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1. 发明授权

KR102440918B1 반도체 장치의 제작 방법 有权
公开(公告)号：KR102440918B1
公开(公告)日：2022-09-05
申请号：KR1020140100643
申请日：2014-08-05
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786
摘要： 본발명은산화물반도체에채널이형성되는트랜지스터에안정된전기특성을부여한다. 산화물반도체에채널이형성되는트랜지스터의문턱전압의변동을억제한다. 산화물반도체에채널이형성되는 n채널형트랜지스터에서정의문턱전압을가지는노멀리오프형의스위칭소자를제공한다. 기판위에하지절연층을형성하고, 하지절연층위에산화물반도체층을형성하고, 산화물반도체층위에제 1 게이트절연층을형성하고, 제 1 게이트절연층위에, 100℃이상의기판온도로스퍼터링법또는원자층퇴적법에의해제 2 게이트절연층을형성하고, 제 2 게이트절연층위에게이트전극층을형성한다.

2. 发明授权

KR102373434B1 박막 트랜지스터 어레이 기판, 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102373434B1
公开(公告)日：2022-03-14
申请号：KR1020140154729
申请日：2014-11-07
IPC分类号： H01L27/32 , H01L29/786 , H01L21/336
摘要： 본발명은제조공정이단순하고, 신호전달이우수한박막트랜지스터어레이기판, 이를포함하는유기발광디스플레이장치및 그제조방법을위하여, 본발명의일 관점에따르면, 기판, 상기기판상에배치되고, 활성층, 게이트전극, 소스전극및 드레인전극을포함하며, 상기게이트전극과상기소스전극및 드레인전극사이에제1절연막이개재되고, 상기소스전극및 드레인전극은상기활성층과상기제1절연막사이에개재되는, 박막트랜지스터, 상기기판상에배치되며하부전극및 상부전극을포함하는커패시터및 상기박막트랜지스터와전기적으로연결되는화소전극을구비하는, 박막트랜지스터어레이기판을제공한다.

3. 发明授权

KR102337370B1 반도체 소자 및 반도체 소자의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102337370B1
公开(公告)日：2021-12-09
申请号：KR1020140143178
申请日：2014-10-22
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
摘要： 산화물반도체소자는기판, 기판상에배치되는게이트전극, 게이트전극을덮으며, 기판상에배치되는게이트절연층, 게이트절연층상에배치되며, 산화물반도체를포함하는액티브층, 액티브층을덮으며, 게이트절연층상에배치되는층간절연막, 층간절연막상에배치되며, 복수의금속산화물층들을포함하는보호구조및 보호구조상에배치되며, 액티브층의소스영역및 드레인영역에각기접촉되는소스전극및 드레인전극을구비한다.

4. 发明授权

KR102329267B1 박막트랜지스터 기판, 이를 구비한 디스플레이 장치, 박막트랜지스터 기판 제조방법 및 디스플레이 장치 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102329267B1
公开(公告)日：2021-11-22
申请号：KR1020140130337
申请日：2014-09-29
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/32
摘要： 본발명은높은이동도등의우수한성능을가진박막트랜지스터기판, 이를구비한디스플레이장치, 박막트랜지스터기판제조방법및 디스플레이장치제조방법을위하여, 기판과, 상기기판상에배치되며상호이격된제1가지전극과제2가지전극을갖는제1게이트전극과, 상기제1게이트전극과절연되도록상기제1게이트전극상부에배치된폴리실리콘층과, 상기폴리실리콘층과절연되도록상기폴리실리콘층상부에배치되며상기제1가지전극과상기제2가지전극에대응하는제2게이트전극을구비하는, 박막트랜지스터기판, 이를구비한디스플레이장치, 박막트랜지스터기판제조방법및 디스플레이장치제조방법을제공한다.

5. 发明授权

KR102320392B1 박막 트랜지스터 기판 및 박막 트랜지스터 기판 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102320392B1
公开(公告)日：2021-11-01
申请号：KR1020140140965
申请日：2014-10-17
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
摘要： 본발명의일 실시예에따른박막트랜지스터기판이제공된다. 박막트랜지스터기판은게이트배선, 게이트배선과교차하는데이터배선, 게이트배선과적어도일부가평행한공통전극배선을포함한다. 게이트배선과데이터배선이교차하는영역에는박막트랜지스터가배치된다. 게이트배선및 공통전극배선각각은, 게이트배선과데이터배선사이의단락불량시 정상적인전기적연결을제공하기위한연결영역및 게이트배선및 공통전극배선이커팅되는커팅영역을갖는다. 연결영역과커팅영역을통해, 공통전극배선의일부를데이터배선불량을리페어하는데활용할수 있다. 이에따라, 데이터배선불량이발생하더라도리페어된박막트랜지스터기판을제공할수 있어공정상의제조수율이향상될수 있다.

