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1. 发明申请

US20160141029A1 HEALTH DATA ASSOCIATED WITH A RESISTANCE-BASED MEMORY 审中-公开
标题翻译：与基于电阻的记忆有关的健康数据
公开(公告)号：US20160141029A1
公开(公告)日：2016-05-19
申请号：US14548205
申请日：2014-11-19
申请人： SANDISK TECHNOLOGIES INC.
发明人： ARIEL NAVON , IDAN ALROD , ERAN SHARON , IDAN GOLDENBERG , ALEXANDER BAZARSKY , TZ-YI LIU , TIANHONG YAN
IPC分类号： G11C13/00 , G11C29/02 , H01L21/66 , H01L45/00 , H01L27/24 , G06F3/06 , G11C29/50
CPC分类号： G11C13/0035 , G06F3/0604 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C13/0023 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C29/025 , G11C2013/0083 , G11C2029/0403 , G11C2029/4402 , G11C2213/71 , H01L22/14 , H01L27/2481
摘要： A method of fabricating a resistance-based memory includes initiating formation of a conductive path through a storage element of the resistance-based memory. The method further includes recording data of one or more parameters associated with the formation of the conductive path.
摘要翻译：一种制造基于电阻的存储器的方法包括：通过基于电阻的存储器的存储元件启动形成导电路径。该方法还包括记录与形成导电路径相关联的一个或多个参数的数据。

2. 发明申请

US20150339187A1 SYSTEM AND METHOD OF STORING REDUNDANCY DATA 有权
标题翻译：存储冗余数据的系统和方法
公开(公告)号：US20150339187A1
公开(公告)日：2015-11-26
申请号：US14284133
申请日：2014-05-21
申请人： SANDISK TECHNOLOGIES INC.
发明人： ERAN SHARON , IDAN ALROD
IPC分类号： G06F11/10 , G11C29/52
CPC分类号： G06F11/1068 , G06F11/10 , G06F11/1012 , G06F11/108 , G11C29/52 , G11C2029/0411
摘要： A data storage device includes a controller operatively coupled to a non-volatile memory. The non-volatile memory includes a plurality of blocks. When the controller is configured to operate according to a first mode, a portion of a first redundancy block of the plurality of blocks stores first redundancy data corresponding to a first group of multiple data portions. The multiple data portions stored in multiple blocks of the plurality of blocks. When the controller is configured to operate according to a second mode, the portion of the first redundancy block stores second redundancy data corresponding to a single block of the plurality of blocks.
摘要翻译：数据存储设备包括可操作地耦合到非易失性存储器的控制器。非易失性存储器包括多个块。当控制器被配置为根据第一模式操作时，多个块中的第一冗余块的一部分存储对应于第一组多个数据部分的第一冗余数据。存储在多个块的多个块中的多个数据部分。当控制器被配置为根据第二模式操作时，第一冗余块的部分存储对应于多个块的单个块的第二冗余数据。

3. 发明申请

US20150043276A1 SYSTEMS AND METHODS OF STORING DATA 有权
标题翻译：存储数据的系统和方法
公开(公告)号：US20150043276A1
公开(公告)日：2015-02-12
申请号：US14521001
申请日：2014-10-22
申请人： SANDISK TECHNOLOGIES INC.
发明人： ERAN SHARON , IDAN ALROD , SIMON LITSYN
IPC分类号： G11C16/04 , G11C29/00 , G11C16/10
CPC分类号： G11C7/1006 , G06F11/1044 , G06F11/1068 , G06F11/1072 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C29/78 , G11C2211/5641
摘要： A method includes, when using a binary cache in an multi-level cell (MLC) flash memory splitting a codeword corresponding to a data page into multiple data pages and storing the multiple data pages into multiple single level cell (SLC) pages of the binary cache for subsequent storage into a single wordline of the MLC flash memory.
摘要翻译：一种方法包括当在多级单元（MLC）闪速存储器中使用二进制高速缓冲存储器将与数据页对应的码字分割成多个数据页并将多个数据页存储到二进制数据的多个单级单元（SLC）页面中时缓存用于后续存储到MLC闪存的单个字线中。

