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1. 发明授权

CN1088940C 增益特性补偿电路失效转让
公开(公告)号：CN1088940C
公开(公告)日：2002-08-07
申请号：CN98124877.2
申请日：1998-11-27
申请人：日本电气株式会社
发明人：角田雄二 , 深泽善亮 , 田口雄一
IPC分类号： H03F1/30 , H03F3/60
CPC分类号： H03F1/301 , H03F1/223 , H03F1/56 , H03F2200/225 , H03F2200/243 , H03F2200/447 , H03F2200/63
摘要：本发明可用于补偿由环境温度变化引起的增益斜率的增益特性的波动。无须增加电路规模，也无须提高成本。作为阻值对温度敏感的部件的热敏电阻，其有效阻值随环境温度变化而呈负温度特性。本发明采用该类热敏电阻作为FET(场效应管)的栅极电阻。这种电路的功能在于使增益斜率的增益特性相对于环境温度的波动被Q值相对于环境温度的波动所抵消。因此，可以补偿随环境温度而变的增益斜率特性的波动。

2. 发明公开

CN1219022A 增益特性补偿电路失效转让
公开(公告)号：CN1219022A
公开(公告)日：1999-06-09
申请号：CN98124877.2
申请日：1998-11-27
申请人：日本电气株式会社
发明人：角田雄二 , 深泽善亮 , 田口雄一
IPC分类号： H03F1/30 , H03F3/60
CPC分类号： H03F1/301 , H03F1/223 , H03F1/56 , H03F2200/225 , H03F2200/243 , H03F2200/447 , H03F2200/63
摘要：本发明可用于补偿由环境温度变化引起的增益叙率的增益特性的波动。无须增加电路规模,也无须提高成本。作为阻值对温度敏感的部件的热敏电阻,其有效阻值随环境温度变化而呈负温度特性。本发明采用该类热敏电阻作为FET(场效应管)的栅极电阻。这种电路的功能在于使增益斜率的增益特性相对于环境温度的波动被Q值相对于环境温度的波动所抵消。因此,可以补偿随环境温度而变的增益斜率特性的波动。

3. 发明公开

CN109716648A 共源共栅放大器偏置电路有权
公开(公告)号：CN109716648A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201780056627.0
申请日：2017-07-26
申请人：派赛公司
发明人：乔纳森·克拉伦 , 普贾·韦格 , 大卫·科瓦克 , 埃里克·S·夏皮罗 , 内尔·卡兰卡 , 丹·威廉·诺贝 , 克里斯多佛·墨菲 , 罗伯特·马克·恩格尔基尔克 , 埃姆雷·艾兰哲 , 凯特·巴尔格罗夫 , 泰罗·塔皮奥·兰塔
IPC分类号： H03F3/195 , H03F3/213 , H03F3/24 , H03F1/22 , H03F1/30
CPC分类号： H03F1/223 , H03F1/301 , H03F1/56 , H03F3/193 , H03F3/195 , H03F3/213 , H03F3/245 , H03F2200/102 , H03F2200/105 , H03F2200/165 , H03F2200/18 , H03F2200/21 , H03F2200/222 , H03F2200/225 , H03F2200/243 , H03F2200/294 , H03F2200/297 , H03F2200/301 , H03F2200/306 , H03F2200/387 , H03F2200/391 , H03F2200/399 , H03F2200/42 , H03F2200/451 , H03F2200/48 , H03F2200/489 , H03F2200/492 , H03F2200/498 , H03F2200/555 , H03F2200/61 , H03F2200/78
摘要：用于硅基放大器架构的偏置电路和方法，其对电源电压变化和偏置电压变化、偏置电流变化以及晶体管堆叠高度具有耐性并且补偿不良输出电阻特性。实施方式包括利用共源共栅基准电路以在闭环偏置控制电路的控制下偏置共源共栅放大器的最终级的功率放大器和低噪声放大器。闭环偏置控制电路通过调整共源共栅放大器的最终级的栅极偏置电压来确保共源共栅基准电路中的电流近似等于已知电流值的选定倍数。基于表示共源共栅放大器和共源共栅基准电路中的晶体管器件的相对尺寸的器件比例因子，通过共源共栅放大器的最终电流是共源共栅基准电路中的电流的倍数。

