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1. 发明公开

CN101886289A 从熔体中生长硅单晶的方法和装置有权
公开(公告)号：CN101886289A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN201010154972.8
申请日：2010-03-30
申请人：硅电子股份公司
发明人： P·菲拉尔
IPC分类号： C30B15/00
CPC分类号： C30B15/14 , C30B13/28 , C30B15/00 , C30B15/10 , C30B15/203 , C30B15/206 , C30B15/305 , C30B21/06 , C30B27/02 , C30B28/10 , C30B29/06 , C30B30/04 , Y10T117/1008 , Y10T117/1068
摘要：本发明涉及一种从熔体中生长硅单晶的方法和装置。所述方法包括：在坩埚中提供所述熔体；在熔体上施加水平磁场，所述磁场在场中心C具有磁感应B；将气体在所述硅单晶与热遮蔽体之间导向熔体自由表面；并且控制所述气体流过以基本上垂直于所述磁感应B的方向延伸的熔体自由表面区域。所述的装置包括：用于承载熔体的坩埚；用于在熔体上施加水平磁场磁系统，所述磁场在磁场中心C处具有磁感应B；围绕硅单晶的热遮蔽体，该热遮蔽体具有与面对熔体自由表面的底盖连接的低端，该低端相对于坩埚轴M具有非轴对称形状，从而在硅单晶和热遮蔽体之间导向熔体自由表面的气体被底盖驱使流过熔体自由表面，所述熔体自由表面按基本上垂直于磁感应B的方向进行延伸。

2. 发明公开

CN102906315A 制造单晶片有权
公开(公告)号：CN102906315A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201180025407.4
申请日：2011-05-23
申请人：国际商业机器公司
发明人： M·T·比约克 , H·E·里埃尔 , H·施米特
IPC分类号： C30B11/10 , C30B11/12 , C30B13/18 , C30B15/08 , H01L31/18
CPC分类号： C30B15/08 , C30B11/003 , C30B11/02 , C30B11/10 , C30B11/12 , C30B13/18 , C30B15/002 , C30B21/06 , C30B29/06 , C30B29/64 , H01L31/0312 , H01L31/036 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10T117/1032
摘要：一种用于制造单晶片（11），特别地，硅片（11）的方法，包括：提供其间形成间隙（3）的至少两个孔元件（1、2）；在所述至少两个孔元件（1、2）之间的间隙（3）中提供包含硅的熔融合金（4）；在熔融合金（4）附近提供包含硅的气态前体介质（5）；在熔融合金（4）附近提供硅成核晶体（6）；以及使硅成核晶体（6）与熔融合金（4）接触。一种用于制造单晶片（11），特别地，硅片（11）的设备（10、20），包括：至少两个孔元件（1、2），其彼此相距预定距离（D）而形成间隙（3），且适合于被加热以通过表面张力使包含硅的熔融合金（4）保持在孔元件（1、2）之间的间隙（3）中；用于在熔融合金（4）附近供应包含硅的气态前体介质（5）的装置（15）；以及用于在熔融合金（2）附近保持和移动成核晶体（6）的定位装置（16）。

3. 发明授权

CN102906315B 制造单晶片有权
公开(公告)号：CN102906315B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201180025407.4
申请日：2011-05-23
申请人：国际商业机器公司
发明人： M·T·比约克 , H·E·里埃尔 , H·施米特
IPC分类号： C30B11/10 , C30B11/12 , C30B13/18 , C30B15/08 , H01L31/18
CPC分类号： C30B15/08 , C30B11/003 , C30B11/02 , C30B11/10 , C30B11/12 , C30B13/18 , C30B15/002 , C30B21/06 , C30B29/06 , C30B29/64 , H01L31/0312 , H01L31/036 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10T117/1032
摘要：一种用于制造单晶片（11），特别地，硅片（11）的方法，包括：提供其间形成间隙（3）的至少两个孔元件（1、2）；在所述至少两个孔元件（1、2）之间的间隙（3）中提供包含硅的熔融合金（4）；在熔融合金（4）附近提供包含硅的气态前体介质（5）；在熔融合金（4）附近提供硅成核晶体（6）；以及使硅成核晶体（6）与熔融合金（4）接触。一种用于制造单晶片（11），特别地，硅片（11）的设备（10、20），包括：至少两个孔元件（1、2），其彼此相距预定距离（D）而形成间隙（3），且适合于被加热以通过表面张力使包含硅的熔融合金（4）保持在孔元件（1、2）之间的间隙（3）中；用于在熔融合金（4）附近供应包含硅的气态前体介质（5）的装置（15）；以及用于在熔融合金（2）附近保持和移动成核晶体（6）的定位装置（16）。

