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1. 发明专利

JP2020009908A スイッチング素子ユニット及びスイッチング素子モジュール审中-公开
公开(公告)号：JP2020009908A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：JP2018129882
申请日：2018-07-09
申请人： AISIN AW CO , AISIN SEIKI
发明人： HOTTA YUTAKA , OSUGA SHINYA , KUME YASUHIRO , SHIMANO KAORU , FUKUHARA TOSHIYUKI , IKEYAMA TAKESHI
IPC分类号： H01L25/07 , H01L23/36 , H01L25/18 , H02M7/48
摘要：【課題】複数のスイッチング素子ユニットを並列接続する場合に、互いに異なるスイッチング素子ユニットが備えるスイッチング素子同士を電気的に並列接続するための電気的接続構造の簡素化を図ることが可能な技術を実現する。【解決手段】第1スイッチング素子31と第2スイッチング素子32とは、第1方向Xに並んで配置される。出力バスバー40は、第1方向Xに沿って配置される。第1スイッチング素子31及び第2スイッチング素子32は、モールド部2に埋没するように配置される。出力バスバー40は、モールド部2に埋没する埋没部40cと、スイッチング素子組20に対して第1方向Xの一方側においてモールド部2から露出する第1露出部40aと、スイッチング素子組20に対して第1方向Xの他方側においてモールド部2から露出する第2露出部40bとを有する。【選択図】図4

2. 发明专利

JP2019022330A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2019022330A
公开(公告)日：2019-02-07
申请号：JP2017138969
申请日：2017-07-18
申请人： AISIN SEIKI
发明人： SHIMANO KAORU
IPC分类号： H02M7/48 , H01L23/473
摘要：【課題】放熱効率が高く、且つ、寄生インダクタンスがより低減された、半導体装置を提供すること。【解決手段】第一トランジスタ36の両主面に、それぞれ、第一導電部材31と第二導電部材32とを接合し、第二トランジスタ37の両主面に、それぞれ、第三導電部材33と第四導電部材34を接合する。また、直流入力経路の一部を構成する第一導電部材31と直流出力経路の一部を構成する第三導電部材33とを絶縁シート8を挟んで隣接配置させる。そして、第一導電部材31に流れる電流の向きと第三導電部材33に流れる電流の向きが反対になるように、両部材を組み合わせる。【選択図】図1

3. 发明专利

JP2015024624A 被覆部材及びその製造方法审中-公开
标题翻译：涂覆部件及其制造方法
公开(公告)号：JP2015024624A
公开(公告)日：2015-02-05
申请号：JP2013156933
申请日：2013-07-29
申请人：アイシン精機株式会社 , Aisin Seiki Co Ltd , 株式会社豊田中央研究所 , Toyota Central R&D Labs Inc
发明人： SHIMANO KAORU , TACHIKAWA HIDEO , KIN SEIKI , KITAHARA MANABU , IGARASHI SHINTARO
IPC分类号： B32B5/18 , B32B15/01 , C23C8/38 , C23C28/00
摘要：【課題】簡便な方法で、基材上に被着された被膜材料の特性を損なうことなく被膜の表面に多孔質層を形成した被覆部材及びその製造方法を提供する。【解決手段】被覆部材は、基材と、該基材上に被着され、金,銀,銅,白金,パラジウムのいずれかの純金属又は合金からなり、少なくともその一部に多孔質層を有する金属被膜とを備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在薄膜表面上形成多孔层的涂覆部件，而不会通过简单的方法使形成在基材上的薄膜材料的特性劣化，以及其制造方法。涂层构件包括：基材; 以及由金，银，铜，铂和钯中的任何纯金属制成的基材上形成的金属膜或其合金，至少其一部分具有多孔层。

4. 发明专利

JP2017113828A 刃工具および刃工具の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017113828A
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：JP2015250463
申请日：2015-12-22
申请人：アイシン精機株式会社 , Aisin Seiki Co Ltd
发明人： SHIMANO KAORU , TSURUTA KENTARO
IPC分类号： B23B27/14 , B23C5/16
摘要：【課題】切り屑の凝着を防止しつつ、良好な切削性と耐久性を兼ね備えた刃工具および当該刃工具の製造方法を提供する。【解決手段】被切削物1を切削する刃先部23と刃先部23に連なるすくい面21とを備え、すくい面21は、刃先部23の全長に亘って刃先部23から所定の範囲に基材2が露出した第一領域21aと、第一領域21aに対して刃先部23とは反対側に隣接配置され、被切削物1の切り屑Kに対する摩擦係数が基材2より小さいコーティング層Cを設けた第二領域21bと、を有している。【選択図】図3

