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1. 发明公开

CN101124152A 分枝纳米晶须形成的纳米结构和制造它的方法失效
公开(公告)号：CN101124152A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200480040987.4
申请日：2004-11-18
申请人：昆南诺股份有限公司
发明人： L·I·萨米尔松 , K·W·德佩尔特
IPC分类号： B82B1/00 , B82B3/00 , C30B11/12 , C30B29/44 , C30B29/40
CPC分类号： C30B29/62 , B01J21/185 , B01J37/0238 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , C30B11/12 , C30B29/40 , C30B29/44 , C30B29/605 , H01L21/02392 , H01L21/02433 , H01L21/02543 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L31/035236 , H01L31/03529 , H01L31/101 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/24 , Y02E10/50 , Y10S438/96 , Y10S438/962 , Y10S977/754 , Y10S977/89 , Y10S977/891 , Y10S977/921 , Y10T428/25
摘要：一种形成具有树形式的纳米结构的方法，包括第一阶段和第二阶段。第一阶段包括在衬底表面上提供一个或多个催化颗粒，并经由每个催化颗粒生长第一纳米晶须。第二阶段包括在每个第一纳米晶须的周边上提供一个或多个第二催化颗粒，和从每个第二催化颗粒生长从各自第一纳米晶须的周边横向伸出的第二纳米晶须。可包括另外的阶段以生长一个或多个从前一阶段的纳米晶须伸出的另外纳米晶须。可在纳米晶须内形成异质结构。这种纳米结构可形成太阳能电池阵列或发光面板的元件，其中纳米晶须由光敏材料形成。可通过定位第一纳米晶须紧密到一起形成神经网络，从而邻近的树通过随后阶段中生长的纳米晶须接触另外一个，并且纳米晶须内的异质结形成对电流的隧道势垒。

2. 发明公开

CN102471921A 用于制造半导体晶体的方法和装置以及半导体晶体有权
公开(公告)号：CN102471921A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080033399.3
申请日：2010-07-23
申请人：住友电气工业株式会社
发明人：樱田隆 , 川濑智博
IPC分类号： C30B11/06 , C30B29/44 , H01L21/208
CPC分类号： C30B15/02 , C30B11/06 , C30B15/00 , C30B15/002 , C30B15/14 , C30B15/20 , C30B29/40 , C30B29/42 , C30B29/44 , Y10T117/1024
摘要：提供一种制造半导体晶体的方法，该方法包括：准备具有用于放置籽晶(8)和含杂质熔体(9)的底部(1b)以及具有设置于上部(1a)中并用于悬置由杂质浓度小于含杂质熔体(9)的杂质浓度的半导体材料制成的滴落原料块(11)的悬置部(2)的纵向容器(1)的步骤，以及在纵向容器(1)的纵向上建立温度梯度以熔化滴落原料块(11)，以及从接触籽晶(8)的一侧开始固化含杂质熔体(9)，同时将所制造的熔体(13)滴入含杂质容器(9)中，由此制造半导体晶体(12)。

3. 发明授权

CN102471921B 用于制造半导体晶体的方法和装置以及半导体晶体有权
公开(公告)号：CN102471921B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201080033399.3
申请日：2010-07-23
申请人：住友电气工业株式会社
发明人：樱田隆 , 川濑智博
IPC分类号： C30B11/06 , C30B29/44 , H01L21/208
CPC分类号： C30B15/02 , C30B11/06 , C30B15/00 , C30B15/002 , C30B15/14 , C30B15/20 , C30B29/40 , C30B29/42 , C30B29/44 , Y10T117/1024
摘要：提供一种制造半导体晶体的方法，该方法包括：准备具有用于放置籽晶(8)和含杂质熔体(9)的底部(1b)以及具有设置于上部(1a)中并用于悬置由杂质浓度小于含杂质熔体(9)的杂质浓度的半导体材料制成的滴落原料块(11)的悬置部(2)的纵向容器(1)的步骤，以及在纵向容器(1)的纵向上建立温度梯度以熔化滴落原料块(11)，以及从接触籽晶(8)的一侧开始固化含杂质熔体(9)，同时将所制造的熔体(13)滴入含杂质容器(9)中，由此制造半导体晶体(12)。