6. 发明授权

KR102303957B1 산화물 반도체 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102303957B1
公开(公告)日：2021-09-27
申请号：KR1020140132058
申请日：2014-09-30
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/32
摘要： 본발명에의한산화물반도체박막트랜지스터는반도체층, 게이트절연막, 게이트전극, 층간절연층그리고소스/드레인전극을포함한다. 반도체층은채널영역과채널영역의양측에이웃하는소스/드레인영역으로정의된다. 게이트절연막은반도체층 위에서소스/드레인영역일부및 채널영역과중첩된다. 게이트전극은게이트절연막위에서채널영역과소스/드레인영역중 채널영역과중첩된다. 층간절연층은게이트전극, 게이트절연막및 반도체층을덮는다. 소스/드레인전극은층간절연층위에서소스/드레인영역과각각접속한다..

7. 发明授权

KR102304824B1 반도체 장치 有权
公开(公告)号：KR102304824B1
公开(公告)日：2021-09-23
申请号：KR1020140098482
申请日：2014-07-31
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
摘要： 본발명은, 산화물반도체에채널이형성되는트랜지스터에안정된전기특성을부여한다. 또는, 산화물반도체에채널이형성되는트랜지스터의문턱전압의변동을억제한다. 또는, 산화물반도체에채널이형성되는 n채널형의트랜지스터에있어서양의문턱전압을갖는, 노멀리오프형의스위칭소자를적용한다. 반도체층과, 반도체층과중첩되는게이트전극과, 반도체층및 게이트전극사이에위치하는제 1 게이트절연층과, 제 1 게이트절연층및 게이트전극사이에위치하는제 2 게이트절연층을갖는반도체장치로한다. 또한, 제 1 게이트절연층은질소의함유량이 5 원자% 이하인산화물을포함하고, 제 2 게이트절연층은전하포획준위를갖는구성으로한다.

8. 发明授权

KR102280266B1 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 채용한 유기 발광 표시 장치 有权
公开(公告)号：KR102280266B1
公开(公告)日：2021-07-22
申请号：KR1020140114520
申请日：2014-08-29
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/32
摘要： 박막트랜지스터어레이기판및 이를채용한유기발광표시장치를개시한다. 본발명의일 실시예에따른박막트랜지스터어레이기판은적어도하나의박막트랜지스터를포함하며, 상기박막트랜지스터는, 기판; 기판상의소스영역, 채널영역, 및드레인영역을포함하는반도체패턴; 상기반도체패턴을덮는게이트절연막; 상기반도체패턴과절연되고, 상기채널영역의적어도하나의측면에배치되는측면게이트전극; 및상기게이트절연막상에배치되며, 상기반도체패턴과적어도일부가중첩되는상부게이트전극; 을포함하며, 상기측면게이트전극및 상기상부게이트전극은전기적으로연결된다.

9. 发明授权

KR102279711B1 반도체 장치의 레이아웃 방법, 포토 마스크 및 이를 이용하여 제조된 반도체 장치 有权
公开(公告)号：KR102279711B1
公开(公告)日：2021-07-21
申请号：KR1020140028462
申请日：2014-03-11
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/027
摘要： 본발명은반도체장치의레이아웃방법및 이를이용하여제조된반도체장치를제공한다. 이방법에서는실제제조공정에서넓게형성될것으로예상되는최외곽활성영역의게이트전극용주패턴에보조패턴들을배치시킨다.

10. 发明授权

KR102245996B1 디지털 엑스레이 검출기용 박막 트랜지스터 어레이 기판과 이의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102245996B1
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：KR1020140157854
申请日：2014-11-13
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 이소형 , 장윤경 , 김민철 , 정호영 , 유하진 , 양정석
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L31/115
摘要： 본발명은디지털엑스레이검출기용박막트랜지스터어레이기판을제공한다. 디지털엑스레이검출기용박막트랜지스터어레이기판은박막트랜지스터, 공통전극층, 층간절연막, 접지전극층, 평탄화막및 하부전극층을포함한다. 박막트랜지스터는기판상에위치하고산화물의제1반도체층, 게이트전극, 제1전극및 제2전극을갖는다. 공통전극층은제1반도체층으로부터연장되고도체화된다. 층간절연막은박막트랜지스터및 공통전극층상에위치한다. 접지전극층은공통전극층과대응되는영역의층간절연막상에위치한다. 평탄화막은층간절연막과접지전극층상에위치하며박막트랜지스터의제2전극을노출한다. 하부전극층은평탄화막상에위치하고공통전극층에연결된다.

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