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11. 发明专利

JP6105817B2 温度センサのためのナノ磁性多層膜とその製造方法有权
公开(公告)号：JP6105817B2
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：JP2016526771
申请日：2014-01-23
申请人：中国科学院物理研究所
发明人： ▲韓▼ 秀峰 , 袁忠▲輝▼ , ▲劉▼ ▲ぱん▼ , 于国▲強▼ , ▲豊▼ 家峰 , ▲張▼ 殿琳
IPC分类号： H01L43/12 , G01K7/36 , G01R33/09 , H01L43/08
CPC分类号： H01L43/08 , G01K7/36 , G01K7/38 , H01F10/3272 , H01L43/02 , H01L43/12

12. 发明专利

JP2016541112A 温度センサのためのナノ磁性多層膜とその製造方法有权
标题翻译：纳米磁性多层膜和用于温度传感器及其制造方法
公开(公告)号：JP2016541112A
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：JP2016526771
申请日：2014-01-23
申请人：中国科学院物理研究所
发明人：秀峰 ▲韓▼ , 秀峰 ▲韓▼ , 忠▲輝▼ 袁 , 忠▲輝▼ 袁 , ▲ぱん▼ ▲劉▼ , ▲ぱん▼ ▲劉▼ , 国▲強▼ 于 , 国▲強▼ 于 , 家峰 ▲豊▼ , 家峰 ▲豊▼ , 殿琳 ▲張▼ , 殿琳 ▲張▼
IPC分类号： H01L43/08 , G01K7/36 , H01L43/12
CPC分类号： H01L43/08 , G01K7/36 , G01K7/38 , H01F10/3272 , H01L43/02 , H01L43/12
摘要：温度センサのための面内ナノ磁性多層膜とその製造方法。多層フィルムは、3つのタイプに分類される。第1のタイプの構造は、基板(1)、底部層(2)、底部磁性複合材料層(3)、中間バリア層(4)、上部磁性複合材料層(5)及びキャップ層(6)を下から上の順序で含む。第1のタイプにおいて、上部磁性複合層(5)と底部磁性複合層(3)は、直接ピニング構造又は間接ピニング構造を採用する。第2のタイプは、基板、底部層、底部ピニング層、中間バリア層、上部ピニング層、及びキャップ層を下から上の順序で、含む。第2のタイプにおいて、上部ピニング層及び底部ピニング層は、直接ピニング構造又は間接ピニング構造を採用する。磁性ナノ多層膜構造の第3のタイプは、基板、底部層、底部磁性多層膜、底部磁性層、中間バリア層、上部磁性膜、上部磁性多層膜及びキャップ層を下から上の順序で含む。第3のタイプにおいて、磁性多層膜の磁気モーメントは、膜面に垂直であり、底部多層膜と上部多層膜の保磁力が異なり、2つの強磁性層、すなわち上部強磁性層及び底部強磁性層の磁気モーメントは、アニーリングを介して反平行配置にある。
摘要翻译：平面纳米磁性多层膜和用于温度传感器及其制造方法。所述多层膜可分为三种类型。第一种类型的结构中，在基板（1），底层（2），底部磁性复合材料层（3），中间层（4），上部磁性复合材料层（5）和所述覆盖层（6）包括在从底部顺序到顶部。在第一种类型中，上部磁性复合层（5）和底磁性复合层（3）采用直接钉扎结构或间接钉扎结构。第二种类型，一基板，一底层，底钉扎层，中间势垒层，上钉扎层，并从底部，包括上帽层的顺序。在第二种类型中，上钉扎层和钉扎底部层采用直接钉扎结构或间接钉扎结构。第三种类型的磁性纳米多层膜结构的包括基板，底层，底磁性多层膜，底磁性层，中间势垒层，上磁膜，在上部磁性多层膜，并从底部的帽层之上的顺序。在第三类型中，磁性多层膜的磁矩是垂直于膜平面的，不像底部多层膜的矫顽力和两个铁磁层的上部多层膜，即上侧强磁性层和底部铁磁层磁矩通过退火反平行地布置。

