失效
公开(公告)号：KR1019890004390A
公开(公告)日：1989-04-21
申请号：KR1019880009791
申请日：1988-08-01
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 나까야마이찌로 , 미즈노분지 , 구보다마사부미 , 탄노마스오
IPC分类号： H01L21/22
摘要： 요약 없음

10. 发明授权

KR101117375B1 플라즈마도핑방법 및 플라즈마도핑장치 有权
标题翻译：等离子体掺杂法和等离子体掺杂装置
公开(公告)号：KR101117375B1
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：KR1020100061200
申请日：2010-06-28
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 오쿠무라도모히로 , 나카야마이치로 , 미즈노분지 , 사사키유이치로
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01L21/2236 , H01J37/321 , H01J37/32412
摘要： 안정된저농도도핑이가능한플라즈마도핑방법을실현하기위해서, 진공용기내에가스공급장치로부터소정의가스를도입하면서펌프로배기를하여, 진공용기내를소정의압력으로유지하면서, 고주파전원에의해고주파전력을코일에인가한다. 진공용기내에플라즈마가발생한후, 진공용기내의압력을내려, 시료전극상에놓여진기판에대하여저농도의플라즈마도핑을한다. 또한진공용기내의압력을서서히내리는동시에고주파전력을서서히증가하여, 시료전극상에놓여진기판에대하여저농도의플라즈마도핑을한다. 또한, 시료전극에공급하는고주파전력의진행파 Pf 및반사파 Pr를고속으로샘플링하여, Pf-Pr를시간으로적분한값이미리설정한값에달한시점에서고주파전력의공급을정지한다.

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