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1. 发明申请

US20100290285A1 Flash Memory Device Using Double Patterning Technology and Method of Manufacturing the Same 审中-公开
标题翻译：使用双重图案化技术的闪存设备及其制造方法
公开(公告)号：US20100290285A1
公开(公告)日：2010-11-18
申请号：US12845829
申请日：2010-07-29
申请人： Doo-youl Lee , Han-ku Cho , Suk-joo Lee , Gi-sung Yeo , Cha-won Koh , Pan-suk Kwak
发明人： Doo-youl Lee , Han-ku Cho , Suk-joo Lee , Gi-sung Yeo , Cha-won Koh , Pan-suk Kwak
IPC分类号： G11C16/04 , H01L21/768
CPC分类号： H01L27/11531 , H01L27/11526
摘要： Provided are a flash memory device and a method of manufacturing the same. The flash memory device includes strings. Each of the strings has a string selection line, a ground selection line, and an odd number of word lines formed between the string selection line and the ground selection line.
摘要翻译：提供一种闪速存储器件及其制造方法。闪存设备包括字符串。串中的每一个具有字符串选择线，接地选择线和在串选择线和地选择线之间形成的奇数个字线。

2. 发明申请

US20080067550A1 Flash memory device using double patterning technology and method of manufacturing the same 有权
标题翻译：使用双重图案化技术的闪存器件及其制造方法
公开(公告)号：US20080067550A1
公开(公告)日：2008-03-20
申请号：US11590207
申请日：2006-10-31
申请人： Doo-youl Lee , Han-ku Cho , Suk-joo Lee , Gi-sung Yeo , Cha-won Koh , Pan-suk Kwak
发明人： Doo-youl Lee , Han-ku Cho , Suk-joo Lee , Gi-sung Yeo , Cha-won Koh , Pan-suk Kwak
IPC分类号： H01L27/10
CPC分类号： H01L27/11531 , H01L27/11526
摘要： Provided are a flash memory device and a method of manufacturing the same. The flash memory device includes strings. Each of the strings has a string selection line, a ground selection line, and an odd number of word lines formed between the string selection line and the ground selection line.
摘要翻译：提供一种闪速存储器件及其制造方法。闪存设备包括字符串。串中的每一个具有字符串选择线，接地选择线和在串选择线和地选择线之间形成的奇数个字线。

3. 发明授权

US07787301B2 Flash memory device using double patterning technology and method of manufacturing the same 有权
标题翻译：使用双重图案化技术的闪存器件及其制造方法
公开(公告)号：US07787301B2
公开(公告)日：2010-08-31
申请号：US11590207
申请日：2006-10-31
申请人： Doo-youl Lee , Han-ku Cho , Suk-joo Lee , Gi-sung Yeo , Cha-won Koh , Pan-suk Kwak
发明人： Doo-youl Lee , Han-ku Cho , Suk-joo Lee , Gi-sung Yeo , Cha-won Koh , Pan-suk Kwak
IPC分类号： G11C16/06
CPC分类号： H01L27/11531 , H01L27/11526
摘要： Provided are a flash memory device and a method of manufacturing the same. The flash memory device includes strings. Each of the strings has a string selection line, a ground selection line, and an odd number of word lines formed between the string selection line and the ground selection line.
摘要翻译：提供一种闪速存储器件及其制造方法。闪存设备包括字符串。串中的每一个具有字符串选择线，接地选择线和在串选择线和地选择线之间形成的奇数个字线。