5. 发明专利

JP2012153932A Nozzle 审中-公开
标题翻译：喷嘴
公开(公告)号：JP2012153932A
公开(公告)日：2012-08-16
申请号：JP2011013295
申请日：2011-01-25
申请人： Aisin Seiki Co Ltd , アイシン精機株式会社
发明人： SUMI RYOHEI , SHIMANO KAORU
IPC分类号： C23C16/455 , H01L21/31
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a nozzle capable of suppressing the dispersion of a film thickness of an object to be processed even while reducing a time and labor of maintenance work and improving the operating rate of a plasma CVD apparatus.SOLUTION: The nozzle is attached to the plasma CVD apparatus which executes deposition processing to the surface of the object 1 to be processed, and supplies a discharge gas and a deposition gas to a discharge space where the object 1 is arranged. A discharge gas flow path 14 for supplying the discharge gas and a deposition gas flow path 16 for supplying the deposition gas are separately provided. At an end on the downstream side of the discharge gas flow path 14, a discharge gas discharge port 15 for discharging the discharge gas is formed. Furthermore, at an end on the downstream side of the deposition gas flow path 16, a deposition gas discharge port 17 for discharging the deposition gas to a region for holding or surrounding the discharge gas discharged from the discharge gas discharge port 15 is formed.
摘要翻译：解决问题：即使在减少维护工作的时间和劳动力并提高等离子体CVD装置的运转速度的同时，也能够提供能够抑制待加工物体的膜厚分散的喷嘴。解决方案：将喷嘴安装在等离子体CVD装置上，该等离子体CVD装置对待处理对象物1的表面执行沉积处理，并将放电气体和沉积气体提供给放置物体1的放电空间。分别提供用于供给放电气体的放电气体流路14和用于供给沉积气体的沉积气体流路16。在放电气体流路14的下游侧的端部形成有用于排出放电气体的放电气体排出口15。此外，在沉积气体流路16的下游侧的端部，形成有用于将沉积气体排出到用于保持或围绕从排出气体排出口15排出的排出气体的区域的沉积气体排出口17。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

6. 发明专利

JP2015026787A 冷却用部材有权
标题翻译：冷却会员
公开(公告)号：JP2015026787A
公开(公告)日：2015-02-05
申请号：JP2013156935
申请日：2013-07-29
申请人：アイシン精機株式会社 , Aisin Seiki Co Ltd
发明人： SHIMANO KAORU , TACHIKAWA HIDEO , SHIMAGUCHI HIROKO
IPC分类号： H01L23/36 , F28F13/02 , H05K7/20
CPC分类号： Y02E60/523
摘要：【課題】簡単に作製することができ、耐久性および放熱効果に優れた冷却用部材を提供する。【解決手段】基材と、基材の上に被着され、窒素(N)を含むニッケル(Ni)合金、および、金(Au),銀(Ag),銅(Cu),白金(Pt),パラジウム(Pd)の純金属又は合金のうち少なくとも一つを含む金属層と、金属層の表面に窒素を供給しつつプラズマ照射することで金属層に形成した多孔質層8と、を有する冷却用部材。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供易于制造的冷却构件，并且具有优异的耐久性和散热效果。解决方案：冷却构件包括：基材; 沉积在基材上的金属层，并且包含含氮（N）的镍（Ni）合金，以及金（Au），银（Ag），铜（Cu），铂（Pt）的纯金属中的至少一种）和钯（Pd）及其合金; 以及通过将等离子体施加到金属层的表面而同时向其供应氮而形成的多孔层8。