4. 发明授权

CN101886289B 从熔体中生长硅单晶的方法和装置有权
公开(公告)号：CN101886289B
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201010154972.8
申请日：2010-03-30
申请人：硅电子股份公司
发明人： P·菲拉尔
IPC分类号： C30B15/00
CPC分类号： C30B15/14 , C30B13/28 , C30B15/00 , C30B15/10 , C30B15/203 , C30B15/206 , C30B15/305 , C30B21/06 , C30B27/02 , C30B28/10 , C30B29/06 , C30B30/04 , Y10T117/1008 , Y10T117/1068
摘要：本发明涉及一种从熔体中生长硅单晶的方法和装置。所述方法包括：在坩埚中提供所述熔体；在熔体上施加水平磁场，所述磁场在场中心C具有磁感应B；将气体在所述硅单晶与热遮蔽体之间导向熔体自由表面；并且控制所述气体流过以基本上垂直于所述磁感应B的方向延伸的熔体自由表面区域。所述的装置包括：用于承载熔体的坩埚；用于在熔体上施加水平磁场磁系统，所述磁场在磁场中心C处具有磁感应B；围绕硅单晶的热遮蔽体，该热遮蔽体具有与面对熔体自由表面的底盖连接的低端，该低端相对于坩埚轴M具有非轴对称形状，从而在硅单晶和热遮蔽体之间导向熔体自由表面的气体被底盖驱使流过熔体自由表面，所述熔体自由表面按基本上垂直于磁感应B的方向进行延伸。

5. 发明授权

US3801309A Production of eutectic bodies by unidirectional solidification 失效
标题翻译：通过非法固化生产保护体
公开(公告)号：US3801309A
公开(公告)日：1974-04-02
申请号：US3801309D
申请日：1971-11-08
申请人： TYCO LABORATORIES INC
发明人： MLAVSKY A
IPC分类号： B22D27/04 , B22D21/00 , C30B15/34 , C30B21/06 , C22C1/02
CPC分类号： C30B21/06 , C30B15/34
摘要： Eutectic bodies with controlled morphology are produced by establishing a thin liquid film of a eutectic composition on a hot supporting surface, growing a body of said composition from said film by unidirectional solidification, pulling the body away from the film at a rate consistent with the rate of solidification, and replenishing the film so as to sustain continuous growth.

6. 发明授权

US3695941A Preparation of eutectic material 失效
标题翻译：保护材料的制备
公开(公告)号：US3695941A
公开(公告)日：1972-10-03
申请号：US3695941D
申请日：1970-05-04
申请人： GEOFFREY WILLIAM GREEN , DONALD THOMAS JAMES HURLE
发明人： GREEN GEOFFREY WILLIAM , HURLE DONALD THOMAS JAMES
IPC分类号： C30B21/02 , C30B21/04 , C30B21/06 , B01J17/06
CPC分类号： C30B21/06 , C30B21/02 , C30B21/04
摘要： A METHOD OF PREPARING SOLID EUTECTIC MATERIAL BY CONTROLLED SOLIDIFICATION FROM THE MELT INCLUDES THE APPLICATION OF A STEADY DIRECTIONAL MAGNETIC FIELD TO THE LIQUIDSOLID INTERFACE IN ORDER TO REDUCE BANDING PERPENDICULAR TO THE DIRECTION OF GROWTH. THE METHOD IS APPLIED WHEN NO EXTERNAL SOURCE OF ELECTRIC CURRENT IS ELECTRICALLY CONNECTED TO THE MATERIAL, AND THE SOLIDIFICATION PROCESS MAY INCLUDE PULLING FROM THE MELT, ZONE MELTING OR NORMAL FREEZING.