4. 发明授权

US08026044B2 Method of forming fine patterns of semiconductor device 失效
标题翻译：形成半导体器件精细图案的方法
公开(公告)号：US08026044B2
公开(公告)日：2011-09-27
申请号：US11781987
申请日：2007-07-24
申请人： Doo-youl Lee , Han-ku Cho , Suk-joo Lee , Gi-sung Yeo , Pan-suk Kwak , Min-jong Hong
发明人： Doo-youl Lee , Han-ku Cho , Suk-joo Lee , Gi-sung Yeo , Pan-suk Kwak , Min-jong Hong
IPC分类号： G03F7/00 , G03F7/004 , G03F7/20 , G03F7/26 , G03F7/40
CPC分类号： H01L21/0337
摘要： A method of forming fine patterns on a semiconductor substrate includes forming a first pattern, including first line patterns having a feature size F and an arbitrary pitch P, and forming a second pattern, including second line patterns disposed between adjacent first line patterns, to form a fine pattern having a half pitch P/2, the first and second line patterns being repeated in the first direction. A gap is formed in at least one first line pattern in a second direction, perpendicular to the first direction, to connect second line patterns positioned on each side of the first line pattern through the gap. At least one jog pattern, extending in the first direction, is formed from at least one first line pattern adjacent to the connected second line patterns. The jog pattern causes a gap in at least one of the connected second line patterns in the second direction.
摘要翻译：在半导体衬底上形成精细图案的方法包括形成包括具有特征尺寸F和任意间距P的第一线图案的第一图案，以及形成包括布置在相邻第一线图案之间的第二线图案的第二图案，以形成具有半间距P / 2的精细图案，第一和第二线图案沿第一方向重复。在与第一方向垂直的第二方向上的至少一个第一线图案中形成间隙，以通过间隙连接位于第一线图案的每一侧上的第二线图案。至少一个沿着第一方向延伸的点动图案由与连接的第二线图案相邻的至少一个第一线图案形成。所述点动图案在所述第二方向上在所连接的第二线图案中的至少一个中形成间隙。

5. 发明授权

US07892982B2 Method for forming fine patterns of a semiconductor device using a double patterning process 失效
标题翻译：使用双重图案形成工艺形成半导体器件的精细图案的方法
公开(公告)号：US07892982B2
公开(公告)日：2011-02-22
申请号：US11978718
申请日：2007-10-30
申请人： Doo-youl Lee , Pan-suk Kwak , Sung-gon Jung , Jung-hyeon Lee , Suk-joo Lee , Cha-won Koh , Ji-young Lee
发明人： Doo-youl Lee , Pan-suk Kwak , Sung-gon Jung , Jung-hyeon Lee , Suk-joo Lee , Cha-won Koh , Ji-young Lee
IPC分类号： H01L21/302
CPC分类号： H01L21/0332 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/31144 , H01L21/76816 , H01L21/76838
摘要： A method for forming fine patterns of a semiconductor device includes forming an etching film on a substrate having first and second areas, forming first mask patterns on the substrate to have a first pattern density in the first area and a second pattern density in the second area, forming first capping patterns between the first mask patterns, forming second capping patterns between the first mask patterns, such that recess areas are formed between second capping patterns, and such that a first etching pattern is defined to include the first and second capping patterns, forming second mask patterns in the recess areas to include the first and second mask patterns, removing one of the first and second etching patterns, such that a single etching pattern is remaining on the substrate, and etching the etching film using the remaining etching pattern as an etch mask to form etching film patterns.
摘要翻译：用于形成半导体器件的精细图案的方法包括在具有第一和第二区域的衬底上形成蚀刻膜，在衬底上形成第一掩模图案以在第一区域中具有第一图案密度，在第二区域中形成第二图案密度在所述第一掩模图案之间形成第一封盖图案，在所述第一掩模图案之间形成第二封盖图案，使得在第二封盖图案之间形成凹陷区域，并且使得第一蚀刻图案被限定为包括所述第一和第二封盖图案，在凹陷区域中形成第二掩模图案以包括第一和第二掩模图案，去除第一和第二蚀刻图案中的一个，使得在基板上残留单个蚀刻图案，并使用剩余的蚀刻图案蚀刻蚀刻膜作为蚀刻掩模以形成蚀刻膜图案。

