专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

CN1847468B 大直径单晶的制备方法和装置失效
公开(公告)号：CN1847468B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200510121747.3
申请日：2005-12-02
申请人：肖特股份有限公司
发明人： B·霍佩 , M·施维策尔 , D·施普伦格 , D·韦德曼
IPC分类号： C30B13/18
CPC分类号： C30B13/18 , C30B29/20
摘要：本发明涉及一种培养具有预定取向的高熔点单晶的装置和方法，该单晶是通过浮动区法或悬浮区法从培养棒(3)培养的。该装置包括：培养棒(3)和晶核(4)，在其端部之间和与其紧邻地安装一个带状的并且设置有至少一个开口的电阻加热式加热带(6)，将其加热到晶体熔化温度，以便形成熔化区(5)，驱动机构(8、11)，以便在加热带(6)和紧邻加热带安装的晶核(4)和培养棒(3)之间产生相对移动，这样培养棒(3)的熔化液态材料通过加热带的各个开口获得，并通过冷却而在晶核(4)上引起单晶生长，和另一加热装置(15、16)，其设置在熔化区(5)的附近，以便设定熔化区(5)范围内的温度梯度。为了减小熔化区的温度梯度，所述另一加热装置(15、16)包括至少一个加热线圈(17、19)，其以射频驱动，其中这样彼此相对安装加热带(6)和各个加热线圈(17、19)，使得射频射线在加热带上耦合，以便在加热带中产生额外的感应式热输入，并且设定熔化区(5)范围的温度梯度。由此实现在加热带中感应式热输入，可以有针对地对之进行变化或改变。

2. 发明授权

CN103255472B 具有双电源加热的区熔炉热场及保温方法有权
公开(公告)号：CN103255472B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310176107.7
申请日：2013-05-11
申请人：浙江晶盛机电股份有限公司
发明人：曹建伟 , 欧阳鹏根 , 王丹涛 , 傅林坚 , 陈明杰 , 石刚 , 邱敏秀
IPC分类号： C30B13/20 , C30B13/28 , C30B29/06
CPC分类号： C30B13/18 , C30B13/20 , C30B13/28 , C30B29/06
摘要：本发明涉及半导体制造领域，旨在提供一种具有双电源加热的区熔炉热场及保温方法。该区熔炉热场包括主加热线圈和辅助加热器，辅助加热器的外形呈上下方向往复弯折的波浪状且在水平方向上围绕成圆环状，其两个端部设接口并通过电缆与辅助加热电源相连。辅助加热电源通过信号线依次连接数据分析模块和红外测温仪。本发明可解决6.5英寸以上的区熔硅单晶生长中面临的因热场分布不合理、热应力过大造成的单晶棒开裂问题，也可改善3-6英寸区熔硅单晶生长的热场分布。

3. 发明授权

CN102906315B 制造单晶片有权
公开(公告)号：CN102906315B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201180025407.4
申请日：2011-05-23
申请人：国际商业机器公司
发明人： M·T·比约克 , H·E·里埃尔 , H·施米特
IPC分类号： C30B11/10 , C30B11/12 , C30B13/18 , C30B15/08 , H01L31/18
CPC分类号： C30B15/08 , C30B11/003 , C30B11/02 , C30B11/10 , C30B11/12 , C30B13/18 , C30B15/002 , C30B21/06 , C30B29/06 , C30B29/64 , H01L31/0312 , H01L31/036 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10T117/1032
摘要：一种用于制造单晶片（11），特别地，硅片（11）的方法，包括：提供其间形成间隙（3）的至少两个孔元件（1、2）；在所述至少两个孔元件（1、2）之间的间隙（3）中提供包含硅的熔融合金（4）；在熔融合金（4）附近提供包含硅的气态前体介质（5）；在熔融合金（4）附近提供硅成核晶体（6）；以及使硅成核晶体（6）与熔融合金（4）接触。一种用于制造单晶片（11），特别地，硅片（11）的设备（10、20），包括：至少两个孔元件（1、2），其彼此相距预定距离（D）而形成间隙（3），且适合于被加热以通过表面张力使包含硅的熔融合金（4）保持在孔元件（1、2）之间的间隙（3）中；用于在熔融合金（4）附近供应包含硅的气态前体介质（5）的装置（15）；以及用于在熔融合金（2）附近保持和移动成核晶体（6）的定位装置（16）。

