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2. 发明专利

TW201814856A 採用成型中介層的晶圓級封裝审中-公开
简体标题：采用成型中介层的晶圆级封装
公开(公告)号：TW201814856A
公开(公告)日：2018-04-16
申请号：TW105141171
申请日：2016-12-13
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：施信益 , SHIH, SHING-YIH
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/28
CPC分类号： H01L23/49838 , H01L21/4853 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/565 , H01L21/6835 , H01L23/3114 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49894 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L2221/68331 , H01L2221/68345 , H01L2221/68372 , H01L2224/16227 , H01L2924/1205 , H01L2924/1206 , H01L2924/1207
摘要：本發明披露一種成型中介層，包含：一第一成型模料層，具有一第一面及一相對於第一面的第二面；一第一重佈線層結構，設於第一面上；一第二重佈線層結構，設於第二面上；複數個金屬插塞，埋設於第一成型模料層中，以電連接第一重佈線層結構與第二重佈線層結構；以及一被動元件，埋設於第一成型模料層中。
简体摘要：本发明披露一种成型中介层，包含：一第一成型模料层，具有一第一面及一相对于第一面的第二面；一第一重布线层结构，设于第一面上；一第二重布线层结构，设于第二面上；复数个金属插塞，埋设于第一成型模料层中，以电连接第一重布线层结构与第二重布线层结构；以及一被动组件，埋设于第一成型模料层中。

3. 发明专利

TWI619792B 半導體裝置製造用暫時接合用積層體、及半導體裝置之製造方法有权
简体标题：半导体设备制造用暂时接合用积层体、及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI619792B
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW103110275
申请日：2014-03-19
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：小山一郎 , KOYAMA, ICHIRO , 岩井悠 , IWAI, YU , 藤牧一廣 , FUJIMAKI, KAZUHIRO
IPC分类号： C09J7/02 , B32B7/06 , B32B7/10 , H01L21/68
CPC分类号： H01L21/6835 , C09J4/00 , C09J123/16 , C09J125/14 , H01L21/324 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834

4. 发明专利

TW201813033A 半導體封裝以及製造其之方法审中-公开
简体标题：半导体封装以及制造其之方法
公开(公告)号：TW201813033A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106145325
申请日：2015-08-21
申请人：美商艾馬克科技公司 , AMKOR TECHNOLOGY, INC.
发明人：凱利麥可 , KELLY, MICHAEL , 海納大衛 , HINER, DAVID , 休莫勒羅納 , HUEMOELLER, RONALD , 聖艾曼德羅傑 , ST. AMAND, ROGER
IPC分类号： H01L23/485 , H01L23/31
CPC分类号： H01L23/49838 , H01L21/4853 , H01L21/486 , H01L21/6835 , H01L23/3121 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L25/071 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68345 , H01L2221/68377 , H01L2221/68381 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81005 , H01L2224/83005 , H01L2224/92125 , H01L2924/0002 , H01L2924/15192 , H01L2924/1531 , H01L2924/18161 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105
摘要：一種半導體裝置結構以及一種用於製造一半導體裝置之方法。作為非限制性的例子，此揭露內容的各種特點係提供各種的半導體封裝結構、以及用於製造其之方法，其係包括一薄的細微間距的重新分佈結構。
简体摘要：一种半导体设备结构以及一种用于制造一半导体设备之方法。作为非限制性的例子，此揭露内容的各种特点系提供各种的半导体封装结构、以及用于制造其之方法，其系包括一薄的细微间距的重新分布结构。

5. 发明专利

TW201811970A 包括氟有機聚矽氧烷之黏著劑剝離層审中-公开
简体标题：包括氟有机聚硅氧烷之黏着剂剥离层
公开(公告)号：TW201811970A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106113853
申请日：2017-04-26
申请人：道康寧公司 , DOW CORNING CORPORATION
发明人：金智娜 , KIM, GINAM , 劉俊英 , LIU, JUNYING
IPC分类号： C09J183/08 , C09J183/14 , G02F1/1335
CPC分类号： C09J183/08 , C08G77/12 , C08G77/20 , C08G77/385 , C08L83/00 , H01L21/6835
摘要：所揭示之各種具體實例關於一種黏著劑剝離層，其包括氟有機聚矽氧烷，且關於諸如用於顯示裝置基材加工之方法的相關態樣。在各種具體實例中係一種加工顯示裝置基材之方法。該方法可包括利用黏著劑剝離層將該顯示裝置基材固定至載體基材，該黏著劑剝離層包括前驅物黏著劑組成物之固化產物。該前驅物黏著劑組成物可包括組分(A)，氫有機聚矽氧烷。該前驅物黏著劑組成物亦可包括組分(B)，(C2-C20)烯基官能化有機聚矽氧烷，其中該(C2-C20)烯基係未經插入或經1、2、或3個獨立地選自以下之基團插入：-O-、-S-、經取代或未經取代之-NH-、-(O-(C2-C3)伸烷基)n-(其中n係1至1,000)、-Si((C1-C5)烷氧基)2-、及-Si((C1-C5)烷基)2-。組分(A)及組分(B)之至少一者可係氟有機聚矽氧烷。
简体摘要：所揭示之各种具体实例关于一种黏着剂剥离层，其包括氟有机聚硅氧烷，且关于诸如用于显示设备基材加工之方法的相关态样。在各种具体实例中系一种加工显示设备基材之方法。该方法可包括利用黏着剂剥离层将该显示设备基材固定至载体基材，该黏着剂剥离层包括前驱物黏着剂组成物之固化产物。该前驱物黏着剂组成物可包括组分(A)，氢有机聚硅氧烷。该前驱物黏着剂组成物亦可包括组分(B)，(C2-C20)烯基官能化有机聚硅氧烷，其中该(C2-C20)烯基系未经插入或经1、2、或3个独立地选自以下之基团插入：-O-、-S-、经取代或未经取代之-NH-、-(O-(C2-C3)伸烷基)n-(其中n系1至1,000)、-Si((C1-C5)烷氧基)2-、及-Si((C1-C5)烷基)2-。组分(A)及组分(B)之至少一者可系氟有机聚硅氧烷。