6. 发明申请

US20080124931A1 Method for forming fine patterns of a semiconductor device using a double patterning process 失效
标题翻译：使用双重图案形成工艺形成半导体器件的精细图案的方法
公开(公告)号：US20080124931A1
公开(公告)日：2008-05-29
申请号：US11978718
申请日：2007-10-30
申请人： Doo-youl Lee , Pan-suk Kwak , Sung-gon Jung , Jung-hyeon Lee , Suk-joo Lee , Cha-won Koh , Ji-young Lee
发明人： Doo-youl Lee , Pan-suk Kwak , Sung-gon Jung , Jung-hyeon Lee , Suk-joo Lee , Cha-won Koh , Ji-young Lee
IPC分类号： H01L21/302
CPC分类号： H01L21/0332 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/31144 , H01L21/76816 , H01L21/76838
摘要： A method for forming fine patterns of a semiconductor device includes forming an etching film on a substrate having first and second areas, forming first mask patterns on the substrate to have a first pattern density in the first area and a second pattern density in the second area, forming first capping patterns between the first mask patterns, forming second capping patterns between the first mask patterns, such that recess areas are formed between second capping patterns, and such that a first etching pattern is defined to include the first and second capping patterns, forming second mask patterns in the recess areas to include the first and second mask patterns, removing one of the first and second etching patterns, such that a single etching pattern is remaining on the substrate, and etching the etching film using the remaining etching pattern as an etch mask to form etching film patterns.
摘要翻译：用于形成半导体器件的精细图案的方法包括在具有第一和第二区域的衬底上形成蚀刻膜，在衬底上形成第一掩模图案以在第一区域中具有第一图案密度，在第二区域中形成第二图案密度在所述第一掩模图案之间形成第一封盖图案，在所述第一掩模图案之间形成第二封盖图案，使得在第二封盖图案之间形成凹陷区域，并且使得第一蚀刻图案被限定为包括所述第一和第二封盖图案，在凹陷区域中形成第二掩模图案以包括第一和第二掩模图案，去除第一和第二蚀刻图案中的一个，使得在基板上残留单个蚀刻图案，并使用剩余的蚀刻图案蚀刻蚀刻膜作为蚀刻掩模以形成蚀刻膜图案。

7. 发明授权

US07842450B2 Method of forming a semiconductor device 有权
标题翻译：形成半导体器件的方法
公开(公告)号：US07842450B2
公开(公告)日：2010-11-30
申请号：US11711781
申请日：2007-02-28
申请人： Doo-youl Lee , Suk-joo Lee , Yool Kang , Han-ku Cho , Chang-jin Kang , Jae-ok Yoo , Sung-chan Park
发明人： Doo-youl Lee , Suk-joo Lee , Yool Kang , Han-ku Cho , Chang-jin Kang , Jae-ok Yoo , Sung-chan Park
IPC分类号： G03F7/00
CPC分类号： H01L21/0337
摘要： A method of forming a semiconductor device includes forming a first mask pattern on a target layer, the first mask pattern exposing a first portion of the target layer, forming an intermediate material layer, including depositing an intermediate material layer film on a side of the first mask pattern and the first portion of the target layer, and thinning the intermediate material layer film to form the intermediate material layer, forming a second mask pattern that exposes a second portion of the intermediate material layer, removing the exposed second portion of the intermediate material layer to expose the target layer, and patterning the target layer using the first and second mask patterns as patterning masks.
摘要翻译：形成半导体器件的方法包括：在目标层上形成第一掩模图案，第一掩模图案暴露目标层的第一部分，形成中间材料层，包括在第一掩模图案的一侧上沉积中间材料层膜掩模图案和目标层的第一部分，并且使中间材料层膜变薄以形成中间材料层，形成暴露中间材料层的第二部分的第二掩模图案，去除中间材料的暴露的第二部分层以露出目标层，以及使用第一和第二掩模图案作为图案掩模来图案化目标层。

8. 发明申请

US20070287299A1 Method of forming a semiconductor device 有权
标题翻译：形成半导体器件的方法
公开(公告)号：US20070287299A1
公开(公告)日：2007-12-13
申请号：US11711781
申请日：2007-02-28
申请人： Doo-youl Lee , Suk-joo Lee , Yool Kang , Han-ku Cho , Chang-jin Kang , Jae-ok Yoo , Sung-chan Park
发明人： Doo-youl Lee , Suk-joo Lee , Yool Kang , Han-ku Cho , Chang-jin Kang , Jae-ok Yoo , Sung-chan Park
IPC分类号： H01L21/266
CPC分类号： H01L21/0337
摘要： A method of forming a semiconductor device includes forming a first mask pattern on a target layer, the first mask pattern exposing a first portion of the target layer, forming an intermediate material layer, including depositing an intermediate material layer film on a side of the first mask pattern and the first portion of the target layer, and thinning the intermediate material layer film to form the intermediate material layer, forming a second mask pattern that exposes a second portion of the intermediate material layer, removing the exposed second portion of the intermediate material layer to expose the target layer, and patterning the target layer using the first and second mask patterns as patterning masks.
摘要翻译：形成半导体器件的方法包括：在目标层上形成第一掩模图案，第一掩模图案暴露目标层的第一部分，形成中间材料层，包括在第一掩模图案的一侧上沉积中间材料层膜掩模图案和目标层的第一部分，并且使中间材料层膜变薄以形成中间材料层，形成暴露中间材料层的第二部分的第二掩模图案，去除中间材料的暴露的第二部分层以露出目标层，以及使用第一和第二掩模图案作为图案掩模来图案化目标层。

