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    • 4. 发明申请
    • SENSOR DOUBLE PATTERNING METHODS
    • 传感器双重方式
    • US20100120175A1
    • 2010-05-13
    • US12339590
    • 2008-12-19
    • Andrew HabermasPaul Anderson
    • Andrew HabermasPaul Anderson
    • H01L21/306H01L21/34
    • H01L43/12
    • A method of making a memory cell or magnetic element by double patterning. The method includes providing a starting stack having a first area, masking a portion of the first area of the starting stack resulting in a first masked portion and a first unmasked portion. Then, removing the first unmasked portion of the starting stack to provide a second area. A portion of this second area is masked, resulting in a second masked portion and a second unmasked portion. The method also includes removing the second unmasked portion to provide a third area, with the finished cell or element being the third area.
    • 通过双重图案化制造存储单元或磁性元件的方法。 该方法包括提供具有第一区域的起始堆叠,掩蔽起始堆叠的第一区域的一部分导致第一掩蔽部分和第一未屏蔽部分。 然后,移除起始堆叠的第一未屏蔽部分以提供第二区域。 该第二区域的一部分被掩蔽,产生第二掩蔽部分和第二未屏蔽部分。 该方法还包括移除第二未屏蔽部分以提供第三区域,其中完成的单元或元件是第三区域。