4. 发明公开

CN108696255A 功率放大器无效
公开(公告)号：CN108696255A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201711429673.9
申请日：2017-12-26
申请人：三星电机株式会社
发明人：黄铉奭 , 李宗洙 , 表昇徹
IPC分类号： H03F1/32 , H03F3/21
CPC分类号： H03F1/0205 , H03F1/0261 , H03F1/301 , H03F1/3205 , H03F3/195 , H03F3/211 , H03F3/245 , H03F2200/18 , H03F2200/243 , H03F2200/366 , H03F2200/447 , H03F2200/451 , H03F3/21
摘要：本发明提供一种功率放大器，所述功率放大器包括放大电路，所述放大电路被配置为放大输入信号并且包括晶体管，所述晶体管彼此并联设置并且分为第一组的晶体管和第二组的晶体管。所述功率放大器还包括偏置电路，所述偏置电路被配置为向所述第一组的晶体管和所述第二组的晶体管中的一组供应偏置电力。

5. 发明公开

CN106487352A 数字可变电容电路、谐振电路、放大电路和发送器有权
公开(公告)号：CN106487352A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610679821.1
申请日：2016-08-17
申请人：瑞萨电子株式会社
发明人：沟神正和
IPC分类号： H03H11/04
CPC分类号： H04B1/04 , H03F3/19 , H03F3/245 , H03F2200/06 , H03F2200/09 , H03F2200/237 , H03F2200/243 , H03F2200/294 , H03F2200/399 , H03F2200/451 , H03H11/32 , H03H11/481 , H03H19/006 , H04B1/0475
摘要：本发明的目的是提供一种具有高性能的数字可变电容电路、谐振电路、放大电路和发送器。根据这个实施例的数字可变电容电路(50)是包括并联连接在两个输出端子(OUTP和OUTN)之间的多个单位电容单元(51-0至51-n)的数字可变电容电路，其中，单位电容单元(51)包括：第一电容器(Cu1)，其具有连接到一个输出端子(OUTP)的一端；第二电容器(Cu2)，其与所述第一电容器(Cu1)串联连接在所述两个输出端子之间；以及(NMOS)晶体管(M1)，其与所述第二电容器(C2)并联连接并且根据数字控制信号加以控制。

6. 发明申请

WO2008102788A1 プログラマブル低雑音増幅装置审中-公开
标题翻译：可编程低噪声放大器
公开(公告)号：WO2008102788A1
公开(公告)日：2008-08-28
申请号：PCT/JP2008/052811
申请日：2008-02-20
申请人：名古屋産業科学研究所 , 米谷昭彦
发明人：米谷昭彦
IPC分类号： H03G3/02 , H03F1/26 , H03G3/10
CPC分类号： H03F1/26 , H03F1/223 , H03F3/19 , H03F3/72 , H03F2200/243 , H03F2200/294 , H03F2200/366 , H03F2200/372 , H03F2200/451 , H03F2200/492 , H03F2200/61 , H03G1/0029 , H03G1/0088
摘要：　小型化が進むチューナに用いる低雑音増幅器は省電力化と低雑音化という性能を求められている。低雑音化を図るために、入信した信号のレベルに基づいて利得を変化させるようにすることが望ましい。また、省電力化や低電圧化を図るためにはトランジスタの縦積み段数を減らすことが必要である。そこで、ゲート接地されたトランジスタとカスコード接続された１対のトランジスタで構成される固定増幅器と、利得の絶対値が同じで固定増幅器の利得を加算する増幅器と減算する増幅器を複数個備え、スイッチでこれらの増幅器を選択することで全体の利得を可変にするとともに、トランジスタの縦積み段数を２段にしたプログラマブル利得可変低雑音増幅装置を提供する。
摘要翻译：用于小尺寸调谐器的低噪声放大器应具有省电和降噪功能。为了降低噪声，优选根据输入信号的电平改变增益。此外，为了节省功率或降低电压，需要减少晶体管的纵向分层的数量。为此，提供了一种可编程增益可变低噪声放大器，包括：由与具有接地栅极的晶体管共源共栅的一对晶体管形成的固定放大器; 以及多个放大器，其具有与放大器相同的增益绝对值，所述放大器将固定放大器的增益和减去固定放大器的增益的放大器相加。通过用开关选择放大器，可以改变增益。晶体管具有两级纵向分层。

