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    • 1. 发明申请
      US20110149662A1 MEMORY DEVICE AND METHOD OF WRITING DATA TO A MEMORY DEVICE 有权
    • MEMORY DEVICE AND METHOD OF WRITING DATA TO A MEMORY DEVICE
    • 存储器件和将数据写入存储器件的方法
    • US20110149662A1
    • 2011-06-23
    • US12762607
    • 2010-04-19
    • Naveen BATRA , Rajiv Kumar , Saurabh Agrawal
    • Naveen BATRA , Rajiv Kumar , Saurabh Agrawal
    • G11C7/00
    • G11C7/12 , G11C8/08 , G11C11/413
    • A memory device includes bitlines, wordlines and a matrix of memory cells arranged in rows and columns. Each of the bitlines is electrically connected to memory cells in one of the columns. Each of the wordlines is electrically connected to memory cells in one of the rows. A bitline write voltage is applied to a first bitline. A wordline voltage is applied to a first wordline for writing data to a first memory cell connected to the first wordline and the first bitline. The first bitline and the second bitline are electrically connected for charge sharing between the first bitline and the second bitline. A predetermined time after electrically connecting the first bitline and the second bitline, the first and the second bitline are electrically disconnected and the bitline write voltage is applied to the second bitline. The wordline voltage is applied to a second wordline for writing data to a second memory cell connected to the second wordline and the second bitline.
    • 存储器件包括位线，字线和以行和列排列的存储器单元的矩阵。 每个位线电连接到一列中的存储单元。 每个字线电连接到其中一行中的存储单元。 位线写入电压被施加到第一位线。 将字线电压施加到第一字线，以将数据写入连接到第一字线和第一位线的第一存储器单元。 第一位线和第二位线被电连接用于第一位线和第二位线之间的电荷共享。 在电连接第一位线和第二位线之后的预定时间，第一和第二位线被电断开，并且位线写入电压被施加到第二位线。 字线电压被施加到第二字线，用于将数据写入连接到第二字线和第二位线的第二存储器单元。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Global Dossier Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
    • 2. 发明授权
      US08154911B2 Memory device and method of writing data to a memory device 有权
    • Memory device and method of writing data to a memory device
    • 存储器件和将数据写入存储器件的方法
    • US08154911B2
    • 2012-04-10
    • US12762607
    • 2010-04-19
    • Naveen Batra , Rajiv Kumar , Saurabh Agrawal
    • Naveen Batra , Rajiv Kumar , Saurabh Agrawal
    • G11C11/00 , G11C8/00
    • G11C7/12 , G11C8/08 , G11C11/413
    • A memory device includes bitlines, wordlines and a matrix of memory cells arranged in rows and columns. Each of the bitlines is electrically connected to memory cells in one of the columns. Each of the wordlines is electrically connected to memory cells in one of the rows. A bitline write voltage is applied to a first bitline. A wordline voltage is applied to a first wordline for writing data to a first memory cell connected to the first wordline and the first bitline. The first bitline and the second bitline are electrically connected for charge sharing between the first bitline and the second bitline. A predetermined time after electrically connecting the first bitline and the second bitline, the first and the second bitline are electrically disconnected and the bitline write voltage is applied to the second bitline. The wordline voltage is applied to a second wordline for writing data to a second memory cell connected to the second wordline and the second bitline.
    • 存储器件包括位线，字线和以行和列排列的存储器单元的矩阵。 每个位线电连接到一列中的存储单元。 每个字线电连接到其中一行中的存储单元。 位线写入电压被施加到第一位线。 将字线电压施加到第一字线，以将数据写入连接到第一字线和第一位线的第一存储器单元。 第一位线和第二位线被电连接用于第一位线和第二位线之间的电荷共享。 在电连接第一位线和第二位线之后的预定时间，第一和第二位线被电断开，并且位线写入电压被施加到第二位线。 字线电压被施加到第二字线，用于将数据写入连接到第二字线和第二位线的第二存储器单元。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
    • 3. 发明申请
      US20120224440A1 MEMORY DEVICE AND METHOD OF WRITING DATA TO A MEMORY DEVICE 有权
    • MEMORY DEVICE AND METHOD OF WRITING DATA TO A MEMORY DEVICE
    • 存储器件和将数据写入存储器件的方法
    • US20120224440A1
    • 2012-09-06
    • US13422906
    • 2012-03-16
    • Naveen BATRA , Rajiv Kumar , Saurabh Agrawal
    • Naveen BATRA , Rajiv Kumar , Saurabh Agrawal
    • G11C7/12 , G11C7/10 , G11C7/00
    • G11C7/12 , G11C8/08 , G11C11/413
    • In a memory device, a bitline write voltage is applied to a first bitline. A wordline voltage is applied to a first wordline for writing data to a first memory cell connected to the first wordline and the first bitline. The first bitline and the second bitline are electrically connected for charge sharing between the first bitline and the second bitline. A predetermined time after electrically connecting the first bitline and the second bitline, the first and the second bitline are electrically disconnected and the bitline write voltage is applied to the second bitline. The wordline voltage is applied to a second wordline for writing data to a second memory cell connected to the second wordline and the second bitline.
