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1. 发明公开

CN106537507A 交叉耦合的晶闸管SRAM电路及操作方法失效
公开(公告)号：CN106537507A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201580011000.4
申请日：2015-09-25
申请人：克劳帕斯科技有限公司
发明人： H·栾 , B·贝特曼 , V·阿克赛尔拉德 , C·程 , C·谢瓦利尔
IPC分类号： G11C11/00 , G11C11/411 , G11C7/12 , G11C11/34 , G11C11/419
CPC分类号： H01L27/0623 , G11C11/39 , G11C11/4113 , G11C11/4116 , G11C11/416 , G11C11/419 , H01L21/8249 , H01L27/1025 , H01L27/1027 , H01L27/11 , H01L29/7404 , H01L29/7436
摘要：说明了用于SRAM集成电路的基于晶闸管的存储器单元连同制造它的过程。存储器单元可以在MOS与双极型选择晶体管的不同组合中或者在没有选择晶体管的情况下实施，晶闸管在具有浅槽隔离的半导体衬底中。标准CMOS工艺技术可以用于制造该SRAM。特定电路在待机过程中提供降低的功耗。

2. 发明公开

CN106170832A 交叉耦合晶闸管SRAM半导体结构及制造方法无效
公开(公告)号：CN106170832A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201580010862.5
申请日：2015-09-25
申请人：克劳帕斯科技有限公司
发明人： H·栾 , B·贝特曼 , V·阿克赛尔拉德 , C·程 , C·谢瓦利尔
IPC分类号： G11C11/00 , G11C11/411 , G11C11/419 , G11C11/34 , G11C7/12
CPC分类号： H01L27/0623 , G11C11/39 , G11C11/4113 , G11C11/4116 , G11C11/416 , G11C11/419 , H01L21/8249 , H01L27/1025 , H01L27/1027 , H01L27/11 , H01L29/7404 , H01L29/7436
摘要：说明了用于SRAM集成电路的基于晶闸管的存储器单元连同制造它的过程。存储器单元可以在MOS与双极型选择晶体管的不同组合中或者在没有选择晶体管的情况下实施，晶闸管在具有浅槽隔离的半导体衬底中。标准CMOS工艺技术可以用于制造该SRAM。特定电路在待机过程中提供降低的功耗。

3. 发明公开

CN104362150A 闸流管随机存取存储器装置及方法有权
公开(公告)号：CN104362150A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410503567.0
申请日：2011-06-28
申请人：美光科技公司
发明人：山·D·唐 , 约翰·K·查胡瑞 , 迈克尔·P·瓦奥莱特
IPC分类号： H01L27/105 , H01L27/108 , H01L21/8242
CPC分类号： H01L29/66363 , H01L27/1027 , H01L29/42308 , H01L29/74 , H01L2924/1301
摘要：本发明涉及闸流管随机存取存储器装置及方法。本发明展示存储器装置及制作存储器装置的方法。所展示的方法及配置提供经折叠及垂直存储器装置以实现增加的存储器密度。所提供的方法减少对例如深掺杂剂植入的制造方法的需要。