7. 发明专利

TW201810601A 用於堆疊積體電路總成中之器件的方法及裝置审中-公开
简体标题：用于堆栈集成电路总成中之器件的方法及设备
公开(公告)号：TW201810601A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106121055
申请日：2017-06-23
申请人：英帆薩斯公司 , INVENSAS CORPORATION
发明人：烏卓塞普里昂艾米卡 , UZOH, CYPRIAN EMEKA
IPC分类号： H01L25/065 , H01L23/053
CPC分类号： H01L21/6835 , H01L21/67092 , H01L21/67144 , H01L24/75 , H01L24/95 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68313 , H01L2221/68354 , H01L2221/68363 , H01L2224/7501 , H01L2224/753 , H01L2224/7598 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517
摘要：本案提供用於堆疊積體電路總成中之器件的方法及裝置。用於支撐半導體材料之多個晶粒的托盤實現所述晶粒之頂側處理及底側處理兩者。所述晶粒可經取出及放置以用於接合在基板或晶粒堆疊上，而不倒轉所述晶粒，從而避免來自所述晶粒之切割邊緣的微粒碎屑干擾及污染接合製程。在一實行方案中，升離裝置引導氣動氣流以自該托盤提升所述晶粒以用於接合至基板及預先接合的晶粒，而不倒轉所述晶粒。一示例性系統允許在單個循環中處理所述晶粒之頂部表面及底部表面兩者以為接合作準備，且隨後將所述晶粒向上氣動地提升至目標基板，以使得在晶粒堆疊之有效及無倒轉組裝中，所述晶粒之頂側接合至前批晶粒之底側。
简体摘要：本案提供用于堆栈集成电路总成中之器件的方法及设备。用于支撑半导体材料之多个晶粒的托盘实现所述晶粒之顶侧处理及底侧处理两者。所述晶粒可经取出及放置以用于接合在基板或晶粒堆栈上，而不倒转所述晶粒，从而避免来自所述晶粒之切割边缘的微粒碎屑干扰及污染接合制程。在一实行方案中，升离设备引导气动气流以自该托盘提升所述晶粒以用于接合至基板及预先接合的晶粒，而不倒转所述晶粒。一示例性系统允许在单个循环中处理所述晶粒之顶部表面及底部表面两者以为接合作准备，且随后将所述晶粒向上气动地提升至目标基板，以使得在晶粒堆栈之有效及无倒转组装中，所述晶粒之顶侧接合至前批晶粒之底侧。

8. 发明专利

TW201807753A 半導體封裝及其形成方法审中-公开
简体标题：半导体封装及其形成方法
公开(公告)号：TW201807753A
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW106114167
申请日：2017-04-28
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：邵棟樑 , SHAO, TUNG-LIANG , 董志航 , TUNG, CHIH-HANG , 余振華 , YU, CHEN-HUA
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01L23/544 , H01L21/481 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L23/5389 , H01L24/20 , H01L24/81 , H01L24/82 , H01L25/0655 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68354 , H01L2223/54426
摘要：半導體封裝及其形成方法。實施例包括在第一基板中形成第一凹陷部，其中所述第一凹陷部的開口的第一面積大於所述第一凹陷部的底部的第二面積。所述實施例亦包括形成第一元件，其中所述第一元件的頂端的第三面積大於所述第一元件的底端的第四面積。實施例亦包括：將所述第一元件放置至所述第一凹陷部中，其中所述第一元件的所述底端面對所述第一凹陷部的所述底部；以及將所述第一元件的側壁接合至所述第一凹陷部的側壁。
简体摘要：半导体封装及其形成方法。实施例包括在第一基板中形成第一凹陷部，其中所述第一凹陷部的开口的第一面积大于所述第一凹陷部的底部的第二面积。所述实施例亦包括形成第一组件，其中所述第一组件的顶端的第三面积大于所述第一组件的底端的第四面积。实施例亦包括：将所述第一组件放置至所述第一凹陷部中，其中所述第一组件的所述底端面对所述第一凹陷部的所述底部；以及将所述第一组件的侧壁接合至所述第一凹陷部的侧壁。

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