7. 发明专利

JP2010199131A Film forming method for thermoelectric element 有权
标题翻译：电热元件薄膜成型方法
公开(公告)号：JP2010199131A
公开(公告)日：2010-09-09
申请号：JP2009039221
申请日：2009-02-23
申请人： Aisin Seiki Co Ltd , アイシン精機株式会社
发明人： SHIMANO KAORU , SUZUKI HODO , IO KENJI
IPC分类号： H01L35/34 , C22C19/03 , H01L21/285 , H01L35/08
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a film forming method for a thermoelectric element which is lower in cost, shorter in film formation time, and higher in adhesion between the thermoelectric element and a barrier film than a conventional PVD method. SOLUTION: The film forming method for the thermoelectric element includes an etching process S1 of performing etching treatment on the thermoelectric element 1 with an etching gas, a PVD film forming process S2 of forming a PVD film 2 on the thermoelectric element 1 by a PVD method, and a plating film forming process S3 of forming the barrier film 3 by a plating method on the thermoelectric element 1 formed with the PVD film 2. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了提供成本较低，成膜时间更短的热电元件的膜形成方法以及热电元件和阻挡膜之间的粘合性比常规PVD法更高。解决方案：热电元件的成膜方法包括用蚀刻气体对热电元件1进行蚀刻处理的蚀刻工艺S1，在热电元件1上形成PVD膜2的PVD膜形成工艺S2由 PVD法，以及通过电镀法在形成有PVD膜2的热电元件1上形成阻挡膜3的镀膜形成工序S3。（C）2010，JPO＆INPIT

8. 发明专利

JP2017118050A 半導体ユニット审中-公开
公开(公告)号：JP2017118050A
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：JP2015254629
申请日：2015-12-25
申请人：アイシン精機株式会社 , Aisin Seiki Co Ltd
发明人： KAWAGUCHI MASAHIRO , SHIMANO KAORU , SUMI RYOHEI
IPC分类号： H01L23/473 , H01L23/12
摘要：【課題】流体中においてもリークパスを招くことなく安定的に冷却を行える半導体ユニットを構成する。【解決手段】電気機器に用いられ、半導体Sが基板1に支持され、半導体Sに接続する導体1bに電流が流れる方向に沿う位置の基板1の表面に撥液性を有する凹凸面Rを形成した。【選択図】図2

9. 发明专利

JP2015024625A 成形用金型及びその製造方法审中-公开
标题翻译：用于其生产方法的成型模具
公开(公告)号：JP2015024625A
公开(公告)日：2015-02-05
申请号：JP2013156934
申请日：2013-07-29
申请人：アイシン精機株式会社 , Aisin Seiki Co Ltd , 株式会社豊田中央研究所 , Toyota Central R&D Labs Inc
发明人： KIN SEIKI , TACHIKAWA HIDEO , SHIMANO KAORU , NOMURA YASUHIRO , SUZUKI HODO , KAJINO MASAKI , IWABORI HIROAKI , YAMADA HIROYUKI
IPC分类号： B29C33/38 , B22C9/06 , B22D17/22
摘要：【課題】高い密着力を有するDLC膜を備えた成形用金型及びその製造方法を提供する。【解決手段】成形用金型は、金属からなる金型本体と、該金型本体の少なくとも成形材料と接する箇所に被着され、少なくとも窒素を含むニッケル合金からなる多孔質層を有するニッケル系被膜と、該ニッケル系被膜の表面に形成されたDLC系被膜とを備える。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种具有高粘合力的DLC膜的成型模及其制造方法。成型模具包括由金属构成的模具体，至少部分地配置的镍系涂膜模具本体与成型材料接触并且具有由含氮镍合金构成的多孔层和形成在镍基涂膜的表面上的DLC型涂膜。

10. 发明专利

JP2009197279A Sputtering target 审中-公开
标题翻译：飞溅目标
公开(公告)号：JP2009197279A
公开(公告)日：2009-09-03
申请号：JP2008040848
申请日：2008-02-22
申请人： Aisin Seiki Co Ltd , アイシン精機株式会社
发明人： SHIMANO KAORU
IPC分类号： C23C14/34
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a target material wherein plating is unnecessary for a doping material in order to suppress the grain particle size of a thin film, and the cost is reduced compared with that of a conventional one.
SOLUTION: A sputtering target 10 is formed by the sintering after mixing chromium 11 (raw material powder) serving as a basic portion of a thin film 1 and chromium nitride 12 (a doping material) capable of preventing coarsening of the grain size of the raw material powder. The chromium nitride 12 of the doping material has the metal element of the same chromium 11 as the raw material and the nitrogen element which is the same component as the atmospheric gas of the sputtering.
COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

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