4. 发明公开

CN103255472A 具有双电源加热的区熔炉热场及保温方法有权
公开(公告)号：CN103255472A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310176107.7
申请日：2013-05-11
申请人：浙江晶盛机电股份有限公司
发明人：曹建伟 , 欧阳鹏根 , 王丹涛 , 傅林坚 , 陈明杰 , 石刚 , 邱敏秀
IPC分类号： C30B13/20 , C30B13/28 , C30B29/06
CPC分类号： C30B13/18 , C30B13/20 , C30B13/28 , C30B29/06
摘要：本发明涉及半导体制造领域，旨在提供一种具有双电源加热的区熔炉热场及保温方法。该区熔炉热场包括主加热线圈和辅助加热器，辅助加热器的外形呈上下方向往复弯折的波浪状且在水平方向上围绕成圆环状，其两个端部设接口并通过电缆与辅助加热电源相连。辅助加热电源通过信号线依次连接数据分析模块和红外测温仪。本发明可解决6.5英寸以上的区熔硅单晶生长中面临的因热场分布不合理、热应力过大造成的单晶棒开裂问题，也可改善3-6英寸区熔硅单晶生长的热场分布。

5. 发明公开

CN102906315A 制造单晶片有权
公开(公告)号：CN102906315A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201180025407.4
申请日：2011-05-23
申请人：国际商业机器公司
发明人： M·T·比约克 , H·E·里埃尔 , H·施米特
IPC分类号： C30B11/10 , C30B11/12 , C30B13/18 , C30B15/08 , H01L31/18
CPC分类号： C30B15/08 , C30B11/003 , C30B11/02 , C30B11/10 , C30B11/12 , C30B13/18 , C30B15/002 , C30B21/06 , C30B29/06 , C30B29/64 , H01L31/0312 , H01L31/036 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10T117/1032
摘要：一种用于制造单晶片（11），特别地，硅片（11）的方法，包括：提供其间形成间隙（3）的至少两个孔元件（1、2）；在所述至少两个孔元件（1、2）之间的间隙（3）中提供包含硅的熔融合金（4）；在熔融合金（4）附近提供包含硅的气态前体介质（5）；在熔融合金（4）附近提供硅成核晶体（6）；以及使硅成核晶体（6）与熔融合金（4）接触。一种用于制造单晶片（11），特别地，硅片（11）的设备（10、20），包括：至少两个孔元件（1、2），其彼此相距预定距离（D）而形成间隙（3），且适合于被加热以通过表面张力使包含硅的熔融合金（4）保持在孔元件（1、2）之间的间隙（3）中；用于在熔融合金（4）附近供应包含硅的气态前体介质（5）的装置（15）；以及用于在熔融合金（2）附近保持和移动成核晶体（6）的定位装置（16）。

6. 发明公开

CN1847468A 大直径单晶的制备方法和装置失效
公开(公告)号：CN1847468A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200510121747.3
申请日：2005-12-02
申请人：肖特股份有限公司
发明人： B·霍佩 , M·施维策尔 , D·施普伦格 , D·韦德曼
IPC分类号： C30B13/18
CPC分类号： C30B13/18 , C30B29/20
摘要：本发明涉及一种培养具有预定取向的高熔点单晶的装置和方法，该单晶是通过浮动区法或悬浮区法从培养棒(3)培养的。该装置包括：培养棒(3)和晶核(4)，在其端部之间和与其紧邻地安装一个带状的并且设置有至少一个开口的电阻加热式加热带(6)，将其加热到晶体熔化温度，以便形成熔化区(5)，驱动机构(8、11)，以便在加热带(6)和紧邻加热带安装的晶核(4)和培养棒(3)之间产生相对移动，这样培养棒(3)的熔化液态材料通过加热带的各个开口获得，并通过冷却而在晶核(4)上引起单晶生长，和另一加热装置(15、16)，其设置在熔化区(5)的附近，以便设定熔化区(5)范围内的温度梯度。为了减小熔化区的温度梯度，所述另一加热装置(15、16)包括至少一个加热线圈(17、19)，其以射频驱动，其中这样彼此相对安装加热带(6)和各个加热线圈(17、19)，使得射频射线在加热带上耦合，以便在加热带中产生额外的感应式热输入，并且设定熔化区(5)范围的温度梯度。由此实现在加热带中感应式热输入，可以有针对地对之进行变化或改变。

7. 发明授权

US5055157A Method of crystal ribbon growth 失效
标题翻译：晶体带生长方法
公开(公告)号：US5055157A
公开(公告)日：1991-10-08
申请号：US475395
申请日：1990-02-05
申请人： Carl E. Bleil
发明人： Carl E. Bleil
IPC分类号： C30B13/00 , C30B13/18 , C30B29/64
CPC分类号： C30B29/06 , C30B13/18 , Y10S117/912 , Y10T117/1048 , Y10T117/1068
摘要： Crystals are grown in ribbon shapes by an apparatus for supporting a film of source material, capacitive electrodes contacting the film and heat pipes in thermal contact with the electrodes for first heating the material through the electrodes to near its melting temperature and then for controllably cooling the electrodes, an rf heater using the electrodes for melting the film in a zone, a heat pipe for causing solidification along one surface of the melt zone to form a ribbon, a pulling mechanism for moving the ribbon from the melt zone, a heater for melting bulk replenishing material to replenish the melt, and an auxiliary heating device for heating the ribbon after leaving the zone to prevent dendritic growth by maintaining low axial temperature gradients.
摘要翻译：晶体通过用于支撑源材料的膜，与膜接触的电容电极和与电极热接触的热管的装置生长成带状，用于首先将材料通过电极加热至接近其熔融温度，然后可控地冷却电极，使用用于熔化区域中的膜的电极的rf加热器，用于使熔融区域的一个表面固化以形成带状物的热管，用于使熔融区域移动的拉动机构，用于熔化的加热器用于补充熔体的大量补充材料和用于在离开区域之后加热带的辅助加热装置，以通过保持低的轴向温度梯度来防止树突生长。