4. 发明授权

CN101124152B 分枝纳米晶须形成的纳米结构和制造它的方法失效
公开(公告)号：CN101124152B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN200480040987.4
申请日：2004-11-18
申请人：昆南诺股份有限公司
发明人： L·I·萨米尔松 , K·W·德佩尔特
IPC分类号： B82B1/00 , B82B3/00 , C30B11/12 , C30B29/44 , C30B29/40
CPC分类号： C30B29/62 , B01J21/185 , B01J37/0238 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , C30B11/12 , C30B29/40 , C30B29/44 , C30B29/605 , H01L21/02392 , H01L21/02433 , H01L21/02543 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L31/035236 , H01L31/03529 , H01L31/101 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/24 , Y02E10/50 , Y10S438/96 , Y10S438/962 , Y10S977/754 , Y10S977/89 , Y10S977/891 , Y10S977/921 , Y10T428/25
摘要：一种形成具有树形式的纳米结构的方法，包括第一阶段和第二阶段。第一阶段包括在衬底表面上提供一个或多个催化颗粒，并经由每个催化颗粒生长第一纳米晶须。第二阶段包括在每个第一纳米晶须的周边上提供一个或多个第二催化颗粒，和从每个第二催化颗粒生长从各自第一纳米晶须的周边横向伸出的第二纳米晶须。可包括另外的阶段以生长一个或多个从前一阶段的纳米晶须伸出的另外纳米晶须。可在纳米晶须内形成异质结构。这种纳米结构可形成太阳能电池阵列或发光面板的元件，其中纳米晶须由光敏材料形成。可通过定位第一纳米晶须紧密到一起形成神经网络，从而邻近的树通过随后阶段中生长的纳米晶须接触另外一个，并且纳米晶须内的异质结形成对电流的隧道势垒。

5. 发明申请

WO2009093418A1 化合物半導体基板の製造方法および化合物半導体基板並びに発光素子审中-公开
标题翻译：生产化合物半导体基板，复合半导体基板和发光元件的方法
公开(公告)号：WO2009093418A1
公开(公告)日：2009-07-30
申请号：PCT/JP2009/000101
申请日：2009-01-14
申请人：信越半導体株式会社 , 鈴木由佳里 , 池田淳 , 渡辺政孝
发明人：鈴木由佳里 , 池田淳 , 渡辺政孝
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/205
CPC分类号： C30B25/18 , C30B29/40 , C30B29/44 , C30B33/02 , C30B33/06 , H01L21/02395 , H01L21/02463 , H01L21/02543 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L33/0062
摘要：　本発明は、少なくとも、ＧａＡｓ基板上にＡｌＧａＩｎＰからなる４元発光層をエピタキシャル成長させる工程と、該４元発光層の前記基板と反対側となる片方の主表面（第一主面）にｐ型ＧａＰ窓層を気相成長させる工程と、前記ＧａＡｓ基板を除去する工程と、該ＧａＡｓ基板が除去された側の前記発光層の主表面（第二主面）にｎ型ＧａＰ窓層をエピタキシャル成長させる工程とを有する化合物半導体基板の製造方法において、前記ＧａＡｓ基板を除去する工程の後、前記ｎ型ＧａＰ窓層をエピタキシャル成長させる工程の前に、アンモニアを含有させた水素雰囲気で熱処理する工程を有することを特徴とする化合物半導体基板の製造方法である。これによって、順方向電圧（Ｖｆ）、安定化降下電圧（ΔＶｆ）が良好な半導体発光素子を実現することができ、また製造コストを低減することができる化合物半導体基板の製造方法が提供される。
摘要翻译：公开了一种制备化合物半导体衬底的方法，包括至少在GaAs衬底上外延生长由AlGaInP形成的第三发光层的步骤; 在四分之一发光层的远离衬底的一个主表面（第一主表面）上蒸镀p型GaP窗口层，去除GaAs衬底，并在另一个上外延生长n型GaP窗口层在GaAs衬底去除侧上的发光层的主表面（第二主表面）。制造方法的特征在于，在除去GaAs衬底的步骤之后，在外延生长n型GaP窗口层的步骤之前，进行在含有氨的氢气氛下进行热处理的步骤。根据上述结构，可以实现具有良好的正向电压（Vf）和良好的稳定下降电压（ΔVf）的半导体发光元件，并且可以降低生产成本的化合物半导体衬底的制造工艺可以提供。

6. 发明申请

WO2012164827A1 気相成長方法及び発光素子用基板の製造方法审中-公开
标题翻译：蒸气相外延法和发光元件基板制造方法
公开(公告)号：WO2012164827A1
公开(公告)日：2012-12-06
申请号：PCT/JP2012/003001
申请日：2012-05-08
申请人：信越半導体株式会社 , 川原実 , 秋山智弘 , 西山和慶
发明人：川原　実 , 秋山　智弘 , 西山　和慶
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/44 , C30B25/14 , C30B29/44 , H01L33/30
CPC分类号： H01L33/0062 , C30B25/165 , C30B25/186 , C30B29/44 , H01L21/02395 , H01L21/02463 , H01L21/02543 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262
摘要：　本発明は、気相成長装置内で基板上に、ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体層をハイドライド気相成長法によってエピタキシャル成長させる気相成長方法であって、前記ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体層のエピタキシャル成長途中に、少なくとも１回該エピタキシャル成長を中断して前記気相成長装置内のガスエッチングを行うことを特徴とする気相成長方法である。これによって、ＨＶＰＥ成長装置内の基板以外の部材への原料ガスによるＧａＰの析出数を制御することができるハイドライド気相成長方法が提供される。
摘要翻译：本发明是一种气相外延法，其中通过氢化物气相外延法在气相外延装置中的基板上外延形成III-V族化合物半导体层。在III-V族化合物半导体层的外延生长期间，中断外延生长的至少一次迭代，并且在气相外延装置内进行气体蚀刻。因此，可以将原料气体的GaP沉积量控制在HVPE生长装置内的除基板以外的部件。