4. 发明申请

US20150006976A1 WORD LINE DEFECT DETECTION AND HANDLING FOR A DATA STORAGE DEVICE 有权
标题翻译：用于数据存储设备的字线缺陷检测和处理
公开(公告)号：US20150006976A1
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：US14285338
申请日：2014-05-22
申请人： Sandisk Technologies Inc.
发明人： SEUNGJUNE JEON , IDAN ALROD , ERAN SHARON , DANA LEE
IPC分类号： G06F11/07
CPC分类号： G06F11/0751 , G11C16/3404 , G11C29/021 , G11C29/025 , G11C29/028
摘要： A data storage device includes a non-volatile memory that includes a three-dimensional (3D) memory and circuitry associated with operation of memory cells of the 3D memory. The non-volatile memory includes a word line coupled to a plurality of storage elements. A method includes detecting a condition associated with a defect in the word line. A first subset of the plurality of storage elements and a second subset of the plurality of storage elements are determined based on an estimated location of the defect. The method further includes determining a first read threshold for the first subset and a second read threshold for the second subset.
摘要翻译：数据存储设备包括非易失性存储器，其包括三维（3D）存储器和与3D存储器的存储器单元的操作相关联的电路。非易失性存储器包括耦合到多个存储元件的字线。一种方法包括检测与字线中的缺陷相关联的条件。多个存储元件的第一子集和多个存储元件的第二子集基于所估计的缺陷位置来确定。该方法还包括确定第一子集的第一读取阈值和第二子集的第二读取阈值。

5. 发明申请

US20150006975A1 WORD LINE DEFECT DETECTION AND HANDLING FOR A DATA STORAGE DEVICE 审中-公开
标题翻译：用于数据存储设备的字线缺陷检测和处理
公开(公告)号：US20150006975A1
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：US13928774
申请日：2013-06-27
申请人： SANDISK TECHNOLOGIES INC.
发明人： SEUNGJUNE JEON , IDAN ALROD , ERAN SHARON , DANA LEE
IPC分类号： G06F11/07
CPC分类号： G06F11/0751 , G11C16/3404 , G11C29/021 , G11C29/025 , G11C29/028
摘要： A data storage device includes a non-volatile memory and a controller. The non-volatile memory includes a word line coupled to a plurality of storage elements. A method includes detecting a condition associated with a defect in the word line. A first subset of the plurality of storage elements and a second subset of the plurality of storage elements are determined based on an estimated location of the defect. The method further includes determining a first read threshold for the first subset and a second read threshold for the second subset.
摘要翻译：数据存储装置包括非易失性存储器和控制器。非易失性存储器包括耦合到多个存储元件的字线。一种方法包括检测与字线中的缺陷相关联的条件。多个存储元件的第一子集和多个存储元件的第二子集基于所估计的缺陷位置来确定。该方法还包括确定第一子集的第一读取阈值和第二子集的第二读取阈值。

6. 发明申请

US20140254266A1 DIRECT MULTI-LEVEL CELL PROGRAMMING 有权
标题翻译：直接多级细胞编程
公开(公告)号：US20140254266A1
公开(公告)日：2014-09-11
申请号：US14283030
申请日：2014-05-20
申请人： Sandisk Technologies Inc.
发明人： ALON MARCU , ERAN SHARON , IDAN ALROD , YAN LI , HADAS OSHINSKY
IPC分类号： G11C16/10
CPC分类号： G11C16/10 , G06F12/0246 , G06F2212/7203 , G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/26 , G11C2211/5641 , G11C2211/5643
摘要： A data storage device includes a controller coupled to a non-volatile memory having a three-dimensional (3D) configuration. The non-volatile memory includes a group of storage elements. Each storage element is configured to store multiple data bits. Data is sent from the controller to the non-volatile memory and first bits corresponding to a first portion of the data are stored into the group of storage elements during a first write stage. Each storage element of the group of storage elements stores at least one bit of the first bits upon completion of the first write stage. Second bits corresponding to a second portion of the data are sent to a second memory without sending the first bits to the second memory. The second bits are retrieved from the second memory and at least the second bits are stored into the group of storage elements during a second write stage.
摘要翻译：数据存储设备包括耦合到具有三维（3D）配置的非易失性存储器的控制器。非易失性存储器包括一组存储元件。每个存储元件被配置为存储多个数据位。数据从控制器发送到非易失性存储器，并且对应于数据的第一部分的第一位在第一写入阶段被存储到存储元件组中。存储元件组中的每个存储元件在第一写入阶段完成时存储第一位的至少一个位。对应于数据的第二部分的第二位被发送到第二存储器，而不将第一位发送到第二存储器。从第二存储器检索第二位，并且在第二写入阶段期间至少将第二位存储到存储元件组中。

