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1. 发明授权

CN112703387B 降低干涉式颗粒传感器模块的误报颗粒计数的方法有权
公开(公告)号：CN112703387B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN201980056473.4
申请日：2019-06-28
申请人：罗伯特·博世有限公司 , 通快光电器件有限公司
发明人： H·斯普鲁伊特 , A·范德莱 , P·H·格拉赫 , R·沃尔夫 , R·魏斯 , M·法尔克
IPC分类号： G01N15/1434 , G01B9/02015 , G01N15/0205 , G01N15/075 , H01S5/06 , H01S5/183 , G01S7/491 , G01S7/48 , G01S17/10 , G01S17/58 , G01S17/88
摘要：本发明涉及一种降低通过干涉式颗粒传感器模块、优选是自混合干涉式颗粒传感器模块检测的误报颗粒计数的方法，其中，干涉式颗粒传感器模块包括激光器(100)和光检测器(200)，所述方法包括以下步骤：借助于激光器(100)发射激光(315)，在发射激光(315)期间向干涉式颗粒传感器模块提供高频信号，其中，高频信号的调制频率在10MHz至500MHz之间的范围内选择，在提供高频信号时，借助于光检测器(200)检测响应于发射的激光(315)的光学响应，其中，高频信号被布置为使得由定位在颗粒传感器模块的第一距离至第二距离之间的范围内的宏观物体(25)引起的检测信号相比于在不提供高频信号的情况下由位于相同位置处的宏观物体(25)引起的检测信号降低，其中，高频信号被提供到颗粒传感器模块的调谐结构，调谐结构被布置为能够在接收到高频信号时修改激光器传感器模块包括的光学谐振器的谐振频率。本发明还涉及一种相应的激光器传感器(300)、一种包括这样的激光器传感器(300)的颗粒检测器、一种包括这样的激光器传感器(300)或颗粒检测器的移动通信装置以及一种计算机程序产品。

2. 发明公开

CN112703387A 降低干涉式颗粒传感器模块的误报颗粒计数的方法有权
公开(公告)号：CN112703387A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201980056473.4
申请日：2019-06-28
申请人：罗伯特·博世有限公司 , 通快光电器件有限公司
发明人： H·斯普鲁伊特 , A·范德莱 , P·H·格拉赫 , R·沃尔夫 , R·魏斯 , M·法尔克
IPC分类号： G01N15/14 , G01B9/02 , G01N15/02 , G01N15/06 , H01S5/06 , H01S5/183 , G01S7/491 , G01S7/48 , G01S17/10 , G01S17/58 , G01S17/88
摘要：本发明涉及一种降低通过干涉式颗粒传感器模块、优选是自混合干涉式颗粒传感器模块检测的误报颗粒计数的方法，其中，干涉式颗粒传感器模块包括激光器(100)和光检测器(200)，所述方法包括以下步骤：借助于激光器(100)发射激光(315)，在发射激光(315)期间向干涉式颗粒传感器模块提供高频信号，其中，高频信号的调制频率在10MHz至500MHz之间的范围内选择，在提供高频信号时，借助于光检测器(200)检测响应于发射的激光(315)的光学响应，其中，高频信号被布置为使得由定位在颗粒传感器模块的第一距离至第二距离之间的范围内的宏观物体(25)引起的检测信号相比于在不提供高频信号的情况下由位于相同位置处的宏观物体(25)引起的检测信号降低，其中，高频信号被提供到颗粒传感器模块的调谐结构，调谐结构被布置为能够在接收到高频信号时修改激光器传感器模块包括的光学谐振器的谐振频率。本发明还涉及一种相应的激光器传感器(300)、一种包括这样的激光器传感器(300)的颗粒检测器、一种包括这样的激光器传感器(300)或颗粒检测器的移动通信装置以及一种计算机程序产品。

