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1. 发明申请

WO2021236392A1 CHARGE PUMP CELL WITH IMPROVED LATCH-UP IMMUNITY AND CHARGE PUMPS INCLUDING THE SAME, AND RELATED SYSTEMS, METHODS AND DEVICES 审中-公开
公开(公告)号：WO2021236392A1
公开(公告)日：2021-11-25
申请号：PCT/US2021/031992
申请日：2021-05-12
申请人： MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED
发明人： FINNOEY, Torbjoern Loevseth , ZOU, Lei
IPC分类号： H03K17/14 , H02M3/07 , H03K17/16 , H03K17/30
摘要： A charge pump cell for a charge pump is disclosed that may exhibit improved latch-up immunity. A circuit may be arranged at the charge pump cell to apply a voltage to a bulk contact of a charge transfer transistor of such a charge pump cell at least partially responsive to a relationship between a voltage at a first terminal of the charge transfer transistor and a voltage at a second terminal of the charge transfer transistor. A charge pump including one or more such charge pump cells may include a control loop that is configured to control a pumping signal at least partially responsive to a state of an output voltage of the charge pump.

2. 发明申请

WO2021058196A1 ELECTRIC CIRCUITRY FOR SIGNAL TRANSMISSION 审中-公开
公开(公告)号：WO2021058196A1
公开(公告)日：2021-04-01
申请号：PCT/EP2020/072864
申请日：2020-08-14
申请人： AMS AG
发明人： SMITH, Jeffrey , CHOJECKI, Pawel
IPC分类号： H03K17/687 , H03K17/06 , H03K17/14
摘要： An electric circuitry (10) for signal transmission comprises a transmission gate (100) having an input node (A) to apply an input signal (VIN). The transmission gate (100) includes a first transistor (110) having an electric conductive channel of a first type of conductivity and a second transistor (120) having an electric conductive channel of a second type of conductivity. The electric circuitry (10) comprises a control circuit (200) to control the signal transmission of the transmission gate (100). The control circuit (200) is configured to generate a first and second control signal (CS1, CS2) to control the conductivity of the first and second transistor (110, 120) in dependence on a voltage level of the input signal (VIN).

3. 发明申请

WO2020023765A1 METHODS AND APPARATUS TO IMPROVE SWITCHING CONDITIONS IN A CLOSED LOOP SYSTEM 审中-公开
公开(公告)号：WO2020023765A1
公开(公告)日：2020-01-30
申请号：PCT/US2019/043465
申请日：2019-07-25
申请人： TEXAS INSTRUMENT INCORPORATED , TEXAS INSTRUMENT JAPAN LIMITED
发明人： EVANS, David Wayne , RAPOLU, Kavitha
IPC分类号： H02M1/44 , H03K17/14 , H03M1/08
摘要： To improve switching conditions in a closed loop system, an example device includes a first switch (508) adapted to be coupled to a first node (528), a second switch (510) adapted to be coupled to a second node (526), and a capacitor (502) including a first terminal (504) and a second terminal (506). The first terminal (504) is coupled the first switch (508), and the second terminal (506) is coupled to the second switch (510). A first multiplier (512) is coupled to the first terminal (504) and to the second terminal (506). The first multiplier (512) is adapted to be coupled to at least a third node (530) and a fourth node (532). A second multiplier (514) is coupled to the first terminal (504) and to the second terminal (506).