13. 发明专利

JP2014529839A ナノパターン化及び超広帯域電磁特性測定システム有权
标题翻译：纳米图形化和超宽带电磁特性测量系统
公开(公告)号：JP2014529839A
公开(公告)日：2014-11-13
申请号：JP2014521921
申请日：2012-07-17
申请人：中国科学院物理研究所 , 北京匯徳信科技有限公司
发明人：韓秀峰 , 馬勤礼 , 于国強 , 劉厚方 , 余天 , 周向前 , 艾金虎 , 孫曉玉
IPC分类号： H01J37/28 , G01R29/00 , G01R33/12 , H01J37/244 , H01J37/305 , H01L21/027
CPC分类号： H01J37/26 , G01R31/2822 , G01R31/315 , H01J37/3174 , H01J2237/24564 , H01J2237/28 , H01L22/12
摘要：本発明は、電源1と、制御装置2と、測定装置3とを備え、前記制御装置2は前記測定装置3に接続され、前記制御装置2と前記測定装置3は、それぞれ前記電源1に接続されており、前記測定装置3は、SEM結像又はEBLパターン化機能を有する結像装置31と、真空チャンバー32と、真空システム33と、試料ステージ34と、磁場応答特性測定装置35とを備え、前記真空システム33は前記真空チャンバー32に接続され、前記結像装置31、前記試料ステージ34及び前記磁場応答特性測定装置35は、いずれも前記真空チャンバー32内に設置され、前記結像装置31と前記磁場応答特性測定装置35は前記試料ステージ34に応じて設置されている、ナノパターン化及び超広帯域電磁特性測定システムを提供する。本発明によれば、高速で効率よくナノ材料とデバイス、及びそのアレイ試料の測定と研究を行うことができ、幅広い応用分野を有している。
摘要翻译：本发明连接在电源1，一个控制单元2，和一个测量装置3中，控制单元2被连接到测量装置3，所述的控制装置2测量装置3中，分别对电源1的是，测量装置3设置有成像装置具有SEM成像或EBL图案化功能，真空室32，真空系统33，试样台34和磁场响应特性的测量装置31 35 真空系统33连接到真空室32，成像装置31中，样品台34和磁场响应特性的测量装置35都位于真空室32内，成像设备31 其中，所述磁场响应特性的测量装置35是安装在根据样品台34，以提供纳米图案化和超宽带电磁特性测量系统。根据本发明，可以进行快速和有效的纳米材料和设备，并且阵列样本研究的测定中，具有广泛的应用范围。

14. 发明专利

JP4074124B6 JP4074124B6 - Nonlinear optical crystal laser frequency conversion coupler 有权
公开(公告)号：JP4074124B6
公开(公告)日：2008-02-01
申请号：JP2002114033A
申请日：2002-04-16
申请人：中国科学院物理研究所 , 中国科学院理化技術研究所
发明人：軍華呂 , 桂玲王 , 祖彦許 , 創天陳

15. 发明专利

JP4880669B2 Core composite membrane and its applications for use in a magnetic / non-magnetic / magnetic multilayer film 有权
公开(公告)号：JP4880669B2
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：JP2008502228
申请日：2006-03-24
申请人：中国科学院物理研究所
发明人：中明曽 , 関祥杜 , ▲貞▼敏洪 , 天興王 , 高全石 , 秀峰韓
IPC分类号： H01L43/10 , H01F1/00 , H01F41/24 , H01L43/08 , H01L43/12
CPC分类号： B82Y25/00 , G11B5/3909 , G11B2005/3996 , H01F10/005 , H01F10/3268

16. 发明授权

CN115894948B 超分子相互作用的固态聚合物电解质、制备方法及应用有权
公开(公告)号：CN115894948B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202210452250.3
申请日：2022-04-27
申请人：中国科学院物理研究所
发明人：胡勇胜 , 苏韵 , 容晓晖 , 陈立泉
IPC分类号： C08G83/00 , C08G81/02 , C08J5/18 , C08L87/00 , H01M10/052 , H01M10/054 , H01M10/0565 , H01M10/058
摘要：本发明公开了一种超分子相互作用的固态聚合物电解质、制备方法及应用，超分子相互作用的固态聚合物电解质包括具有拓扑结构的聚合物基体和金属盐；聚合物基体由引发剂引发有机物单体聚合形成；聚合物基体之间及聚合物基体与金属盐之间具有超分子内的分子间作用力。

