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    • 3. 发明申请
    • パターン微細化用被覆形成剤およびそれを用いた微細パターンの形成方法
    • 用于减少图案尺寸的涂料成型剂及其形成精细图案的方法
    • WO2004003666A1
    • 2004-01-08
    • PCT/JP2003/008156
    • 2003-06-26
    • 東京応化工業株式会社菅田 祥樹金子 文武立川 俊和
    • 菅田 祥樹金子 文武立川 俊和
    • G03F7/40
    • G03F7/40H01L2051/0063
    • ホトレジストパターンを有する基板上に被覆され、その熱収縮作用を利用してホトレジストパターン間隔を狭小せしめた後、当該被覆を実質的に完全に除去して微細パターンを形成するために使用されるパターン微細化用被覆形成剤であって、水溶性ポリマーとアミド基含有モノマーを含むパターン微細化用被覆形成剤、あるいは、少なくとも(メタ)アクリルアミドを構成モノマーとして含む水溶性ポリマーを含有するパターン微細化用被覆形成剤、および、これらいずれかのパターン微細化用被覆形成剤を用いた微細パターンの形成方法を開示する。本発明により、加熱処理時におけるパターン微細化用被覆形成剤の熱収縮率を格段に向上させ、良好なプロフィルおよび現在の半導体デバイスにおける要求特性を備えた微細パターンを得ることができる。
    • 用于减小图案尺寸的涂层形成剂,用于通过涂布具有光致抗蚀剂图案的基材形成精细图案,通过其热收缩作用减少光致抗蚀剂图案间隔,然后基本上完全除去涂层。 特别是,用于降低图案尺寸的涂层形成剂,其包含水溶性聚合物和具有酰胺基的单体,或用于降低图案尺寸的涂层形成剂,其包含至少含有(甲基)丙烯酰胺的水溶性聚合物作为 构成单体; 以及使用任一种用于减小图案尺寸的涂层形成剂形成精细图案的方法。 用于减小图案尺寸的这些涂层形成剂能够显着提高加热处理时的热收缩率,从而能够获得具有如当代半导体器件所要求的特性的所需型材的精细图案。