4. 发明申请

WO2018147539A1 발열 및 스파크 저감 스위치 회로 审中-公开
公开(公告)号：WO2018147539A1
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：PCT/KR2017/014311
申请日：2017-12-07
申请人： 주식회사 마루온
发明人： 임우종 , 예의석
IPC分类号： H03K17/0812 , H03K17/10 , H03K17/14
CPC分类号： H03K17/0812 , H03K17/10 , H03K17/14
摘要： 본 발명은 병렬로 연결된 무접점 스위치와 유접점 스위치를 제로크로싱(Zero crossing)에 의하여 제어함으로써 스파크와 발열 및 역기전력을 방지할 수 있는 발열 및 스파크 저감 스위치 회로에 관한 것으로서, 입력전원과 부하 사이에 병렬로 연결된 무접점 스위치와 유접점 스위치를 포함하는 스위치 회로에 있어서, 상기 입력전원의 영점을 검출하여 영점 검출신호를 생성하는 제로크로싱(Zero crossing) 검출부; 및 상기 제로크로싱 검출부로부터 상기 영점 검출신호를 인가받아 상기 무접점 스위치와 유접점 스위치의 온(ON)/오프(OFF)를 제어하는 제어부;를 구비하며, 상기 무접점 스위치는, 상기 제어부의 제어에 따라 동시에 온(ON)/오프(OFF)되는 정방향 스위칭 소자 및 역방향 스위칭 소자가 병렬로 구성되어, 유접점 스위치와 무접점 스위치가 병렬회로 구성된 스위치 회로에서 교류신호의 에너지 교차점(Zero crossing)에서 스위칭이 이루어지도록 함으로써, 교류회로에서도 정류회로 없이 무접점 스위치를 사용할 수 있으므로 더욱 저가의 스위치를 제공할 수 있으며, 스위칭 속도가 빠르면서도 발열을 최소화한 발열 및 스파크 저감 스위치 회로를 제공한다.

5. 发明申请

WO2018070307A1 電力素子の駆動回路审中-公开
标题翻译：功率元件驱动电路
公开(公告)号：WO2018070307A1
公开(公告)日：2018-04-19
申请号：PCT/JP2017/036046
申请日：2017-10-03
申请人：富士電機株式会社
发明人：大橋　英知
IPC分类号： H02M1/08 , H03K17/14 , H03K17/567
摘要：ＩＧＢＴのターン・オン時におけるスイッチング損失を低減する。ＩＧＢＴのゲートに正バイアスまたは負バイアスを印加してＩＧＢＴをオン・オフ駆動する駆動回路であって、直列に接続されて電源端子と接地端子との間に設けられた第１および第２の半導体スイッチ素子を有し、その直列接続点をＩＧＢＴのゲートに接続した第１の直列回路と、ダイオードを間にして直列に接続されて電源端子と接地端子との間に設けられた第３および第４の半導体スイッチ素子を有し、第４の半導体スイッチ素子とダイオードとの直列接続点を前記ＩＧＢＴのエミッタに接続した第２の直列回路と、制御信号に応じて第１～第４の半導体スイッチ素子のそれぞれを互いに関連させてオン・オフさせる制御回路とを備える。
摘要翻译：
减少IGBT导通时的开关损耗。施加正偏压或负偏压施加到IGBT的栅极的驱动电路接通和断开设置在串联在电源端子和接地端子的连接之间驱动IGBT，第一和第二半导体一个开关元件，连接到所述串联连接点到IGBT中，第三和设置在连接与所述电源端子和接地端子系列之间的二极管之间的栅极的第一串联电路它有一个第四半导体开关元件，第四半导体开关元件和连接到IGBT的发射极的二极管之间的串联连接点的一个第二串联电路，第一至第四半导体开关响应于控制信号还有一个控制电路，可以相互关联和关闭每个元件。