3. 发明公开

CN113273039A 确定激光二极管故障的激光器装置和方法审中-实审
公开(公告)号：CN113273039A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201980085714.8
申请日：2019-11-08
申请人：通快光电器件有限公司 , 罗伯特·博世有限公司
发明人： P·H·格拉赫 , S·魏登费尔德 , R·沃尔夫 , S·索夫克
IPC分类号： H01S5/00 , H01S5/183 , H01S5/026
摘要：本发明涉及一种激光器装置，所述激光器装置包括：至少一个激光二极管，其被配置为能够发射辐射，其中，辐射的输出功率取决于激光二极管驱动电流；光电二极管，其被配置为能够接收通过所述至少一个激光二极管发射的辐射，其中，接收的辐射根据接收的辐射的输出功率在光电二极管中诱发光电二极管电流；电路，其被配置为能够：测量针对激光二极管驱动电流的光电二极管电流，根据测量的光电二极管电流，计算作为所述至少一个激光二极管的实际激光器阈值电流的量度的所述至少一个激光二极管的虚拟的激光器阈值电流(Ith2)。此外，描述了一种监测激光二极管的输出功率的方法。

4. 发明公开

CN111448724A 垂直腔面发射激光器有权
公开(公告)号：CN111448724A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201880079276.X
申请日：2018-11-22
申请人：通快光电器件有限公司
发明人： P·H·格拉赫 , R·米查尔齐克 , S·巴德尔
IPC分类号： H01S5/06 , H01S5/183 , H01S5/026 , H01S5/062 , H01S5/065
摘要：本发明描述一种垂直腔面发射激光器和制造这种垂直腔面发射激光器的方法。垂直腔面发射激光器包括第一电触点(105)、第二电触点(135)和光学谐振器，所述光学谐振器包括第一分布式布拉格反射器(115)、有源层(120)、分布式异质结双极光电晶体管(125)、第二分布式布拉格反射器(130)和光学引导结构(137)，所述分布式异质结双极光电晶体管(125)包括集电极层(125a)、光敏层(125c)、基极层(125e)和发射极层，其中，分布式异质结双极光电晶体管(125)布置成使得有源层(120)与分布式异质结双极光电晶体管(125)之间存在光学耦合，以用于借助于分布式异质结双极光电晶体管(125)提供有源载流子限制，其中，光学引导结构(137)设置为能够在垂直腔面发射激光器的操作期间引导垂直腔面发射激光器的光学谐振器内的光学模式，其中，光学引导结构(137)布置在能够在垂直腔面发射激光器的操作期间借助于第一电触点(105)和第二电耦合(135)提供的电流之外，其中，光学引导结构(137)在垂直腔面发射激光器的竖直方向上布置在第一电触点(105)与第二电触点(135)之间的层序列之外。本发明还涉及一种包括这种VCSEL的光学传感器(210)和一种包括这种光学传感器(210)的移动通信装置(200)。

5. 发明授权

CN111448724B 垂直腔面发射激光器有权
公开(公告)号：CN111448724B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN201880079276.X
申请日：2018-11-22
申请人：通快光电器件有限公司
发明人： P·H·格拉赫 , R·米查尔齐克 , S·巴德尔
IPC分类号： H01S5/06 , H01S5/183 , H01S5/026 , H01S5/062 , H01S5/065
摘要：本发明描述一种垂直腔面发射激光器和制造这种垂直腔面发射激光器的方法。垂直腔面发射激光器包括第一电触点(105)、第二电触点(135)和光学谐振器，所述光学谐振器包括第一分布式布拉格反射器(115)、有源层(120)、分布式异质结双极光电晶体管(125)、第二分布式布拉格反射器(130)和光学引导结构(137)，所述分布式异质结双极光电晶体管(125)包括集电极层(125a)、光敏层(125c)、基极层(125e)和发射极层，其中，分布式异质结双极光电晶体管(125)布置成使得有源层(120)与分布式异质结双极光电晶体管(125)之间存在光学耦合，以用于借助于分布式异质结双极光电晶体管(125)提供有源载流子限制，其中，光学引导结构(137)设置为能够在垂直腔面发射激光器的操作期间引导垂直腔面发射激光器的光学谐振器内的光学模式，其中，光学引导结构(137)布置在能够在垂直腔面发射激光器的操作期间借助于第一电触点(105)和第二电耦合(135)提供的电流之外，其中，光学引导结构(137)在垂直腔面发射激光器的竖直方向上布置在第一电触点(105)与第二电触点(135)之间的层序列之外。本发明还涉及一种包括这种VCSEL的光学传感器(210)和一种包括这种光学传感器(210)的移动通信装置(200)。

