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1. 发明公开

CN103438923A 一种人机结合的产品质量检测系统及其检测方法有权
公开(公告)号：CN103438923A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310368147.1
申请日：2013-08-21
申请人：广东电子工业研究院有限公司
发明人：袁子牧 , 袁宁新 , 徐志伟 , 季统凯
IPC分类号： G01D21/00
CPC分类号： G05B19/41875 , G05B2219/32189 , G05B2219/32216 , G06F17/50 , G06F2217/14 , Y02P90/22 , Y02P90/265
摘要：本发明涉及产品质量检测技术领域，特别涉及一种综合个人经验与仪器检验相结合的人机结合的产品质量检测系统及其检测方法。本发明在产品生产之后，导入相关的CAD模型，提交系统的数字检测部分进行检验；如果判定产品为不合格，则淘汰将产品打回重新处理；如果判定产品为合格，则提交人工检测部分交由相关质检人员进行检验；如果经人工检测该产品为合格，则直接作为良品出厂；如果经人工检测判定产品为不合格，淘汰将产品打回重新处理，并根据数字检测部分误判情况，使用系统进化部分的规则修正器修正相关规则；使用规则描述器来表述，通过规则解析器作用于系统。本发明可以综合数字化检测和个人经验的优势；可以用于数字化产品检测中。

2. 发明公开

CN102089118A 曲轴的中心孔确定方法及中心孔确定装置有权
公开(公告)号：CN102089118A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200980127063.0
申请日：2009-06-25
申请人：小松工机株式会社
发明人：义本明广
IPC分类号： B23Q17/00 , F16C3/08 , G05B19/4097
CPC分类号： F16C3/08 , B23P2700/07 , G01M1/10 , G01M1/24 , G05B19/401 , G05B19/4097 , G05B2219/32189 , G05B2219/37205 , Y02P90/22 , Y02P90/265
摘要：一种曲轴的中心孔确定方法及中心孔确定装置，能够容易且适合地确定曲轴的中心孔的位置，该中心孔确定方法用于确定由上模和下模成型得到的曲轴毛坯的中心孔，包含第一步骤至第四步骤。第一步骤，分别获取由上模和下模成型的各部位的形状数据。第二步骤，通过将各部位的测定数据与相对应的设计数据进行比较，算出因模具偏移而产生的各部位的偏移量。第三步骤，基于偏移量插补与偏移量对应的数据，从而再现实际形状数据。第四步骤，基于实际形状数据，以使曲轴毛坯的旋转平衡在规定范围内的方式确定中心孔。

3. 发明授权

CN103438923B 一种人机结合的产品质量检测系统及其检测方法有权
公开(公告)号：CN103438923B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201310368147.1
申请日：2013-08-21
申请人：广东电子工业研究院有限公司
发明人：袁子牧 , 袁宁新 , 徐志伟 , 季统凯
IPC分类号： G01D21/00
CPC分类号： G05B19/41875 , G05B2219/32189 , G05B2219/32216 , G06F17/50 , G06F2217/14 , Y02P90/22 , Y02P90/265
摘要：本发明涉及产品质量检测技术领域，特别涉及一种综合个人经验与仪器检验相结合的人机结合的产品质量检测系统及其检测方法。本发明在产品生产之后，导入相关的CAD模型，提交系统的数字检测部分进行检验；如果判定产品为不合格，则淘汰将产品打回重新处理；如果判定产品为合格，则提交人工检测部分交由相关质检人员进行检验；如果经人工检测该产品为合格，则直接作为良品出厂；如果经人工检测判定产品为不合格，淘汰将产品打回重新处理，并根据数字检测部分误判情况，使用系统进化部分的规则修正器修正相关规则；使用规则描述器来表述，通过规则解析器作用于系统。本发明可以综合数字化检测和个人经验的优势；可以用于数字化产品检测中。