6. 发明申请

WO2017089321A1 SCHALTUNGSANORDNUNG ZUR TEMPERATURABHÄNGIGEN ANSTEUERUNG EINES SCHALTELEMENTES 审中-公开
标题翻译：开关元件温度相关控制的电路布置
公开(公告)号：WO2017089321A1
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：PCT/EP2016/078365
申请日：2016-11-22
申请人： ROBERT BOSCH GMBH
发明人： SINN, Peter , BARTSCH, Timo
IPC分类号： H03K17/14 , H03K17/16
CPC分类号： H03K17/14 , H03K17/16
摘要： Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung (100) zur temperaturabhängigen Ansteuerung eines ersten Schaltelementes (Sl) umfassend einen Eingangsanschluss (EA) zur Entgegennahme eines Eingangspotentials, einen Ausgangsanschluss (AA) zur Weitergabe eines Ausgangspotentials an einen ersten Steueranschluss (Gl) des ersten Schaltelementes (Sl) und ein temperaturabhängiges Bauelement (RT) wobei das temperaturabhängige Bauelement (RT) zwischen den Eingangsanschluss (EA) und den Ausgangsanschluss (AA) geschaltet ist.
摘要翻译：
本发明涉及一种电路装置（100），包括一个输入端（EA），用于接收输入电位，输出端子（AA），用于传递一个输出电位到第一第一开关元件（S）的温度BEAR相关的控制第一换挡部件（S1）和一个温度BEAR ngiges组分（RT）的控制端子（G1）的所述输入端子（EA）和连接的输出端子（AA）之间的温度BEAR相关分量（RT）。

7. 发明申请

WO2015063564A1 SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：WO2015063564A1
公开(公告)日：2015-05-07
申请号：PCT/IB2014/002200
申请日：2014-10-23
申请人： TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA
发明人： WASEKURA, Masaki
IPC分类号： H03K17/082 , H03K17/14 , H03K17/18
CPC分类号： H03K5/08 , H03K17/0828 , H03K17/14 , H03K17/18 , H03K17/567 , H03K17/74 , H03K2217/0027
摘要： A semiconductor device includes a transistor (12), a diode (15), a sense transistor (13), a sense diode (16), a resistor (20), and a clamp circuit (30). The diode is connected in inverse parallel to the transistor. The resistor is connected at one end of the resister to an emitter of the sense transistor and an anode of the sense diode, and is connected at the other end of the resister to an emitter of the transistor and an anode of the diode. The clamp circuit is configured to clamp a voltage that is generated in the resistor when a sense diode current flows. A ratio of a sense diode current to a current flowing to the diode is larger than a ratio of a sense current to a current flowing to the transistor.
摘要翻译：半导体器件包括晶体管（12），二极管（15），感测晶体管（13），感测二极管（16），电阻器（20）和钳位电路（30）。二极管与晶体管反向并联连接。电阻器在电阻器的一端连接到感测晶体管的发射极和感测二极管的阳极，并且在电阻器的另一端连接到晶体管的发射极和二极管的阳极。钳位电路被配置为在感测二极管电流流动时钳位在电阻器中产生的电压。感测二极管电流与流向二极管的电流的比值大于感测电流与流向晶体管的电流的比率。

8. 发明申请

WO2014199818A1 ゲート駆動回路审中-公开
标题翻译：门控驱动电路
公开(公告)号：WO2014199818A1
公开(公告)日：2014-12-18
申请号：PCT/JP2014/063921
申请日：2014-05-27
申请人：富士電機株式会社
发明人：赤羽　正志
IPC分类号： H03K17/687 , H03K17/14 , H03K17/56
CPC分类号： H03K17/6872 , H03K17/145 , H03K17/163 , H03K2217/0063
摘要：　スイッチング素子のゲートに一定電流を供給して該スイッチング素子をオン駆動する出力トランジスタと、ＰチャネルＭＯＳ-ＦＥＴとｎチャネルＭＯＳ-ＦＥＴとからなり、ゲート制御信号を入力して前記出力トランジスタをオン・オフ駆動するＣＭＯＳ構成のプリドライバと、定電流用トランジスタのゲート電圧を制御して該定電流用トランジスタに流れる電流を一定化する基準電流源と、前記定電流用トランジスタのゲート電圧を前記プリドライバの動作基準電圧として印加するバッファアンプとを備える。
摘要翻译：该栅极驱动电路设置有：通过向所述开关元件中的栅极提供恒定电流而使开关元件导通的输出晶体管; CMOS预驱动器，其包括p沟道MOSFET和n沟道MOSFET，并且输入栅极控制信号以使输出晶体管导通或关断; 控制恒流晶体管的栅极电压以便保持流经所述恒流晶体管的电流恒定的参考电流源; 以及缓冲放大器，其将恒流晶体管的栅极电压作为前驱动器的工作参考电压。