7. 发明申请

WO2018052539A1 CASCODE AMPLIFIER BIAS CIRCUITS 审中-公开
标题翻译： CASCODE放大器偏置电路
公开(公告)号：WO2018052539A1
公开(公告)日：2018-03-22
申请号：PCT/US2017/044015
申请日：2017-07-26
申请人： PEREGRINE SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人： KLAREN, Jonathan , WAGH, Poojan , KOVAC, David , SHAPIRO, Eric S. , CALANCA, Neil , NOBBE, Dan William , MURPHY, Christopher , ENGLEKIRK, Robert Mark , AYRANCI, Emre , BARGROFF, Keith , RANTA, Tero Tapio
IPC分类号： H03F3/195 , H03F3/213 , H03F3/24 , H03F1/22 , H03F1/30
CPC分类号： H03F1/223 , H03F1/301 , H03F1/56 , H03F3/193 , H03F3/195 , H03F3/213 , H03F3/245 , H03F2200/102 , H03F2200/105 , H03F2200/165 , H03F2200/18 , H03F2200/21 , H03F2200/222 , H03F2200/225 , H03F2200/243 , H03F2200/294 , H03F2200/297 , H03F2200/301 , H03F2200/306 , H03F2200/387 , H03F2200/391 , H03F2200/399 , H03F2200/42 , H03F2200/451 , H03F2200/48 , H03F2200/489 , H03F2200/492 , H03F2200/498 , H03F2200/555 , H03F2200/61 , H03F2200/78
摘要： Bias circuits and methods for silicon-based amplifier architectures that are tolerant of supply and bias voltage variations, bias current variations, and transistor stack height, and compensate for poor output resistance characteristics. Embodiments include power amplifiers and low-noise amplifiers that utilize a cascode reference circuit to bias the final stages of a cascode amplifier under the control of a closed loop bias control circuit. The closed loop bias control circuit ensures that the current in the cascode reference circuit is approximately equal to a selected multiple of a known current value by adjusting the gate bias voltage to the final stage of the cascode amplifier. The final current through the cascode amplifier is a multiple of the current in the cascode reference circuit, based on a device scaling factor representing the relative sizes of the transistor devices in the cascode amplifier and in the cascode reference circuit.
摘要翻译：用于基于硅的放大器架构的偏置电路和方法，其耐受电源和偏置电压变化，偏置电流变化和晶体管堆叠高度，并补偿较差的输出电阻特性。实施例包括利用共源共栅基准电路在闭环偏置控制电路的控制下偏置共源共栅放大器的最后级的功率放大器和低噪声放大器。闭环偏置控制电路通过调整共射 - 共基放大器的最后级的栅极偏置电压，确保共源共栅参考电路中的电流近似等于已知电流值的选定倍数。通过级联放大器的最终电流是级联基准电路中的电流的倍数，基于表示级联放大器和级联基准电路中的晶体管器件的相对尺寸的器件缩放因子。