4. 发明公开

CN102089881A 制造基于栅控横向晶闸管的随机存取存储器(GLTRAM)单元的方法失效
公开(公告)号：CN102089881A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200980119832.2
申请日：2009-05-28
申请人：格罗方德半导体公司
发明人： H-J·曹
IPC分类号： H01L27/102 , G11C11/39 , H01L21/332 , H01L29/74 , H01L27/06
CPC分类号： H01L27/1027 , G11C11/39 , H01L27/0817
摘要：提供一种用以制造基于栅控横向晶闸管存储器装置(gltram)的方法。设置半导体层(406)，该半导体层(406)中包含第一导电性类型的第一、第二、第三和第四阱区(463、471、486、493)。第一栅极结构(465/408)覆盖该第一阱区(463)，第二栅极结构(475/408)覆盖该第二阱区(471)，第三栅极结构(485/408)覆盖该第三阱区(486)且与该第二栅极结构(475/408)成为一体，且第四栅极结构(495/408)覆盖该第四阱区(493)。形成相邻于该第一栅极结构(465/408)的第一侧壁(414)与相邻于第二到第四栅极结构(475/408、485/408、495/408)的侧壁(412、413、416、417、418、419)的侧壁间隔件(467)。此外，形成覆盖该第一阱区(463)的一部分(468)与该第一栅极结构(465/408)的一部分的绝缘间隔块(469)。该绝缘间隔块(469)相邻于该第一栅极结构(465/408)的第二侧壁(415)。形成相邻于该第一栅极结构(465/408)的第一源极区(472)，形成在该第一和第二栅极结构(465/408、475/408)之间的公共漏极/阴极区(474/464)，形成相邻于该第三栅极结构(485/408)的第二源极区(482)，形成在该第三和第四栅极结构(485/408、495/408)之间的公共漏极/源极区(484/492)，并形成相邻于该第四栅极结构(495/408)的漏极区(494)。形成延伸至相邻于在该第一栅极结构(465/408)的该绝缘间隔块(467)之下的该第一阱区(463)中的第一基极区(468)，并形成延伸至相邻于该第一基极区(468)的该第一阱区(463)中的该第一阱区(463)中的阳极区(466)。

5. 发明授权

CN105097808B 晶闸管随机存取内存失效
公开(公告)号：CN105097808B
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201510240836.3
申请日：2015-05-13
申请人：新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
发明人：卓荣发 , 陈学深 , 郭克文 , D·P-C·岑
IPC分类号： H01L27/102 , H01L21/8229
CPC分类号： H01L27/1027 , G11C11/39 , H01L29/66363 , H01L29/74
摘要：本发明涉及晶闸管随机存取内存，其中，提出数种用以形成装置的装置及方法。该装置包括：有具第一极性类型之井区的衬底，以及基于晶闸管之记忆单元。该基于晶闸管之记忆单元包括：邻近该井区具第二极性类型之至少一第一区；设置于该衬底上用作为第二字线的栅极；具该第一极性类型之至少一第一层，其系设置成邻近具该第二极性类型之该第一区且邻近该栅极；以及具该第二极性类型之至少一重掺杂第一层，其系设置于具该第一极性类型之该第一层上且邻近该栅极。至少具该第二极性类型之该重掺杂第一层与该栅极的侧面自我对齐。

6. 发明公开

CN107204368A 半导体元件结构无效
公开(公告)号：CN107204368A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201610638845.2
申请日：2016-08-05
申请人：台湾积体电路制造股份有限公司
发明人：卡罗斯·H·戴尔兹 , 尚-皮耶·柯林基 , 张琮永 , 池育德
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7827 , B82Y10/00 , H01L27/0705 , H01L27/1023 , H01L27/1027 , H01L29/0676 , H01L29/068 , H01L29/0834 , H01L29/42356 , H01L29/42376 , H01L29/42392 , H01L29/66121 , H01L29/66363 , H01L29/66439 , H01L29/66666 , H01L29/74 , H01L29/775 , H01L29/87 , H01L29/78 , H01L29/0603 , H01L29/0684 , H01L29/66477
摘要：提供了一种半导体元件结构。半导体元件结构包括具有一顶面的一基板。半导体元件结构包括位于该基板上的一第一柱状结构。该第一柱状结构包括依序堆迭在一起的一第一重度N掺杂层、一第一P掺杂层、一N掺杂层及一第一重度P掺杂层。该第一柱状结构沿一第一方向延伸远离该基板。