7. 发明申请

US20140160248A1 HEAD MOUNTABLE CAMERA SYSTEM 审中-公开
标题翻译：头盔相机系统
公开(公告)号：US20140160248A1
公开(公告)日：2014-06-12
申请号：US13794336
申请日：2013-03-11
申请人： SANDISK TECHNOLOGIES INC.
发明人： ITZHAK POMERANTZ , MENAHEM LASSER , RAHAV YAIRI , IDAN ALROD , ERAN SHARON , NOAM PRESMAN , ARIEL NAVON
IPC分类号： H04N13/02
CPC分类号： G06F1/163 , G06F3/011 , H04N5/2258 , H04N5/23206 , H04N5/23212 , H04N5/23229 , H04N5/23296 , H04N13/239 , H04N2213/001
摘要： Head mountable camera devices, systems, and methods are disclosed.
摘要翻译：公开了可头戴式摄像机装置，系统和方法。

8. 发明申请

US20160133324A1 SHAPED DATA ASSOCIATED WITH AN ERASE OPERATION 审中-公开
标题翻译：与擦除操作相关的形状数据
公开(公告)号：US20160133324A1
公开(公告)日：2016-05-12
申请号：US14539033
申请日：2014-11-12
申请人： SANDISK TECHNOLOGIES INC.
发明人： IDAN ALROD , NOAM PRESMAN , ARIEL NAVON , TZ-YI LIU , TIANHONG YAN
IPC分类号： G11C13/00
CPC分类号： G11C13/0097 , G11C7/1006 , G11C13/0033 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0085 , G11C2213/77
摘要： A method includes, in a data storage device including a resistive memory, receiving an erase command to erase a portion of the resistive memory. The method further includes sending shaped data to be stored at the portion of the resistive memory responsive to the erase command.
摘要翻译：一种方法包括在包括电阻性存储器的数据存储装置中，接收擦除指令以擦除电阻性存储器的一部分。该方法还包括响应于擦除命令发送要存储在电阻存储器部分的成形数据。

9. 发明申请

US20140281750A1 DETECTING EFFECT OF CORRUPTING EVENT ON PRELOADED DATA IN NON-VOLATILE MEMORY 有权
标题翻译：在非易失性存储器中检测损坏事件对预先提供的数据的影响
公开(公告)号：US20140281750A1
公开(公告)日：2014-09-18
申请号：US13796841
申请日：2013-03-12
申请人： SANDISK TECHNOLOGIES INC.
发明人： SEUNGJUNE JEON , IDAN ALROD , QING LI , XIAOYU YANG
IPC分类号： G06F11/07
CPC分类号： G11C29/50004 , G06F11/1068 , G11C16/3404 , G11C16/3418 , G11C16/349 , G11C29/021 , G11C29/028 , G11C2029/5004
摘要： A method includes determining a read threshold voltage corresponding to a group of storage elements in a non-volatile memory of a data storage device. The method also includes determining an error metric corresponding to data read from the group of storage elements using the read threshold voltage. The method includes comparing the read threshold voltage and the error metric to one or more criteria corresponding to a corrupting event.
摘要翻译：一种方法包括确定对应于数据存储设备的非易失性存储器中的一组存储元件的读取阈值电压。该方法还包括使用读取的阈值电压来确定对应于从存储元件组读取的数据的误差量度。该方法包括将读取阈值电压和误差度量与对应于腐败事件的一个或多个标准进行比较。

10. 发明申请

US20140281134A1 SYSTEM AND METHOD OF PROCESSING OF DUPLICATE DATA AT A DATA STORAGE DEVICE 有权
标题翻译：在数据存储设备中处理重复数据的系统和方法
公开(公告)号：US20140281134A1
公开(公告)日：2014-09-18
申请号：US13839128
申请日：2013-03-15
申请人： SANDISK TECHNOLOGIES INC.
发明人： YARDEN EITAN , UDI AGAMI , ERAN SHARON , IDAN ALROD
IPC分类号： G06F12/02
CPC分类号： G06F12/0246
摘要： A data storage device includes a memory and a controller. A method may be performed at the data storage device. The method includes receiving a request to write data, generating a signature of the data, and searching a signature table to determine if the generated signature is in the signature table. The signature table includes at least one signature table entry that includes a signature of stored data and a physical address of the stored data.
摘要翻译：数据存储装置包括存储器和控制器。可以在数据存储设备处执行一种方法。该方法包括接收写入数据的请求，产生数据的签名，以及搜索签名表以确定生成的签名是否在签名表中。签名表包括至少一个签名表项，其包括存储的数据的签名和存储的数据的物理地址。

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