    • 在存储器件中，位线写入电压被施加到第一位线。 将字线电压施加到第一字线，以将数据写入连接到第一字线和第一位线的第一存储器单元。 第一位线和第二位线被电连接用于第一位线和第二位线之间的电荷共享。 在电连接第一位线和第二位线之后的预定时间，第一和第二位线被电断开，并且位线写入电压被施加到第二位线。 字线电压被施加到第二字线，用于将数据写入连接到第二字线和第二位线的第二存储器单元。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Global Dossier Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
    • 4. 发明授权
      US08780615B2 Memory device and method of writing data to a memory device 有权
    • Memory device and method of writing data to a memory device
    • 存储器件和将数据写入存储器件的方法
    • US08780615B2
    • 2014-07-15
    • US13422906
    • 2012-03-16
    • Naveen Batra , Rajiv Kumar , Saurabh Agrawal
    • Naveen Batra , Rajiv Kumar , Saurabh Agrawal
    • G11C11/00
    • G11C7/12 , G11C8/08 , G11C11/413
    • In a memory device, a bitline write voltage is applied to a first bitline. A wordline voltage is applied to a first wordline for writing data to a first memory cell connected to the first wordline and the first bitline. The first bitline and the second bitline are electrically connected for charge sharing between the first bitline and the second bitline. A predetermined time after electrically connecting the first bitline and the second bitline, the first and the second bitline are electrically disconnected and the bitline write voltage is applied to the second bitline. The wordline voltage is applied to a second wordline for writing data to a second memory cell connected to the second wordline and the second bitline.
    • 在存储器件中，位线写入电压被施加到第一位线。 将字线电压施加到第一字线，以将数据写入连接到第一字线和第一位线的第一存储器单元。 第一位线和第二位线被电连接用于第一位线和第二位线之间的电荷共享。 在电连接第一位线和第二位线之后的预定时间，第一和第二位线被电断开，并且位线写入电压被施加到第二位线。 字线电压被施加到第二字线，用于将数据写入连接到第二字线和第二位线的第二存储器单元。
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    • 7. 发明授权
      US07522439B2 Low power content addressable memory system and method 有权
    • Low power content addressable memory system and method
    • 低功耗可寻址存储器系统和方法
    • US07522439B2
    • 2009-04-21
    • US11321749
    • 2005-12-29
    • Anoop Khurana , Rajiv Kumar
    • Anoop Khurana , Rajiv Kumar
    • G11C15/00
    • G11C15/04
    • A low power content addressable memory system comprising an array of content addressable memory cells organized as a plurality of equal sized CAM cell groups, each CAM cell group having one or more CAM cells; a valid entry tag bit associated with each said content addressable memory cell; a match output generator connected to the output of each CAM cell and an enabling means having its first input connected to the valid entry tag bit, its second input connected to a match control signal and its output connected to the corresponding match output generator such that said match output generator is enabled only if said valid entry tag bit indicates a valid entry.
    • 一种低功率内容可寻址存储器系统，包括被组织为多个相等大小的CAM单元组的内容可寻址存储器单元的阵列，每个CAM单元组具有一个或多个CAM单元; 与每个所述内容可寻址存储器单元相关联的有效输入标签位; 连接到每个CAM单元的输出的匹配输出发生器和启用装置，其第一输入连接到有效输入标签位，其第二输入连接到匹配控制信号，其输出连接到相应的匹配输出发生器，使得所述 匹配输出生成器只有在所述有效条目标签位指示有效条目时被使能。
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