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序号	专利名	申请号	申请日	公开（公告）号	公开（公告）日	发明人
61	一种压电式MEMS 散热器	CN202311768337.2	2023-12-21	CN117727715A	2024-03-19	刘子仪; 费跃; 葛斌; 王焕焕; 陈思奇; 蔡金东; 全雪; 范文轩
本发明公开了一种压电式MEMS散热器，包括：散热器底座包括中央区和环绕中央区的边缘区，边缘区包括多个进气口和多个出气口；止回阀层包括进气阀和出气阀阵列，进气阀覆盖进气口，出气阀覆盖出气口；压电执行器层设置于止回阀层远离散热器底座的一侧，压电执行层包括第一基底、设置于第一基底一侧的多个压电振动单元；第一基底与散热器底座以及止回阀层形成空腔；第一基底包括多个通孔，每一通孔对应设置一压电振动单元，压电振动单元用于接收电信号时振动，使空腔内的气体通过出气阀和出气口排出或者使外部气体通过进气口和进气阀进入空腔。本发明提供了一种具备更小尺寸、更低功耗、低噪音的微小型散热器。
62	一种MEMS 加速计器件结构及其制备方法	CN202311474919.X	2023-11-06	CN117723779A	2024-03-19	张汇文; 徐洋; 朱莉莉
本发明提供一种MEMS加速计器件结构及其制备方法，属于MEMS加速计技术领域。该MEMS加速计器件结构包括信号互联晶圆、器件层和盖板；器件层与盖板之间形成有至少一个第一空腔，信号互联晶圆与器件层之间形成有至少一个第二空腔；盖板上设有至少一个第一通孔，或/和信号互联晶圆上设有至少一个第二通孔；该器件结构还包括用于密封第一通孔的第一封孔层或/和用于密封第二通孔的第二封孔层。该器件结构的制备方法中将镀疏水材料的步骤移到部件结合步骤之后，既不影响器件密封性能，又避免疏水材料受温度的影响，并保证器件结构内部所有的表面均能镀疏水材料，达到更好的防粘合效果。
63	一种MEMS 硅压阻式压力传感器晶圆划片方法	CN202311560684.6	2023-11-22	CN117720062A	2024-03-19	李自春; 娄逸萱; 石承伟
本发明涉及一种MEMS 硅压阻式压力传感器晶圆划片方法，它应用于一面为硅结构层、另一面为玻璃结构层的压力传感器晶圆划片；其包括以下步骤：将晶圆的玻璃结构层表面上贴膜并固定在晶圆划片机工作台上；编辑晶圆划片机的划切参数，对第硅结构层进行切割，且划片刀未接触玻璃结构层；将晶圆取出，放入晶圆清洗机清洗硅屑，清洗干净后吹干并将膜撕下；将晶圆的硅结构层表面上贴膜并固定在晶圆划片机工作台上；编辑晶圆砂轮划片机的划切参数，对玻璃结构层进行切割分离；将晶圆取出，放入晶圆清洗机清洗硅屑，清洗干净后吹干进行倒膜。本发明通过先划切硅结构层再划切玻璃结构层的方式，有效降低划切过程中产生的应力，保证晶圆划切质量。
64	晶圆键合对准装置	CN202311839854.4	2023-12-29	CN117524897B	2024-03-19	时磊; 张羽成
本发明提供了一种晶圆键合对准装置，包括热盘，限位机构，隔片机构及对准机构；热盘形成凹设部与限位槽；限位机构形成圆形限位区域；对准机构包括刚性对准组件，浮动板及第三驱动机构；浮动板横向设置导引支架，导引支架朝向热盘形成导引面，刚性对准组件包括定位组件，滚动体及抵持组件，浮动板在第三驱动机构的驱动下作升降运动，滚动体在导引面的导引下滑动，定位组件沿限位槽作径向伸缩运动，以由定位组件对贴合后的第一晶圆与第二晶圆的边缘执行对准。本申请显著地提高了晶圆同心度对准效果，消除了二次同步对准过程中所产生的横向误差，并避免了在键合面上形成空洞，降低了第一晶圆对第二晶圆造成的冲击力。
65	一种制备蛾眼减反结构的方法	CN202110162968.4	2021-02-05	CN112978674B	2024-03-19	张琬皎; 龙眈