17. 发明授权

CN114428180B 一种二维纳米材料的STEM样品的制备方法有权
公开(公告)号：CN114428180B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202210049857.7
申请日：2022-01-17
申请人：中国科学院物理研究所 , 北京理工大学 , 中国科学院大学
发明人：朱知力 , 王业亮 , 时金安 , 刘中流 , 武旭 , 周武 , 高鸿钧
IPC分类号： G01Q30/20
摘要：结构被破坏的问题。本发明公开了一种二维纳米材料的STEM样品的制备方法，在真空环境中对制备好的二维纳米材料原位进行第一层保护层的蒸镀；在真空环境中对已经蒸镀第一层保护层的二维纳米材料原位进行第二层保护层的蒸镀；从真空环境中取出蒸镀二层保护层的二维纳米材料，通过电子束与离子束诱导沉积的方式沉积铂金薄膜，然后采用聚焦离子束进行取样，得到样品薄片，采用聚焦离子束对所述样品薄片进行减薄，至样品薄片在扫描电子显微镜(SEM)中衬度变白，得到二维纳米材料的STEM样品。本发明通过真空中原位蒸镀富勒烯(C60)薄膜和金属薄膜或非金属薄膜的(56)对比文件赵兴钰等.C60-有机聚合物薄膜的结构.《真空科学与技术》.1994,第14卷(第2期),第119-122页.马浚等.银加载爆轰实验中生成的固体粒子表征《.爆炸与冲击》.2013,第33卷(第06期),第639-646页.吴克等.富勒烯薄膜上二维金属渗流系统的电击穿现象《.物理学报》.1996,第45卷(第11期),第1905-1912页.Zhu, Zhi-Li 等.Charge density wavestates in phase-engineered monolayerVTe2《.Chinese Physics B》.2022,第31卷(第7期),第077101- 1-6页.Imran,M 等.Highly efficient andstable inverted perovskite solar cellswith two-dimensional ZnSe deposited usinga thermal evaporator for electroncollection《.Journal of MaterialsChemistry A》.2018,第6卷(第45期),第22713-22720页.伍春燕等.Sn-C60薄膜的紫外吸收光谱和X-射线衍射谱分析《.光谱学与光谱分析》.2002,第22卷(第3期),第495-497页.Moritz Riede 等.Optimization oforganic tandem solar cells based on smallmolecules《.2010 35th IEEE PhotovoltaicSpecialists Conference》.2010,第000513-000517页.傅继业.应用于纳米孔光学检测的石墨烯薄膜转移方法的研究《.中国优秀硕士学位论文全文数据库工程科技Ⅰ辑》.2020,(第5期),第B014-5页.朱知力.新型二维钒碲化合物材料的制备与物性研究《.中国博士学位论文全文数据库基础科学辑》.2023,(第2期),第A005-332页.

