专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

US08541826B2 Memory array structure and method for forming the same 有权
标题翻译：存储器阵列结构及其形成方法
公开(公告)号：US08541826B2
公开(公告)日：2013-09-24
申请号：US13576944
申请日：2012-07-10
申请人： Liyang Pan , Haozhi Ma
发明人： Liyang Pan , Haozhi Ma
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/8239
CPC分类号： H01L27/10876 , H01L27/10882
摘要： A memory array structure and a method for forming the same are provided. The memory array structure comprises: a substrate; a plurality of memory cells, each memory cell including a vertical transistor, of which a gate structure is formed in a first trench extending in a first direction; a plurality of word lines in the first direction, each word line formed in the first trench; a plurality of bit lines in a second direction, each bit line formed in lower sides of a semiconductor pillars; a plurality of body lines in the first direction, each body line having a first portion formed on the gate electrodes and a second portion covering a part of a top surface of semiconductor pillar for providing a substrate contact to vertical channel regions; and a plurality of data storage device contacts.
摘要翻译：提供了一种存储器阵列结构及其形成方法。存储器阵列结构包括：衬底; 多个存储单元，每个存储单元包括垂直晶体管，其栅极结构形成在沿第一方向延伸的第一沟槽中; 在第一方向上的多个字线，形成在第一沟槽中的每个字线; 在第二方向上的多个位线，每个位线形成在半导体柱的下侧; 在第一方向上的多个体线，每个主体线具有形成在栅电极上的第一部分和覆盖半导体柱的顶表面的一部分的第二部分，用于向垂直沟道区提供衬底接触; 和多个数据存储装置触点。

2. 发明申请

US20130161730A1 MEMORY ARRAY STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING THE SAME 有权
标题翻译：存储器阵列结构及其形成方法
公开(公告)号：US20130161730A1
公开(公告)日：2013-06-27
申请号：US13576944
申请日：2012-07-10
申请人： Liyang Pan , Haozhi Ma
发明人： Liyang Pan , Haozhi Ma
IPC分类号： H01L27/088 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/10876 , H01L27/10882
摘要： A memory array structure and a method for forming the same are provided. The memory array structure comprises: a substrate; a plurality of memory cells, each memory cell including a vertical transistor, of which a gate structure is formed in a first trench extending in a first direction; a plurality of word lines in the first direction, each word line formed in the first trench; a plurality of bit lines in a second direction, each bit line formed in lower sides of a semiconductor pillars; a plurality of body lines in the first direction, each body line having a first portion formed on the gate electrodes and a second portion covering a part of a top surface of semiconductor pillar for providing a substrate contact to vertical channel regions; and a plurality of data storage device contacts.
摘要翻译：提供了一种存储器阵列结构及其形成方法。存储器阵列结构包括：衬底; 多个存储单元，每个存储单元包括垂直晶体管，其栅极结构形成在沿第一方向延伸的第一沟槽中; 在第一方向上的多个字线，形成在第一沟槽中的每个字线; 在第二方向上的多个位线，每个位线形成在半导体柱的下侧; 在第一方向上的多个体线，每个主体线具有形成在栅电极上的第一部分和覆盖半导体柱的顶表面的一部分的第二部分，用于向垂直沟道区提供衬底接触; 和多个数据存储装置触点。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式