8. 发明授权

US4608234A Device for tensioning a thin plate 失效
标题翻译：用于张紧薄板的装置
公开(公告)号：US4608234A
公开(公告)日：1986-08-26
申请号：US651528
申请日：1984-09-17
申请人： Jean-Jacques Aubert , Alain Basset , Bernard Bechevet , Claude Roulin
发明人： Jean-Jacques Aubert , Alain Basset , Bernard Bechevet , Claude Roulin
IPC分类号： H05B3/00 , B21D25/00 , C30B13/18 , C30B35/00
CPC分类号： C30B13/18 , B21D25/00 , Y10T117/1088
摘要： A device for tensioning a thin plate comprises at least two assemblies, each having tensioning means on one end of the plate and means for rotating the end about an axis perpendicular to the plane of the plate. When this axis does not pass through the center of the end, means for the transverse translation of the end are advantageously added to the assembly. The assemblies are arranged in such a way that the plate is in equilibrium under the tension effect. The device has particular application to the tensioning of a flat resistor for producing materials.
摘要翻译：用于张紧薄板的装置包括至少两个组件，每个组件在板的一端具有张紧装置，以及用于围绕垂直于板的平面的轴旋转端部的装置。当该轴线不穿过端部的中心时，有利的是将端部的横向平移的装置加到组件上。组件以这样的方式布置，使得板在张力作用下处于平衡状态。该装置特别适用于用于生产材料的扁平电阻器的张紧。

9. 发明授权

US09487884B2 Producing a mono-crystalline sheet of semiconductor material 有权
标题翻译：生产半导体材料的单晶片
公开(公告)号：US09487884B2
公开(公告)日：2016-11-08
申请号：US13698545
申请日：2011-05-23
申请人： Mikael T. Bjoerk , Heike E. Riel , Heinz Schmid
发明人： Mikael T. Bjoerk , Heike E. Riel , Heinz Schmid
IPC分类号： C30B15/02 , C30B11/12 , C30B11/10 , C30B13/18 , C30B15/08 , H01L31/18
CPC分类号： C30B15/08 , C30B11/003 , C30B11/02 , C30B11/10 , C30B11/12 , C30B13/18 , C30B15/002 , C30B21/06 , C30B29/06 , C30B29/64 , H01L31/0312 , H01L31/036 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10T117/1032
摘要： A method for producing a mono-crystalline sheet includes providing at least two aperture elements forming a gap in between; providing a molten alloy including silicon in the gap; providing a gaseous precursor medium comprising silicon in the vicinity of the molten alloy; providing a silicon nucleation crystal in the vicinity of the molten alloy; and bringing in contact said silicon nucleation crystal and the molten alloy. A device for producing a mono-crystalline sheet includes at least two aperture elements at a predetermined distance from each other, thereby forming a gap, and being adapted to be heated for holding a molten alloy including silicon by surface tension in the gap between the aperture elements; a precursor gas supply supplies a gaseous precursor medium comprising silicon in the vicinity of the molten alloy; and a positioning device for holding and moving a nucleation crystal in the vicinity of the molten alloy.
摘要翻译：一种单晶片的制造方法包括提供在其间形成间隙的至少两个孔元件; 在间隙中提供包含硅的熔融合金; 在熔融合金附近提供包含硅的气态前体介质; 在熔融合金附近提供硅成核晶体; 并使所述硅成核晶体和熔融合金接触。用于制造单晶片的装置包括彼此隔开预定距离的至少两个孔元件，从而形成间隙，并且适于被加热以在孔之间的间隙中通过表面张力保持包括硅的熔融合金元素前体气体供应在熔融合金附近供应包含硅的气态前体介质; 以及用于保持和移动熔融合金附近的成核晶体的定位装置。

10. 发明授权

US2937216A Zone refining apparatus 失效
标题翻译：区域精炼设备
公开(公告)号：US2937216A
公开(公告)日：1960-05-17
申请号：US70617357
申请日：1957-12-30
申请人： MINNESOTA MINING & MFG
发明人： FRITTS ROBERT W , SEBASTIAN KARRER
IPC分类号： C30B13/18
CPC分类号： C30B13/18

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式