18. 发明授权

CN115216676B 一种各向异性负热膨胀材料及其制备方法和应用有权
公开(公告)号：CN115216676B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202110422076.3
申请日：2021-04-20
申请人：中国科学院物理研究所
发明人：周厚博 , 沈斐然 , 胡凤霞 , 尉紫冰 , 高怡红 , 郝嘉政 , 王晶 , 孙继荣 , 赵同云 , 沈保根
IPC分类号： C22C30/00 , C22C30/04 , C22C30/02 , C22C1/02 , C22C1/04 , C22F1/00 , C22F1/02
摘要：要实际意义。本发明提供一种各向异性负热膨胀材料，其包括Ni2In‑型六角结构的Mn(Co,Ni)Ge基合金粉末和粘结剂，其中，所述合金具有相变温度在100～470K之间的马氏结构相变，并且其马氏相呈现螺旋铁磁或螺旋反铁磁的自旋结构，所述材料的各向异性系数q满足：1＜q≤12。本发明在Mn(Co,Ni)Ge基家族中选择马氏相呈现螺旋铁磁或者螺旋反铁磁的材料体系，使用不同制备工艺在材料内部引入织构并改变压片的孔隙率，首次实现了各向异性巨大负热膨胀行为，各向异性系数随织构、孔隙率连续可调，各向异性系数最大可达11(56)对比文件Enke Liu et al..“MagnetostructuralTransformation and MagnetoresponsiveMnNiGe1-xSn x Properties of Alloys”《.IEEETRANSACTIONS ON MAGNETICS》.2011,第47卷(第10期),Enke Liu et al..“MagnetostructuralTransformation and MagnetoresponsiveMnNiGe1-xSn x Properties of Alloys”《.IEEETRANSACTIONS ON MAGNETICS》.2011,第47卷(第10期),YaNing Xiao etal..“Large inversemagnetocaloric effect induced byantiferromagnetically magnetostructuraltransition in Mn0.8Fe0.2Ni1-xCuxGecompounds”《.Journal of Alloys andCompounds》.2018,第769卷YaNing Xiao etal..“Large inversemagnetocaloric effect induced byantiferromagnetically magnetostructuraltransition in Mn0.8Fe0.2Ni1-xCuxGecompounds”《.Journal of Alloys andCompounds》.2018,第769卷R.DURAJ, R et al..“MAGNETIC PHASETRANSITIONS IN NiMnSinGe1-n AND NiMn1-tTitGe SYSTEMS UNDER PRESSURE”《.Journalof Magnetism and Magnetic Materials》.1988,第73卷R.DURAJ, R et al..“MAGNETIC PHASETRANSITIONS IN NiMnSinGe1-n AND NiMn1-tTitGe SYSTEMS UNDER PRESSURE”《.Journalof Magnetism and Magnetic Materials》.1988,第73卷

19. 发明授权

CN114812847B 一种拓扑型温度计、其制备及测量方法有权
公开(公告)号：CN114812847B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202210473035.1
申请日：2022-04-29
申请人：中国科学院物理研究所
发明人：沈洁 , 李宇鹏 , 王安琪 , 杨光 , 吕力 , 石友国 , 王志俊 , 钱天
IPC分类号： G01K7/22 , G01K15/00
摘要：本发明提供了一种拓扑型温度计，所述拓扑型温度计能够测量室温到极低温。还提供了其制备及测量方法。该温度计的核心部件是热敏响应材料，如具有范德瓦尔斯层状特征的材料Ta2Pd3Te5。在高温段，其电阻与温度的响应关系表现出指数变化关系，具有很好的温度响应行为；在低温段(约10K以下)，电阻与温度的响应关系表现出幂指数变化关系，并可延申到极低温(100mK以下)。其在极低温的电阻也远小于1兆欧，并具有可靠的温度响应特点，并将最低温度测量极限提高μK级以下。此外，该温度计在强磁场下的磁阻较小，即显示温度偏差也较小。该温度计不同温度区间的两种温度电阻变化行为和低温响应灵敏度的可控特点使其可应用于横跨6个数量级以上的温度测定，尤其为极低温温度测定提供了新型且可靠的技术支持。

20. 发明授权

CN114965866B 用于测量材料的物理性质的系统有权
公开(公告)号：CN114965866B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202110208277.3
申请日：2021-02-24
申请人：中国科学院物理研究所
发明人：曹立新 , 王瑞 , 黄忠学 , 陈浩锋 , 杨鑫
IPC分类号： G01N33/00 , G01D21/02
摘要：本发明提供一种用于测量材料的物理性质的系统，其包括：沉积单元、引线键合单元、变温电输运测量单元以及气体净化单元；其中，所述沉积单元、引线键合单元、变温电输运测量单元通过样品转移通道连通；所述气体净化单元与所述沉积单元、引线键合单元、变温电输运测量单元通过气体循环通道气密性连通，以使得所述系统构成气体循环回路；所述沉积单元包括通过真空闸板阀密封连通的电极沉积准备单元和电极沉积单元；所述系统还包括用于样品进入和离开所述系统的样品进出管道。本发明的测量系统具有成本节约、易于维护和操作简单的特点，并且特别适用于对氧气、水汽敏感的材料的物理性质的测量。

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