9. 发明申请

US20080076047A1 Method of forming image contour for predicting semiconductor device pattern 审中-公开
标题翻译：形成用于预测半导体器件图案的图像轮廓的方法
公开(公告)号：US20080076047A1
公开(公告)日：2008-03-27
申请号：US11589026
申请日：2006-10-27
申请人： Yong-jin Chun , Doo-youl Lee , Moon-hyun Yoo , Suk-joo Lee
发明人： Yong-jin Chun , Doo-youl Lee , Moon-hyun Yoo , Suk-joo Lee
IPC分类号： G03C5/00
CPC分类号： G03F1/36
摘要： A method of forming an image contour for predicting a pattern image formed on a wafer from a layout of a semiconductor device includes: forming a basic layout for a semiconductor device; performing an optical proximity effect correction (OPC) on the basic layout to form an OPC layout; defining nonlinear regions and linear regions of the basic layout; emulating the nonlinear regions of the basic layout using the OPC layout to form an image contour of the nonlinear regions; determining the linear regions of the basic layout as an image contour of the linear regions; and combining the image contour of the nonlinear regions and image contour of the linear regions to form an image contour of the entire semiconductor device.
摘要翻译：根据半导体器件的布局形成用于预测在晶片上形成的图案图像的图像轮廓的方法包括：形成用于半导体器件的基本布局; 在基本布局上执行光学邻近效应校正（OPC）以形成OPC布局; 定义基本布局的非线性区域和线性区域; 使用OPC布局模拟基本布局的非线性区域，以形成非线性区域的图像轮廓; 将所述基本布局的线性区域确定为所述线性区域的图像轮廓; 并且组合非线性区域的图像轮廓和线性区域的图像轮廓以形成整个半导体器件的图像轮廓。

10. 发明申请

US20110177437A1 Compensating Masks, Multi-Optical Systems Using the Masks, and Methods of Compensating for 3-D Mask Effect Using the Same 审中-公开
标题翻译：补偿面膜，使用面膜的多光学系统以及使用该面膜补偿三维掩模效果的方法
公开(公告)号：US20110177437A1
公开(公告)日：2011-07-21
申请号：US13079078
申请日：2011-04-04
申请人： Sung-soo Suh , Suk-joo Lee , Han-ku Cho , Yong-jin Chun , Sung-woo Lee , Young-chang Kim
发明人： Sung-soo Suh , Suk-joo Lee , Han-ku Cho , Yong-jin Chun , Sung-woo Lee , Young-chang Kim
IPC分类号： G03F1/00
CPC分类号： G03F1/36
摘要： Provided are a compensating mask, a multi-optical system using the compensating mask, and a method of compensating for a 3-dimensional (3-D) mask effect using the compensating mask. Methods of compensating for a 3-D mask effect using a compensating mask may include generating a first kernel corresponding to a normal mask used for forming a minute pattern, generating a second kernel corresponding to a compensating mask, mixing the first kernel corresponding to the normal mask with the second kernel corresponding to the compensating mask, and generating a multi-optical system kernel corresponding to mixing the first kernel and the second kernel.
摘要翻译：提供了补偿掩模，使用补偿掩模的多光学系统以及使用补偿掩模来补偿三维（3-D）掩模效应的方法。使用补偿掩模补偿3-D掩模效应的方法可以包括生成对应于用于形成微图案的正常掩模的第一内核，生成与补偿掩码相对应的第二内核，将与正常对应的第一内核混合掩模与第二核对应于补偿掩模，并且生成对应于混合第一内核和第二内核的多光学系统内核。

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