7. 发明申请

US20170009372A1 PRODUCING A MONO-CRYSTALLINE SHEET OF SEMICONDUCTOR MATERIAL 审中-公开
标题翻译：生产半导体材料的单晶片
公开(公告)号：US20170009372A1
公开(公告)日：2017-01-12
申请号：US15262138
申请日：2016-09-12
申请人： International Business Machines Corporation
发明人： Mikael T. BJOERK , Heike E. RIEL , Heinz SCHMID
IPC分类号： C30B15/08 , C30B11/12 , C30B11/02 , C30B11/00 , H01L31/036 , C30B29/64 , C30B21/06 , H01L31/18 , H01L31/0312 , C30B15/00 , C30B29/06
CPC分类号： C30B15/08 , C30B11/003 , C30B11/02 , C30B11/10 , C30B11/12 , C30B13/18 , C30B15/002 , C30B21/06 , C30B29/06 , C30B29/64 , H01L31/0312 , H01L31/036 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10T117/1032
摘要： A method for producing a mono-crystalline sheet includes providing at least two aperture elements forming a gap in between; providing a molten alloy including silicon in the gap; providing a gaseous precursor medium comprising silicon in the vicinity of the molten alloy; providing a silicon nucleation crystal in the vicinity of the molten alloy; and bringing in contact said silicon nucleation crystal and the molten alloy. A device for producing a mono-crystalline sheet includes at least two aperture elements at a predetermined distance from each other, thereby forming a gap, and being adapted to be heated for holding a molten alloy including silicon by surface tension in the gap between the aperture elements; a precursor gas supply supplies a gaseous precursor medium comprising silicon in the vicinity of the molten alloy; and a positioning device for holding and moving a nucleation crystal in the vicinity of the molten alloy.
摘要翻译：一种单晶片的制造方法包括提供在其间形成间隙的至少两个孔元件; 在间隙中提供包含硅的熔融合金; 在熔融合金附近提供包含硅的气态前体介质; 在熔融合金附近提供硅成核晶体; 并使所述硅成核晶体和熔融合金接触。用于制造单晶片的装置包括彼此隔开预定距离的至少两个孔元件，从而形成间隙，并且适于被加热以在孔之间的间隙中通过表面张力保持包括硅的熔融合金元素前体气体供应在熔融合金附近供应包含硅的气态前体介质; 以及用于保持和移动熔融合金附近的成核晶体的定位装置。

8. 发明申请

US20100288185A1 Method And An Apparatus For Growing A Silicon Single Crystal From A Melt 有权
标题翻译：从熔体生长硅单晶的方法和装置
公开(公告)号：US20100288185A1
公开(公告)日：2010-11-18
申请号：US12765896
申请日：2010-04-23
申请人： Piotr Filar
发明人： Piotr Filar
IPC分类号： C30B15/14 , C30B15/20 , C30B15/10
CPC分类号： C30B15/14 , C30B13/28 , C30B15/00 , C30B15/10 , C30B15/203 , C30B15/206 , C30B15/305 , C30B21/06 , C30B27/02 , C30B28/10 , C30B29/06 , C30B30/04 , Y10T117/1008 , Y10T117/1068
摘要： Silicon single crystals are grown from the melt by providing the melt in a crucible; imposing a horizontal magnetic field on the melt; directing a gas between the single crystal and a heat shield to a melt free surface, and controlling the gas to flow over a region of the melt free surface extending in a direction substantially perpendicular to the magnetic induction. A suitable apparatus has a crucible for holding the melt; a heat shield surrounding the silicon single crystal having a lower end which is connected to a bottom cover facing a melt free surface and a non-axisymmetric shape with respect to a crucible axis, such that gas which is directed between the crystal and the heat shield to the melt free surface is forced to flow over a region of the melt which extends substantially perpendicular to the magnetic induction.
摘要翻译：通过在坩埚中提供熔体，从熔体生长硅单晶; 在熔体上施加水平磁场; 将单一晶体和隔热层之间的气体引导到无熔融表面，并且控制气体在基本上垂直于磁感应的方向延伸的无熔融表面的区域上流动。合适的装置具有用于保持熔体的坩埚; 围绕硅单晶的隔热罩具有下端，该下端连接到面向熔融物表面的底盖和相对于坩埚轴线的非轴对称形状，使得指向晶体与隔热罩之间的气体使无熔融表面被迫流过基本上垂直于磁感应延伸的熔体区域。