4. 发明授权

CN102201323B 半导体制造的方法及系统以及制造半导体装置的方法有权
公开(公告)号：CN102201323B
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201010246707.2
申请日：2010-08-04
申请人：台湾积体电路制造股份有限公司
发明人：许志维 , 宋金宁 , 卢欣荣 , 牟忠一
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： G05B19/41875 , G05B2219/32017 , G05B2219/32189 , G05B2219/45031 , Y02P90/22
摘要：本发明提供一种半导体制造的方法及系统以及制造半导体装置的方法。该半导体制造的方法包括提供一晶片的一装置参数的一模型作为第一及第二工艺参数的一函数。该第一及第二工艺参数分别对应不同晶片特性。该方法包括根据该装置参数的一特定目标值推导该第一及第二工艺参数的目标值。该方法包括对应该第一工艺参数的该目标值实施一第一工艺。该方法包括测量该第一工艺参数的一实际值。该方法包括使用该第一工艺参数的该实际值更新该模型。使用该更新的模型推导该第二工艺参数的一修正目标值。该方法包括对应该第二工艺参数的该修正目标值实施一第二工艺。本发明能改良晶片性能与良率。

5. 发明公开

CN102201323A 半导体制造的方法及系统以及制造半导体装置的方法有权
公开(公告)号：CN102201323A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201010246707.2
申请日：2010-08-04
申请人：台湾积体电路制造股份有限公司
发明人：许志维 , 宋金宁 , 卢欣荣 , 牟忠一
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： G05B19/41875 , G05B2219/32017 , G05B2219/32189 , G05B2219/45031 , Y02P90/22
摘要：本发明提供一种半导体制造的方法及系统以及制造半导体装置的方法。该半导体制造的方法包括提供一晶片的一装置参数的一模型作为第一及第二工艺参数的一函数。该第一及第二工艺参数分别对应不同晶片特性。该方法包括根据该装置参数的一特定目标值推导该第一及第二工艺参数的目标值。该方法包括对应该第一工艺参数的该目标值实施一第一工艺。该方法包括测量该第一工艺参数的一实际值。该方法包括使用该第一工艺参数的该实际值更新该模型。使用该更新的模型推导该第二工艺参数的一修正目标值。该方法包括对应该第二工艺参数的该修正目标值实施一第二工艺。本发明能改良晶片性能与良率。

6. 发明公开

CN108292131A 对工件制造中的包括增材制造机器的机器链的控制或与之相关的改进无效
公开(公告)号：CN108292131A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680069911.7
申请日：2016-09-29
申请人：瑞尼斯豪公司
发明人：杰弗里·麦克法兰 , 拉姆库马尔·瑞瓦努尔 , 马克·白金汉
IPC分类号： G05B19/4099
CPC分类号： G05B19/4099 , G05B2219/32189 , G05B2219/32203 , G05B2219/49016 , G05B2219/49029 , G05B2219/49036
摘要：本发明涉及一种为用于制造工件的制造链(101)的机器生成指令的设备。该设备包括处理器(131)，该处理器被布置成用于：接收工件(218)的基于模型的定义(MBD)，该基于模型的定义包括几何尺寸和公差；接收用于设定增材构建设计的输入，该增材构建设计用于基于这些几何尺寸来构建该工件(218)；基于该增材构建设计来为该制造链(101)的增材制造机器(103a，103b，103c)生成增材指令；根据该增材构建设计来确定预期来自增材构建的预期中间工件产品；确定该预期中间工件产品与该工件的基于模型的定义之间的差异；并且基于该差异来为该制造链(101)的至少一个另外的机器(104、105至110)生成另外的指令。

7. 发明授权

CN102089118B 曲轴的中心孔确定方法及中心孔确定装置有权
公开(公告)号：CN102089118B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN200980127063.0
申请日：2009-06-25
申请人：小松NTC株式会社
发明人：义本明广
IPC分类号： B23Q17/00 , F16C3/08 , G05B19/4097
CPC分类号： F16C3/08 , B23P2700/07 , G01M1/10 , G01M1/24 , G05B19/401 , G05B19/4097 , G05B2219/32189 , G05B2219/37205 , Y02P90/22 , Y02P90/265
摘要：一种曲轴的中心孔确定方法及中心孔确定装置，能够容易且适合地确定曲轴的中心孔的位置，该中心孔确定方法用于确定由上模和下模成型得到的曲轴毛坯的中心孔，包含第一步骤至第四步骤。第一步骤，分别获取由上模和下模成型的各部位的形状数据。第二步骤，通过将各部位的测定数据与相对应的设计数据进行比较，算出因模具偏移而产生的各部位的偏移量。第三步骤，基于偏移量插补与偏移量对应的数据，从而再现实际形状数据。第四步骤，基于实际形状数据，以使曲轴毛坯的旋转平衡在规定范围内的方式确定中心孔。