9. 发明申请

WO2014129242A1 負荷駆動制御装置审中-公开
标题翻译：负载驱动控制装置
公开(公告)号：WO2014129242A1
公开(公告)日：2014-08-28
申请号：PCT/JP2014/050877
申请日：2014-01-20
申请人：日立オートモティブシステムズ株式会社
发明人：渡部　光彦 , 小山　克也 , 栗本　裕史 , 石田　良介
IPC分类号： H03K17/16 , H02M3/155 , H03K17/08 , H03K17/14 , H03K17/687
CPC分类号： H02M3/158 , H02M2001/327 , H03K17/145 , H03K17/162
摘要：　負荷の駆動を可能な限り維持することができる負荷駆動制御装置を提供する。　第１のゲート駆動部３３は、第１のスイッチング素子３５、３７のゲートに充放電する電流を示す第１のゲート駆動電流を第１のスイッチング素子３５，３７のゲートに供給することにより、第１のスイッチング素子３５，３７のゲートを駆動する。第１のスロープ可変部１６ 1 は、第１のスイッチング素子３５、３７の周囲温度がしきい値Ｈ１以上の場合に、第１のゲート駆動電流を単位量だけ大きくし、第１のスイッチング素子３５、３７の周囲温度がしきい値Ｌ１以下の場合に、第１のゲート駆動電流を単位量だけ小さくする。
摘要翻译：提供了能够尽可能地维持负载的驱动的负载驱动控制装置。第一栅极驱动单元（33）通过提供表示从第一开关元件（35,37）的栅极充电和放电的电流的第一栅极驱动电流来驱动第一开关元件（35,37）的栅极，到第一开关元件（35,37）的栅极。在第一开关元件（35,37）周围的温度等于或高于阈值（H1）的情况下，第一斜率变化单元（161）将第一栅极驱动电流仅增加单位量，并且减小第一栅极驱动电流在第一开关元件（35,37）周围的温度处于或低于阈值（L1）的情况下，驱动电流仅为单位量。

10. 发明申请

WO2010080105A3 SWITCH WITH CONSTANT VGS CIRCUIT FOR MINIMIZING RFLATNESS AND IMPROVING AUDIO PERFORMANCE 审中-公开
标题翻译：使用恒定的VGS电路切换最小化RFLATNESS并提高音频性能
公开(公告)号：WO2010080105A3
公开(公告)日：2011-01-06
申请号：PCT/US2009006551
申请日：2009-12-15
申请人： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR , STULTZ JULIE , MACALUSO STEVEN M
发明人： STULTZ JULIE , MACALUSO STEVEN M
IPC分类号： H03K17/06 , H03K17/14 , H03K17/687
CPC分类号： H03K17/145 , H03K17/063 , H03K17/6877
摘要： A MOSFET switch (10) is disclosed that is driven on by a circuit that provides a constant gate to source voltage, Vgs, that is independent of the input voltage (A in) he power supply and any logic signals. The constant Vgs is derived from a reference voltage (V bias) and biases the MOSFET switch such that Ron is constant, or Rflatness is minimized. A minimized Rflatness provides a higher fidelity transfer of audio signals compared to prior art switches where Rflatness is greater.
摘要翻译：公开了一种MOSFET开关（10），其由提供恒定的栅极至源极电压的电路驱动，Vgs与电源的输入电压（A in）和任何逻辑信号无关。恒定Vgs是从参考电压（V bias）导出的，并且偏置MOSFET开关，使得Ron是恒定的，或者Rflatness被最小化。与现有技术的Rflatness更大的开关相比，最小化的Rflatness提供了更高的音频信号的保真度传输。

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