6. 发明公开

CN113906641A 具有单片集成的光电二极管的垂直腔面发射激光器装置审中-实审
公开(公告)号：CN113906641A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202080041220.2
申请日：2020-05-05
申请人：通快光电器件有限公司
发明人： U·魏希曼 , P·H·格拉赫 , S·魏登费尔德 , H·J·门希
IPC分类号： H01S5/026 , H01S5/183 , H01S5/343 , G01S7/4912 , G01S17/42
摘要：本发明涉及垂直腔面发射激光器(VCSEL)装置(10)。该VCSEL装置(10)包括光学谐振器(18)、光电二极管(34)和电接触布置结构(36，38，40)。该光学谐振器(18)包括第一分布式布拉格反射器(12)、第二分布式布拉格反射器(16)和用于光发射的有源区(14)。该有源区(14)布置在该第一分布式布拉格反射器(12)与该第二分布式布拉格反射器(16)之间。该光电二极管(34)包括光吸收区(20)。该电接触布置结构(36、38、40)布置成能够提供驱动电流以对该光学谐振器(18)电泵浦，并且电接触该光电二极管(34)。该有源区(14)包括至少一个InxGa1‑xAs层，其中，0≤x

7. 发明公开

CN111801858A 具有集成光电二极管的垂直腔面发射激光器装置有权
公开(公告)号：CN111801858A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201980016943.4
申请日：2019-01-09
申请人：通快光电器件有限公司
发明人： P·H·格拉赫
IPC分类号： H01S5/026 , H01S5/183
摘要：本发明描述一种垂直腔面发射激光器(VCSEL)装置、包括VCSEL装置的光学传感器以及制造这样的VCSEL装置的方法。VCSEL装置包括第一电接触体(105)、第三电接触体(130)、第四电接触体(150)和光学谐振器。光学谐振器包括第一分布式布拉格反射器(115)、光电二极管、第二分布式布拉格反射器和用于发光的有源层(120)。有源层(120)被布置在第一分布式布拉格反射器(115)与第二分布式布拉格反射器之间。第二分布式布拉格反射器包括第一部分(125)、第二部分(135)和第三部分(145)。第一部分(125)包括具有不同折射率的至少一对成对层。所述至少一对成对层的特征在于是第二导电类型的。第二部分(135)包括具有不同折射率的至少一对成对层。所述至少一对成对层的特征在于是与第二导电类型不同的第一导电类型的。第三部分包括具有不同折射率的至少一对成对层，其中，所述至少一对成对层的特征在于是第二导电类型的。光电二极管的光吸收结构(140)被布置在第二部分(135)与第三部分(145)之间。第一电接触体(105)和另一电接触体被布置为能够提供电驱动电流，以电泵浦光学谐振器。光吸收结构(140)被布置在电驱动电流的电流路径之外。第三电接触体(130)和第四电接触体(150)被布置为能够电接触光电二极管。

8. 发明授权

CN107466431B 用于光学传感应用的安全激光设备有权转让
公开(公告)号：CN107466431B
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201680020989.X
申请日：2016-03-29
申请人：通快光电器件有限公司
发明人： H·门希 , A·魏格尔 , P·H·格拉赫
IPC分类号： H01S5/068 , H01S5/42
摘要：本发明描述了一种激光设备(100)，其包括设置在一个半导体芯片(110)上的两个到六个之间的台面(120)，其中台面(120)并联电连接。激光设备(100)被适配以使当以限定的电输入功率驱动时，至少一个台面(120)的退化导致由激光设备(100)在限定的立体角中发射的降低的激光功率。激光设备(100)被适配以使在激光设备(100)的寿命期间保证激光设备(100)的眼睛安全。可以通过设计半导体结构或更一般的激光设备(100)的台面(120)的层结构来保证眼睛的安全，使得层结构的一层或多层的退化导致在限定的立体角中发射的最大光功率的降低。备选地或附加地，可以根据发射的光功率来控制和适配提供给激光设备(100)的电输入功率，以使不超过安全限制。本发明还涉及包括这种激光设备(100)的激光模块和光学传感器(300)，和包括这种光学传感器(300)的移动通信设备(400)。本发明还涉及一种制造这种激光设备(100)的方法。