8. 发明申请

WO2010120594A2 HIGH-LINEARITY LOW NOISE AMPLIFIER 审中-公开
标题翻译：高线性低噪声放大器
公开(公告)号：WO2010120594A2
公开(公告)日：2010-10-21
申请号：PCT/US2010030027
申请日：2010-04-06
申请人： INTEL CORP , DUSTER JON S , TAYLOR STEWART S
发明人： DUSTER JON S , TAYLOR STEWART S
IPC分类号： H03F1/26 , H03F1/32
CPC分类号： H03F3/195 , H03F1/0255 , H03F1/0261 , H03F1/223 , H03F1/565 , H03F3/45179 , H03F2200/213 , H03F2200/216 , H03F2200/222 , H03F2200/225 , H03F2200/241 , H03F2200/243 , H03F2200/294 , H03F2200/378 , H03F2200/387 , H03F2200/391 , H03F2200/399 , H03F2200/429 , H03F2200/61 , H03F2203/45352 , H03F2203/45544 , H03F2203/45548 , H03F2203/45554 , H03F2203/45606 , H03F2203/45608 , H03F2203/45631 , H03F2203/45638 , H03F2203/45704 , H03F2203/45714
摘要： Embodiments of a high-linearity low-noise amplifier (LNA) are generally described herein. Other embodiments may be described and claimed. In some embodiments, an RF input signal may be amplified with a cascode amplifier. The cascode amplifier may include integrated notch filters to attenuate undesired signals. The cascode amplifier may operate from a large power supply when blockers are present to avoid voltage swing compression at its output. The cascode amplifier may be biased and designed to operate in a class AB mode to produce linear output current to avoid current compression or excessive current expansion.
摘要翻译：这里通常描述高线性低噪声放大器（LNA）的实施例。可以描述和要求保护其他实施例。在一些实施例中，RF输入信号可以用共源共栅放大器放大。共源共栅放大器可以包括集成陷波滤波器以衰减不需要的信号。当存在阻塞器时，共源共栅放大器可以从大电源工作，以避免其输出端的电压摆幅压缩。共源共栅放大器可以被偏置并被设计为在AB类模式下操作以产生线性输出电流，以避免电流压缩或过大的电流膨胀。

9. 发明公开

EP2992603A4 LOW NOISE AMPLIFIER METHOD AND APPARATUS 审中-公开
标题翻译： VERFAHREN UND VORRICHTUNGFÜREINEN RAUSCHARMENVERSTÄRKER
公开(公告)号：EP2992603A4
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：EP14791244
申请日：2014-05-02
申请人： COMMW SCIENT IND RES ORG
发明人： SHAW ROBERT DOUGLAS
IPC分类号： H03F1/26 , H03F1/56 , H03F3/181 , H03F3/45
CPC分类号： H03F1/565 , H03F3/45076 , H03F3/45179 , H03F2200/108 , H03F2200/241 , H03F2200/243 , H03F2200/294 , H03F2200/411 , H03F2203/45154 , H03F2203/45394

10. 发明公开

EP2992603A1 LOW NOISE AMPLIFIER METHOD AND APPARATUS 审中-公开
标题翻译：低噪声放大器方法和设备
公开(公告)号：EP2992603A1
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：EP14791244.8
申请日：2014-05-02
申请人： Commonwealth Scientific and Industrial Research Organisation
发明人： SHAW, Robert Douglas
IPC分类号： H03F1/26 , H03F3/45 , H03F3/181
CPC分类号： H03F1/565 , H03F3/45076 , H03F3/45179 , H03F2200/108 , H03F2200/241 , H03F2200/243 , H03F2200/294 , H03F2200/411 , H03F2203/45154 , H03F2203/45394
摘要： A low noise amplifier circuit including: at least a first input and first output; at least a first stage of transistor amplification having a transistor input terminal; the circuit further comprising: an input driving circuit interconnecting the first input to the transistor input terminal, the input driving circuit including a parallel resonant circuit interconnected between the transistor input terminal and ground and a series resonant circuit interconnected between the input terminal and the transistor input terminal, the input driving circuit functioning as an input matching network for the circuit in conjunction with an input bias and decoupling network.
摘要翻译：一种低噪声放大器电路，包括：至少第一输入端和第一输出端; 至少第一级晶体管放大器，具有晶体管输入端子; 所述电路进一步包括：输入驱动电路，将所述第一输入端与所述晶体管输入端子互连，所述输入驱动电路包括并联谐振电路和串联谐振电路，所述并联谐振电路在所述晶体管输入端子和地之间互连，终端，输入驱动电路与输入偏置和去耦网络一起用作电路的输入匹配网络。

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