7. 发明申请

WO2005054121A8 NANOSTRUCTURES FORMED OF BRANCHED NANOWHISKERS AND METHODS OF PRODUCING THE SAME 审中-公开
标题翻译：分离纳米颗粒形成的纳米微粒及其生产方法
公开(公告)号：WO2005054121A8
公开(公告)日：2005-10-27
申请号：PCT/GB2004004866
申请日：2004-11-18
申请人： BTG INT LTD , SAMUELSON LARS IVAR , DEPPERT KNUT WILFIED
发明人： SAMUELSON LARS IVAR , DEPPERT KNUT WILFIED
IPC分类号： B82B1/00 , B82B3/00 , C30B11/00 , C30B11/12 , C30B29/62 , H01L33/18 , C30B29/40 , C30B29/44
CPC分类号： C30B29/62 , B01J21/185 , B01J37/0238 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , C30B11/12 , C30B29/40 , C30B29/44 , C30B29/605 , H01L21/02392 , H01L21/02433 , H01L21/02543 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L31/035236 , H01L31/03529 , H01L31/101 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/24 , Y02E10/50 , Y10S438/96 , Y10S438/962 , Y10S977/754 , Y10S977/89 , Y10S977/891 , Y10S977/921 , Y10T428/25

8. 发明公开

EP1689668A2 NANOSTRUCTURES FORMED OF BRANCHED NANOWHISKERS AND METHODS OF PRODUCING THE SAME 审中-公开
标题翻译：制成的纳米结构及其制造方法分支的纳米晶须
公开(公告)号：EP1689668A2
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：EP04798581.7
申请日：2004-11-18
申请人： Qunamo AB
发明人： SAMUELSON, Lars, Ivar , DEPPERT, Knut, Wilfied
IPC分类号： B82B1/00 , B82B3/00 , C30B11/12 , C30B29/44 , C30B29/40
CPC分类号： C30B29/62 , B01J21/185 , B01J37/0238 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , C30B11/12 , C30B29/40 , C30B29/44 , C30B29/605 , H01L21/02392 , H01L21/02433 , H01L21/02543 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L31/035236 , H01L31/03529 , H01L31/101 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/24 , Y02E10/50 , Y10S438/96 , Y10S438/962 , Y10S977/754 , Y10S977/89 , Y10S977/891 , Y10S977/921 , Y10T428/25
摘要： A method of forming a nanostructure having the form of a tree, comprises a first stage and a second stage. The first stage includes providing one or more catalytic particles on a substrate surface, and growing a first nanowhisker via each catalytic particle. The second stage includes providing, on the periphery of each first nanowhisker, one or more second catalytic particles, and growing, from each second catalytic particle, a second nanowhisker extending transversely from the periphery of the respective first nanowhisker. Further stages may be included to grow one or more further nanowhiskers extending from the nanowhisker(s) of the preceding stage. Heterostructures may be created within the nanowhiskers. Such nanostructures may form the components of a solar cell array or a light emitting flat panel, where the nanowhiskers are formed of a photosensitive material. A neural network may be formed by positioning the first nanowhiskers close together so that adjacent trees contact one another through nanowhiskers grown in a subsequent stage, and heterojunctions within the nanowhiskers create tunnel barriers to current flow.