9. 发明授权

CN111801858B 具有集成光电二极管的垂直腔面发射激光器装置有权
公开(公告)号：CN111801858B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201980016943.4
申请日：2019-01-09
申请人：通快光电器件有限公司
发明人： P·H·格拉赫
IPC分类号： H01S5/026 , H01S5/183
摘要：本发明描述一种垂直腔面发射激光器(VCSEL)装置、包括VCSEL装置的光学传感器以及制造这样的VCSEL装置的方法。VCSEL装置包括第一电接触体(105)、第三电接触体(130)、第四电接触体(150)和光学谐振器。光学谐振器包括第一分布式布拉格反射器(115)、光电二极管、第二分布式布拉格反射器和用于发光的有源层(120)。有源层(120)被布置在第一分布式布拉格反射器(115)与第二分布式布拉格反射器之间。第二分布式布拉格反射器包括第一部分(125)、第二部分(135)和第三部分(145)。第一部分(125)包括具有不同折射率的至少一对成对层。所述至少一对成对层的特征在于是第二导电类型的。第二部分(135)包括具有不同折射率的至少一对成对层。所述至少一对成对层的特征在于是与第二导电类型不同的第一导电类型的。第三部分包括具有不同折射率的至少一对成对层，其中，所述至少一对成对层的特征在于是第二导电类型的。光电二极管的光吸收结构(140)被布置在第二部分(135)与第三部分(145)之间。第一电接触体(105)和另一电接触体被布置为能够提供电驱动电流，以电泵浦光学谐振器。光吸收结构(140)被布置在电驱动电流的电流路径之外。第三电接触体(130)和第四电接触体(150)被布置为能够电接触光电二极管。

10. 发明公开

CN112335142A 用于记录三维图像的SMI传感器的VCSEL装置审中-实审
公开(公告)号：CN112335142A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201980043221.8
申请日：2019-06-17
申请人：通快光电器件有限公司
发明人： P·H·格拉赫
IPC分类号： H01S5/00 , H01S5/026 , H01S5/42
摘要：本发明涉及一种用于记录三维图像的自混合干涉传感器(300)的垂直腔面发射激光器(VCSEL)装置(100)，所述VCSEL装置(100)包括VCSEL阵列、多个检测器(140)、第一电激光器接触体(105)和至少一个第二电激光器接触体(127)，其中，VCSEL阵列包括多个激光二极管(122)，其中，每个激光二极管(122)包括光学谐振器，其中，光学谐振器包括第一分布式布拉格反射器(115)、第二分布式布拉格反射器(135)和用于发光的有源层(120)，其中，有源层(120)布置在第一分布式布拉格反射器(115)和第二分布式布拉格反射器(135)之间，其中，第一电激光器接触体(105)和所述至少一个第二电激光器接触体(127)被布置为能够提供电驱动电流，以对激光二极管(122)的光学谐振器电泵浦，其中，第一电激光器接触体(105)是VCSEL阵列的所有激光二极管(122)的公共接触体，其中，所述至少一个第二电激光器接触体(127)被布置为能够与VCSEL阵列的所述多个激光二极管(122)中的至少一个子组电接触，其中，每个检测器(140)被布置为能够在接收到激光(10)时产生与至少一个激光二极管(122)相关联的电自混合干涉测量信号。本发明还涉及一种用于记录三维(3D)图像的自混合干涉传感器(300)、VCSEL装置以及一种制造这样的VCSEL装置的方法。

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