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1. 发明申请

WO2019028934A1 低温多晶硅薄膜晶体管及其制备方法审中-公开
公开(公告)号：WO2019028934A1
公开(公告)日：2019-02-14
申请号：PCT/CN2017/098337
申请日：2017-08-21
申请人：武汉华星光电技术有限公司
发明人：肖东辉
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/0611 , H01L29/0638 , H01L29/0649 , H01L29/66757 , H01L29/78675
摘要：一种低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其包括：在衬底基板（1）上依次制备形成多晶硅有源层（2）和覆盖该多晶硅有源层（2）的栅极绝缘层（3）；应用离子植入工艺，在该多晶硅有源层（2）的朝向该栅极绝缘层（3）的表面上注入氮离子，形成离子注入层（6a）；应用高温退火工艺，使该离子注入层（6a）重结晶，在该多晶硅有源层（2）和该栅极绝缘层（3）之间形成氮化硅间隔层（6）。一种低温晶硅薄膜晶体管，包括依次设置在衬底基板（1）上的多晶硅有源层（2）、栅极绝缘层（3）、栅电极（4）、源电极（5a）和漏电极（5b），其中，该多晶硅有源层（2）和该栅极绝缘层（3）之间的连接界面形成有氮化硅间隔层（6），该氮化硅间隔层（6）与该多晶硅有源层（2）是一体相互连接的结构。

2. 发明申请

WO2018035902A1 低温多晶硅阵列基板的制备方法、阵列基板以及显示面板审中-公开
公开(公告)号：WO2018035902A1
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：PCT/CN2016/099215
申请日：2016-09-18
申请人：武汉华星光电技术有限公司
发明人：郝晓丹 , 殷婉婷
IPC分类号： H01L21/77 , H01L27/12
CPC分类号： H01L29/66757 , G02F1/136209 , G02F1/1368 , G02F2001/13685 , G02F2202/104 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02592 , H01L21/0262 , H01L21/02672 , H01L21/02675 , H01L21/02686 , H01L21/2254 , H01L21/77 , H01L27/12 , H01L27/1222 , H01L27/127 , H01L27/1285 , H01L27/1288 , H01L29/78603 , H01L29/78633 , H01L29/78675
摘要：公开了一种低温多晶硅阵列基板的制备方法，包括：设置一基板（200），并在基板（200）上形成缓冲层（202）；采用气象沉积第一混合气体以及掺杂离子气体的方式，在缓冲层（202）上形成掺杂的非晶硅薄膜层；采用气象沉积第二混合气体的方式，对非晶硅薄膜层进行去氢；对去氢后的非晶硅薄膜层进行退火处理，使参杂离子扩散，以形成多晶硅层（203）；将多晶硅层（203）图案化。这种制备方法能够有效简化低温多晶硅阵列基板制造的工艺，减少制造设备的投入，降低制备成本。还公开了一种阵列基板和一种显示面板。

3. 发明申请

WO2018032579A1 一种TFT基板的制备方法审中-公开
公开(公告)号：WO2018032579A1
公开(公告)日：2018-02-22
申请号：PCT/CN2016/100576
申请日：2016-09-28
申请人：深圳市华星光电技术有限公司
发明人：张晓星 , 周星宇 , 徐源竣
IPC分类号： H01L21/77 , H01L27/12
CPC分类号： H01L27/1277 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02532 , H01L21/02592 , H01L21/02675 , H01L21/02686 , H01L21/26513 , H01L21/31155 , H01L21/77 , H01L27/12 , H01L27/1218 , H01L27/1222 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/1251 , H01L27/1285 , H01L27/3246 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L29/167 , H01L29/42364 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78675 , H01L29/78678 , H01L51/56 , H01L2227/323
摘要：提供一种TFT基板的制备方法，TFT基板中含有驱动TFT区域和显示TFT区域，两个TFT区域采用不同的制造技术，以满足不同TFT的需求。TFT基板的制备方法主要包括制作第一非晶硅层（21），得到驱动TFT区域；制作第二非晶硅层（61），得到显示TFT区域；然后沉积钝化层（9）、平坦层（10），进一步处理完成TFT基板的制备。

4. 发明申请

WO2017136984A1 N型薄膜晶体管的制作方法审中-公开
公开(公告)号：WO2017136984A1
公开(公告)日：2017-08-17
申请号：PCT/CN2016/083566
申请日：2016-05-26
申请人：武汉华星光电技术有限公司
发明人：虞晓江
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66757 , H01L21/30604 , H01L29/78675 , H01L29/78696
摘要：一种N型薄膜晶体管的制作方法，在制作过程中采用化学溶液对N型薄膜晶体管的沟道区进行蚀刻，提高N型薄膜晶体管的沟道区内的低温多晶硅的表面粗糙度，从而提高N型薄膜晶体管的沟道区内的低温多晶硅的表面缺陷浓度，使制得的N型薄膜晶体管的阈值电压向正方向移动，保证制得的N型薄膜晶体管在低电压下能及时关闭，生产效率高，生产成本低。