9. 发明授权

EP2270264B1 A method and an apparatus for growing a silicon single crystal from melt 有权
标题翻译：为通过熔融生长硅单晶的方法和设备
公开(公告)号：EP2270264B1
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：EP09006477.5
申请日：2009-05-13
申请人： Siltronic AG
发明人： Filar, Piotr, Dr.
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/30 , C30B15/14
CPC分类号： C30B15/14 , C30B13/28 , C30B15/00 , C30B15/10 , C30B15/203 , C30B15/206 , C30B15/305 , C30B21/06 , C30B27/02 , C30B28/10 , C30B29/06 , C30B30/04 , Y10T117/1008 , Y10T117/1068

10. 发明公开

EP2270264A1 A method and an apparatus for growing a silicon single crystal from melt 有权
标题翻译： Verfahren und Vorrichtung zurZüchtungeines Siliciumeinzelkristalls durch Schmelzung
公开(公告)号：EP2270264A1
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：EP09006477.5
申请日：2009-05-13
申请人： Siltronic AG
发明人： Filar, Piotr, Dr.
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/30 , C30B15/14
CPC分类号： C30B15/14 , C30B13/28 , C30B15/00 , C30B15/10 , C30B15/203 , C30B15/206 , C30B15/305 , C30B21/06 , C30B27/02 , C30B28/10 , C30B29/06 , C30B30/04 , Y10T117/1008 , Y10T117/1068
摘要： The invention disclosure relates to a method and an apparatus for growing a silicon single crystal from a melt. The method comprises providing the melt in a crucible;
imposing a horizontal magnetic field on the melt having a magnetic induction B at a field center C;
directing a gas between the silicon single crystal and a heat shield to a melt free surface, and
controlling the gas to flow over a region of the melt free surface which extends in a direction substantially perpendicular to the magnetic induction B.
The apparatus comprises a crucible for holding the melt; a heat shield surrounding the silicon single crystal, the heat shield having a lower end which is connected to a bottom cover facing a melt free surface and having a non-axisymmetric shape with respect to a crucible axis M, such that a gas which is directed between the silicon single crystal and the heat shield to the melt free surface is forced by the bottom cover to flow over a region of the melt free surface which extends in a direction substantially perpendicular to the magnetic induction B.
摘要翻译：本发明公开内容涉及从熔体生长硅单晶的方法和装置。该方法包括在坩埚中提供熔体; 在场中心C具有磁感应B的熔体上施加水平磁场; 将硅单晶和隔热层之间的气体引导到无熔融表面，并且控制气体在基本上垂直于磁感应B的方向上延伸的无熔融表面的区域上流动。该设备包括坩埚用于保持熔体; 围绕硅单晶的隔热罩，所述隔热罩具有下端，所述下端连接到面向无熔融表面并且相对于坩埚轴线M具有非轴对称形状的底盖，使得指向的气体在硅单晶和与无熔体表面之间的隔热层之间被底盖强制流过在基本上垂直于磁感应B的方向延伸的无熔体表面的区域。

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