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1. 发明公开

CN101743636A 半导体存储装置以及用于制造该半导体存储装置的方法失效转让
公开(公告)号：CN101743636A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200880017631.7
申请日：2008-03-14
申请人：先进微装置公司
发明人： H-J·卓
IPC分类号： H01L27/102
CPC分类号： H01L27/1027
摘要：本发明系提供一种用于制造存储装置的方法，包括：提供半导体基板(505)，该半导体基板包含：具有第一导电类型的第一阱区(532)、具有第一导电类型的第二阱区(534)、覆于该第一阱区(532)上的第一栅极结构(562、566)以及覆于该第二阱区(534)上的第二栅极结构(568、574)；共形地沉积绝缘材料层(569)覆于该半导体基板(505)的暴露部分上；在覆于该第二阱区(534)的一部分的该绝缘材料层(569)的一部分上方提供感光材料(575)；该感光材料(575)暴露出部分的该绝缘材料层(569)；该绝缘材料层(569)的该暴露部分系被非等向性蚀刻以提供邻接该第二栅极结构(568、574)的第一侧壁的侧壁间隔物(sidewall？spacer)(572)，以及覆于该第二栅极结构(568、574)的一部分上且邻接该第二栅极结构(568、574)的第二侧壁所形成的绝缘间隔物区块(570)；漏极区域(542)及源极/基极区域(550)系形成在该半导体基板(505)中邻接该第一栅极结构(562、566)，以及阴极区域(558)系形成在该半导体基板(505)中邻接该第二栅极结构(568、574)；该漏极区域(542)、该源极/基极区域(550)以及阴极区域(558)具有第二导电类型；第一导电类型的阳极区域(552)系形成于该源极/基极区域(550)中邻接该第二栅极结构(568、574)。

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