5. 发明申请

WO2017092172A1 TFT基板的制作方法审中-公开
公开(公告)号：WO2017092172A1
公开(公告)日：2017-06-08
申请号：PCT/CN2016/072864
申请日：2016-01-29
申请人：深圳市华星光电技术有限公司
发明人：张晓星
IPC分类号： H01L21/77
CPC分类号： H01L51/56 , H01L21/77 , H01L27/1274 , H01L27/1277 , H01L27/1288 , H01L27/3246 , H01L27/3248 , H01L27/3258 , H01L29/495 , H01L29/513 , H01L29/518 , H01L29/66757 , H01L51/5221
摘要：一种TFT基板的制作方法，在对非晶硅层（3）进行离子植入诱导结晶后，无需将得到的多晶硅层（4）表面的离子诱导层（5）完全去除，而是通过半色调光罩工艺，仅仅去除沟道区（41）的离子诱导层（5），且后续的源/漏极接触区（50）也不需要再进行离子植入，从而节省了再次进行离子植入所需的光罩；同时源/漏极（6）也在半色调光罩下完成制作，从而节省了制作源/漏极所需的光罩；并且因为先制作源/漏极，所以省去了层间绝缘层的制作，从而节省了制作层间绝缘层所需的光罩；TFT基板的制作方法通过使用半色调光罩工艺，将现有技术所需的九道光罩缩减至六道光罩，有效简化了制程，提高了生产效率，节省了生产成本。

6. 发明申请

WO2017075993A1 THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD THEREOF, ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS 审中-公开
标题翻译：薄膜晶体管及其方法，阵列基板和显示装置
公开(公告)号：WO2017075993A1
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：PCT/CN2016/085100
申请日：2016-06-07
申请人： BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD.
发明人： HSIN, Lungpao
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/78618 , H01L27/1248 , H01L27/1259 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/6675 , H01L29/66757 , H01L29/78675
摘要： A method for forming a thin film transistor (TFT), a related TFT, an array substrate, and a display apparatus are provided. The method comprises: forming a pattern of an active layer (02) on a base substrate (01) and insulated from a gate electrode (06); forming a first initial ohmic contacting layer (03) and a second initial ohmic contacting layer (04) on the active layer (02); forming a source electrode (08) on the first initial ohmic contacting layer (03), and a drain electrode (09) on the second initial ohmic contacting layer (04); and performing a heating treatment to the base substrate (01) having the source electrode (08) and the drain electrode (09) thereon, such that metal atoms in the source electrode (08) diffuse to the first initial ohmic contacting layer (03) to form a first ohmic contacting layer (10), and metal atoms in the drain electrode (09) diffuse to the second initial ohmic contacting layer (04) to form a second ohmic contacting layer (11).
摘要翻译：提供了一种用于形成薄膜晶体管（TFT），相关TFT，阵列基板和显示装置的方法。该方法包括：在基础衬底（01）上形成有源层（02）的图案并与栅电极（06）绝缘; 在有源层（02）上形成第一初始欧姆接触层（03）和第二初始欧姆接触层（04）; 在所述第一初始欧姆接触层（03）上形成源电极（08），以及在所述第二初始欧姆接触层（04）上形成漏电极（09）; 并对其上具有源电极（08）和漏电极（09）的基础基板（01）进行加热处理，使得源电极（08）中的金属原子扩散到第一初始欧姆接触层（03）以形成第一欧姆接触层（10），并且漏电极（09）中的金属原子扩散到第二初始欧姆接触层（04）以形成第二欧姆接触层（11）

7. 发明申请

WO2017016023A1 一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法审中-公开
公开(公告)号：WO2017016023A1
公开(公告)日：2017-02-02
申请号：PCT/CN2015/088415
申请日：2015-08-28
申请人：深圳市华星光电技术有限公司 , 武汉华星光电技术有限公司
发明人：卢昶鸣
IPC分类号： H01L21/77
CPC分类号： H01L29/78621 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/0273 , H01L21/265 , H01L21/26513 , H01L21/266 , H01L21/31058 , H01L21/31138 , H01L21/32051 , H01L27/1218 , H01L27/1222 , H01L27/127 , H01L27/1288 , H01L29/66757 , H01L29/78603 , H01L29/78675
摘要：一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法。该方法包括：在基底层（101）同一表面形成半导体层（102）和低温多晶硅层（103）；在半导体层（102）背离基底层（101）的一侧形成氧化层（104），在低温多晶硅层（103）背离基底层（101）的一侧形成氧化层（104）；在氧化层（104）上形成多个第一预设厚度的第一光阻层（105）；在每个第一光阻层（105）上设置一个与之对应的第一钴层（106）；在半导体层（102）中的第一特定区域（1021）掺入高浓度掺杂离子；移除第一钴层（106），对多个第一光阻层（105）进行部分灰化处理，得到多个第二预设厚度的第二光阻层（107）；在每个第二光阻层（107）上设置一个与之对应的第二钴层（108）；在半导体层（102）中的第二特定区域（1022）掺入低浓度掺杂离子；移除第二钴层（108），对第二光阻层（107）进行完全灰化处理，去除第二光阻层（107），可以减少光罩次数，降低生产时间。