9. 发明公开

EP0906971A2 Method of forming a compound semiconductor material 失效
标题翻译： Verfahren zur Herstellung eines Verbindunghalbleitermaterials
公开(公告)号：EP0906971A2
公开(公告)日：1999-04-07
申请号：EP98203932.3
申请日：1992-08-21
申请人： TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
发明人： Klocek, Paul
IPC分类号： C30B11/00 , C30B29/40 , C30B29/48
CPC分类号： C30B11/00 , C30B29/40 , C30B29/42 , C30B29/44 , C30B29/48 , C30B29/64 , G02B1/02 , G02B5/207 , G02B5/208 , Y10S117/90 , Y10S148/06
摘要： An optical dome or window formed of a composition which is transmissive to infrared frequencies in the range of from about 1 micron to about 14 microns and which is relatively opaque to substantially all frequencies above about 14 microns consisting essentially of a compound taken from the class consisting of group III-V compounds doped with an element taken from the class consisting of shallow donors and having less than about 1 x 10 7 atoms/cc impurities and having less than about 1 x 10 15 parts carbon. The shallow donors are Se, Te and S, preferably Se, with the Se concentration from 5 x 10 15 atoms/cc to 2 x 10 16 atoms/cc. The group III-V compound is preferably GaAs or GaP. The group III-V compound is fabricated by providing a graphite vessel (3) containing a graphite cloth (23) with the molten group III element thereover, a shallow donor and water containing boron oxide thereover, loading the group V element into the vessel in essentially stoichiometric amounts to provide the molten compound of the group III and group V elements and cooling the molten compound progressively in a vertical direction from bottom to top to form a crystal by causing growth of the crystal from the bottom up in a vertical direction. The crystal with B 2 O 3 thereon is then placed in a vacuum to reboil the B 2 O 3 and cause it to foam. The B 2 O 3 is then easily removed from the crystal.
摘要翻译：由组合物形成的光学圆顶或窗口，该组合物透射红外频率范围为约1微米至约14微米，并且对于大约14微米以上的基本上所有频率是相对不透明的，其基本上由以下类别组成：掺杂元素的III-V族化合物，该元素取自浅供体并且具有小于约1×10 7原子/ cc杂质且具有小于约1×10 15份碳的类别。浅供体是Se，Te和S，优选Se，Se浓度为5×10 15原子/ cc至2×10 16原子/ cc。 III-V族化合物优选为GaAs或GaP。通过在其上提供含有石墨布（23）的石墨容器（3）和其上的熔融III族元素，浅供体和含有氧化硼的水，将V族元素加载到容器中来制备III-V族化合物基本上化学计量的量，以提供III族和V族元素的熔融化合物，并且从垂直方向从垂直方向向下垂直方向从下到上逐渐冷却熔融化合物以形成晶体，从而形成晶体。然后将其上具有B 2 O 3的晶体置于真空中以再沸腾B 2 O 3并使其发泡。然后容易地从晶体中除去B2O3。

10. 发明申请

WO2010118529A1 BASE STRUCTURE FOR III-V SEMICONDUCTOR DEVICES ON GROUP IV SUBSTRATES AND METHOD OF FABRICATION THEREOF 审中-公开
标题翻译：第IV组基板上的III-V半导体器件的基本结构及其制造方法
公开(公告)号：WO2010118529A1
公开(公告)日：2010-10-21
申请号：PCT/CA2010/000588
申请日：2010-04-16
申请人： ARISE TECHNOLOGIES CORPORATION , CHEONG, Dan Daeweon , KLEIMAN, Rafael Nathan , PETER, Manuela , KOMARNYCKY, Nicholas , ROBINSON, Bradley Joseph , PRESTON, John Stewart
发明人： CHEONG, Dan Daeweon , KLEIMAN, Rafael Nathan , PETER, Manuela , KOMARNYCKY, Nicholas , ROBINSON, Bradley Joseph , PRESTON, John Stewart
IPC分类号： H01L21/20 , H01L27/142 , H01L29/26 , H01L31/0328 , H01L31/10 , H01S5/32
CPC分类号： C30B25/183 , C30B23/02 , C30B23/025 , C30B29/40 , C30B29/42 , C30B29/44 , H01L31/1852 , Y02E10/544
摘要： The structure presented herein provides a base structure for semiconductor devices, in particular for III-V semiconductor devices or for a combination of III-V and Group IV semiconductor devices. The fabrication method for a base substrate comprises a buffer layer, a nucleation layer, a Group IV substrate and possibly a dopant layer. There are, in a general aspect, two growth steps: firstly the growth of a lattice-matched III-V material on a Group IV substrate, followed by secondly the growth of a lattice-mismatched III-V layer. The first layer, called the nucleation layer, is lattice-matched or closely lattice-matched to the Group IV substrate while the following layer, the buffer layer, deposited on top of the nucleation layer, is lattice-mismatched to the nucleation layer. The nucleation layer can further be used as a dopant source to the Group IV substrate, creating a p-n junction in the substrate through diffusion. Alternatively a separate dopant layer may be introduced.
摘要翻译：本文中给出的结构提供了半导体器件的基础结构，特别是对于III-V半导体器件或III-V和IV族半导体器件的组合。基底衬底的制造方法包括缓冲层，成核层，第IV族衬底和可能的掺杂剂层。在一般方面，存在两个生长步骤：首先在IV族衬底上生长晶格匹配的III-V材料，其次是晶格失配的III-V层的生长。称为成核层的第一层与第IV族基质晶格匹配或紧密地晶格匹配，而沉积在成核层顶部的下一层缓冲层与成核层晶格失配。成核层可以进一步用作第IV族衬底的掺杂剂源，通过扩散在衬底中产生p-n结。或者，可以引入单独的掺杂剂层。

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