7. 发明授权

CN104362150B 闸流管随机存取存储器装置及方法有权
公开(公告)号：CN104362150B
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201410503567.0
申请日：2011-06-28
申请人：美光科技公司
发明人：山·D·唐 , 约翰·K·查胡瑞 , 迈克尔·P·瓦奥莱特
IPC分类号： H01L27/105 , H01L27/108 , H01L21/8242
CPC分类号： H01L29/66363 , H01L27/1027 , H01L29/42308 , H01L29/74 , H01L2924/1301
摘要：本发明涉及闸流管随机存取存储器装置及方法。本发明展示存储器装置及制作存储器装置的方法。所展示的方法及配置提供经折叠及垂直存储器装置以实现增加的存储器密度。所提供的方法减少对例如深掺杂剂植入的制造方法的需要。

8. 发明公开

CN106030715A 闸流晶体管易失性随机存取存储器及制造方法无效
公开(公告)号：CN106030715A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201580010761.8
申请日：2015-09-25
申请人：克劳帕斯科技有限公司
发明人： H·栾 , B·贝特曼 , V·阿克赛尔拉德 , C·程
IPC分类号： G11C11/00 , H01L21/76 , H01L27/00
CPC分类号： H01L27/1027 , G11C11/39 , G11C11/4026 , G11C11/406 , H01L21/76 , H01L27/1023 , H01L29/66363 , H01L29/87
摘要：本发明公开了一种使用垂直闸流晶体管的易失性存储器阵列，同时公开了制造该阵列的方法。

9. 发明授权

CN102084427B 具有独立的读取和写入存取晶体管的栅极横向晶闸管随机存取存储器(GLTRAM)单元及具有该GLTRAM的存储器器件和集成电路失效
公开(公告)号：CN102084427B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN200980120970.2
申请日：2009-05-28
申请人：超威半导体公司
发明人：赵炫真
IPC分类号： G11C11/39 , H01L27/102 , H01L27/06
CPC分类号： H01L27/1027 , G11C11/39 , H01L27/0817
摘要：提供一种存储器器件(340)，其包括写入位线(452)、读取位线(454)和至少一个存储器单元(410)。该存储器单元(410)包括写入存取晶体管(470)、耦合于该读取位线(454)并耦合于该第一写入存取晶体管(470)的读取存取晶体管(480)和耦合于该第一写入存取晶体管(470)的栅极横向晶闸管(GLT)器件(460)。通过解耦该读取和写入位线(454，452)，该存储器单元(410)阻止读取操作过程中的读取干扰，这是其许多特征之一。

10. 发明公开

CN101743636A 半导体存储装置以及用于制造该半导体存储装置的方法失效转让
公开(公告)号：CN101743636A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200880017631.7
申请日：2008-03-14
申请人：先进微装置公司
发明人： H-J·卓
IPC分类号： H01L27/102
CPC分类号： H01L27/1027
摘要：本发明系提供一种用于制造存储装置的方法，包括：提供半导体基板(505)，该半导体基板包含：具有第一导电类型的第一阱区(532)、具有第一导电类型的第二阱区(534)、覆于该第一阱区(532)上的第一栅极结构(562、566)以及覆于该第二阱区(534)上的第二栅极结构(568、574)；共形地沉积绝缘材料层(569)覆于该半导体基板(505)的暴露部分上；在覆于该第二阱区(534)的一部分的该绝缘材料层(569)的一部分上方提供感光材料(575)；该感光材料(575)暴露出部分的该绝缘材料层(569)；该绝缘材料层(569)的该暴露部分系被非等向性蚀刻以提供邻接该第二栅极结构(568、574)的第一侧壁的侧壁间隔物(sidewall？spacer)(572)，以及覆于该第二栅极结构(568、574)的一部分上且邻接该第二栅极结构(568、574)的第二侧壁所形成的绝缘间隔物区块(570)；漏极区域(542)及源极/基极区域(550)系形成在该半导体基板(505)中邻接该第一栅极结构(562、566)，以及阴极区域(558)系形成在该半导体基板(505)中邻接该第二栅极结构(568、574)；该漏极区域(542)、该源极/基极区域(550)以及阴极区域(558)具有第二导电类型；第一导电类型的阳极区域(552)系形成于该源极/基极区域(550)中邻接该第二栅极结构(568、574)。

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