8. 发明申请

WO2016197502A1 薄膜晶体管及制作方法、阵列基板及制作方法和显示装置审中-公开
公开(公告)号：WO2016197502A1
公开(公告)日：2016-12-15
申请号：PCT/CN2015/092206
申请日：2015-10-19
申请人：京东方科技集团股份有限公司
发明人：杨维 , 刘翔
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/786 , H01L21/8234 , H01L27/32
CPC分类号： H01L27/1288 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , H01L21/425 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/127 , H01L27/3262 , H01L27/3276 , H01L29/42364 , H01L29/66742 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/66969 , H01L29/7866 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , H01L2227/323
摘要：一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及其制作方法以及显示装置，该薄膜晶体管(200)的制作方法包括：形成有源层(210)、栅极(232)、分别与所述有源层(210)电连接的源极(231)和漏极(233)、以及位于所述栅极(232)和所述有源层(210)之间的栅极绝缘层(220)，使得所述栅极(232)、所述源极(231)和所述漏极(233)在同一次构图工艺中形成。该方法可以减少薄膜晶体管(200)或阵列基板(20)制作过程中掩膜板的使用数量，节省工艺流程，提高产能，降低生产成本。

9. 发明申请

WO2016197404A1 TFT基板结构的制作方法及TFT基板结构审中-公开
公开(公告)号：WO2016197404A1
公开(公告)日：2016-12-15
申请号：PCT/CN2015/082163
申请日：2015-06-24
申请人：武汉华星光电技术有限公司
发明人：郭文帅 , 明星 , 申智渊
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/16 , H01L27/12
CPC分类号： H01L27/127 , H01L27/1222 , H01L29/16 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/51 , H01L29/518 , H01L29/66598 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78627 , H01L29/78675 , H01L29/78696
摘要：一种TFT基板结构的制作方法及TFT基板结构。TFT基板结构的制作方法，在制作栅极（5）时通过调整蚀刻的参数，使栅极（5）两侧形成斜面，并以栅极（5）作为光罩，对多晶硅层（3）进行离子注入，同时在多晶硅层（3）形成n型重掺杂区（31）和n型轻掺杂区（32），增加了阻值，分散了电极附近的强电场，避免了因局部强电场的存在而发生的热载流子效应对器件特性造成的影响，节省了单独形成n型轻掺杂区的制程，提升了生成效率，降低了生产成本。TFT基板结构，多晶硅层（3）包括位于两侧的n型重掺杂区（31）及位于多晶硅层的沟道区（34）与n型重掺杂区（31）之间的n型轻掺杂区（32），避免了局部强电场的产生，消除了热载流子对器件特性的影响。

10. 发明申请

WO2016173322A1 一种阵列基板及其制作方法、及显示装置审中-公开
公开(公告)号：WO2016173322A1
公开(公告)日：2016-11-03
申请号：PCT/CN2016/075754
申请日：2016-03-07
申请人：京东方科技集团股份有限公司
发明人：刘政
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/336 , G02F1/136
CPC分类号： G02F1/1368 , G02F1/134309 , G02F1/13439 , G02F2001/13685 , H01L21/26513 , H01L27/12 , H01L27/1255 , H01L27/127 , H01L27/1288 , H01L29/167 , H01L29/42364 , H01L29/42372 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/786 , H01L29/78621 , H01L29/78675 , H01L2029/7863
摘要：一种阵列基板的制作方法包括如下步骤：在衬底基板（1）上依次形成不同层的半导体图形（2）、栅极（4）和第一绝缘图形（5）；半导体图形在衬底基板上的正投影覆盖第一绝缘图形在衬底基板上的正投影，第一绝缘图形在衬底基板上的正投影覆盖栅极在衬底基板上的正投影；以第一绝缘图形和栅极为掩膜，通过一次离子注入工艺对半导体图形进行处理，形成有源层（2C）、重掺杂源极区（2A）、轻掺杂源极区（2B）、重掺杂漏极区（2D）和轻掺杂漏极区（2E）。只通过一次离子注入工艺即可形成具有轻掺杂、重掺杂的源漏极。由于离子注入次数少，故可以减少制造时间，进而降低制造成本。此外，具有轻掺杂、重掺杂的源漏极可降低漏极电流，从而提高显示面板工作的稳定性。

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