8. 发明授权

EP1912477B1 Manufacturing methods and systems for rapid production of hearing-aid shells 有权
标题翻译： Herstellungsverfahren und System zur schnellen Erzeugung vonHörhilfegerätschalen
公开(公告)号：EP1912477B1
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：EP07121084.3
申请日：2001-10-05
申请人： Phonak AG
发明人： Fu, Ping , Nekhayev, Dmitry , Edelsbrunner, Herbert
IPC分类号： H04R25/00
CPC分类号： H04R25/658 , B29C64/00 , B33Y50/00 , B33Y50/02 , B33Y80/00 , G05B19/4099 , G05B2219/32189 , G05B2219/45172 , G05B2219/49008 , H04R25/652 , H04R2225/77 , H04R2460/11

9. 发明公开

EP1838485A4 LASER PROJECTION SYSTEM, INTELLIGENT DATA CORRECTION SYSTEM AND METHOD 审中-公开
标题翻译：激光投影系统智能数据校正系统及相应方法
公开(公告)号：EP1838485A4
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：EP06718713
申请日：2006-01-18
申请人： NIKON METROLOGY NV
发明人： MORDEN JARRAD V , RUEB KURT D
IPC分类号： B23K26/00 , F41G3/26 , G06F19/00
CPC分类号： B25H7/00 , G05B2219/32189 , G05B2219/36251 , G05B2219/37097 , G05B2219/37555 , Y02P90/22
摘要： A laser projection system, intelligent data correction system and method which corrects for differences between the as-built condition and the as-designed condition of a workpiece which includes determining the as-built condition of a workpiece with a digitizer scanner and modifying data of the as-built condition or the data of a laser projection based upon the data received from the digitizer scanner of the as-built condition. A preferred intelligent data correction system includes metrology receivers fixed relative to the digitizer scanner and the workpiece and a metrology transmitter to determine the precise location and orientation of the digitizer scanner relative to the workpiece.

10. 发明申请

US20110238197A1 DYNAMIC COMPENSATION IN ADVANCED PROCESS CONTROL 有权
标题翻译：高级过程控制中的动态补偿
公开(公告)号：US20110238197A1
公开(公告)日：2011-09-29
申请号：US12731348
申请日：2010-03-25
申请人： Chih-Wei Hsu , Jin-Ning Sung , Shin-Rung Lu , Jong-I Mou
发明人： Chih-Wei Hsu , Jin-Ning Sung , Shin-Rung Lu , Jong-I Mou
IPC分类号： G05B13/04 , G06F17/00
CPC分类号： G05B19/41875 , G05B2219/32017 , G05B2219/32189 , G05B2219/45031 , Y02P90/22
摘要： A method of semiconductor fabrication is provided. The method includes providing a model for a device parameter of a wafer as a function of first and second process parameters. The first and second process parameters correspond to different wafer characteristics, respectively. The method includes deriving target values of the first and second process parameters based on a specified target value of the device parameter. The method includes performing a first fabrication process in response to the target value of the first process parameter. The method includes measuring an actual value of the first process parameter thereafter. The method includes updating the model using the actual value of the first process parameter. The method includes deriving a revised target value of the second process parameter using the updated model. The method includes performing a second fabrication process in response to the revised target value of the second process parameter.
摘要翻译：提供了一种半导体制造方法。该方法包括提供晶片的器件参数的模型作为第一和第二工艺参数的函数。第一和第二工艺参数分别对应于不同的晶片特性。该方法包括基于设备参数的指定目标值导出第一和第二处理参数的目标值。该方法包括响应于第一过程参数的目标值执行第一制造过程。该方法包括此后测量第一处理参数的实际值。该方法包括使用第一过程参数的实际值更新模型。该方法包括使用更新的模型导出第二过程参数的修正目标值。该方法包括响应于修改的第二过程参数的目标值执行第二制造过程。

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