本发明公开了一种制备蛾眼减反结构的工艺方法。方法包括：在原始硅模具的表面制备纳米柱阵列；具有纳米柱阵列的PDMS软模板的制备；在基片上制备第一金属层；在第一金属层上制备图形转移层，将PDMS软模板图形复制转移到图形转移层的表面，并得到若干个纳米柱；纳米柱阵列结构表面修饰；半球形曲面掩膜的刻蚀和成蛾眼减反结构的刻蚀。本发明通过纳米压印将纳米圆柱结构转移到基片表面并转化加工得到弧形曲面掩膜，最终在基片刻蚀得到蛾眼减反结构，避免了电子束/光学光刻—刻蚀、自组装法等制备蛾眼减反结构慢、昂贵、工艺复杂，自组装法不可控、不能大面积批量制备的技术缺点，以较低的成本实现了蛾眼减反结构高效、可控、批量的制备。
66	一种基于激光直写的金属氧化物微纳结构、其制备和应用	CN202011076055.2	2020-10-10	CN112028013B	2024-03-19	罗为; 熊伟; 毛天立; 龙婧; 王莹琛; 刘欢
本发明属于激光应用技术领域，更具体地，涉及一种基于飞秒激光直写的金属氧化物微纳结构、其制备和应用。本发明首先将金属氧化物前驱体与溶剂混合制备得到金属氧化物前驱体溶胶凝胶，接着将该溶胶凝胶涂覆于衬底表面得到凝胶薄膜，进行飞秒激光直写，利用飞秒激光高峰值功率产生的能量使金属氧化物前驱体发生反应生成金属氧化物微纳结构。本发明通过飞秒激光直写技术直接实现金属氧化物微纳结构的制备，由于飞秒激光峰值功率高，可直接烧结出金属氧化物，不需要其他处理，方便快捷。适用于任意亲疏水基底，可实现高精度、跨尺度、高定向的任意金属氧化物微纳结构的制备。
67	机电系统和用于运行机电系统的方法	CN202280050194.9	2022-07-06	CN117716207A	2024-03-15	T·吉塞尔曼; G·拉梅尔
本发明涉及一种机电系统，其具有：微机电装置，MEMS装置，所述MEMS装置具有能振动的部件；信号处理装置，所述信号处理装置构造为用于，接收和处理由所述MEMS装置输出的信号；和，电压提供装置，所述电压提供装置构造为用于，给所述信号处理装置提供至少一个电源电压，其中，所述电压提供装置包括至少一个开关调节器。电压提供装置能够在同步运行状态中和在异步运行状态中运行。
68	一种射频微系统三维互连结构的制备方法	CN202311671628.X	2023-12-07	CN117712031A	2024-03-15	张君直; 杨进; 刘梓枫; 朱健
本发明公开了一种射频微系统三维互连结构的制备方法，包括基板三维互连结构制备方法和裸芯片三维互连结构制备方法，基板三维互连结构制备方法依次在上基板制作定位孔、互连基座，在下基板制作垂直定位柱和垂直互连柱，上基板和下基板通过定位孔和垂直定位柱固定定位，垂直互连柱和各互连基座对准和固定连接；裸芯片三维互连结构制备方法包括在下基板制作键合指、裸芯片、三维互连微柱，实现任意空间三维互连；本发明所设计的方法基于3D打印增材制造工艺，没有温度梯度，解决了传统方案占用空间大，容易形成焊料短路，无法实现窄间距互连、三维堆叠受温度梯度制约以及对线弧的高度、角度、弧长有苛刻要求等痛点，具有很强的创新性和工程实用性。
69	一种MEMS工艺的NOx基气体传感器测试方法	CN202311699011.9	2023-12-12	CN117705891A	2024-03-15	刘斌; 王向谦; 谢明玲; 何开宙; 宋玉哲
本发明公开了一种MEMS工艺的NOx基气体传感器测试方法，涉及传感器技术领域。包括以下测试方法：S1、模拟实验：根据气体传感器的要求和应用场景，利用计算机辅助设计软件对传感器进行模拟实验，制定模拟实验场景，模拟内容主要有：针对MEMS气体传感器的性能测试、不同环境下的温湿度测试、对传感器的输出进行校准和线性化测试、传感器稳定性测试；S2、芯片制备：采用MEMS技术制备传感器芯片，包括气体敏感层、微加工结构和传感电极。通过结合了微纳加工技术和传感器原理，实现了高度集成化、小型化和高灵敏度的气体传感器，与传统的基于化学反应的气体传感器相比，本发明具有灵敏度高、响应时间短、成本低的优势，适用于多种应用场景。
70	MEMS 传感器及其制作方法	CN202311728435.3	2023-12-15	CN117699736A	2024-03-15	张春伟; 曹兴龙
本发明公开了一种MEMS 传感器及其制作方法，其中，所述方法包括：提供晶片，在其一侧形成第一介质层并在第一介质层内形成贯通的第一导电结构；提供第一基板，其一侧设有导电互联结构；在导电互联结构上形成第三介质层，刻蚀第三介质层以形成第三通孔以及第二凹槽；在第三通孔和第二凹槽内分别形成第三导电结构和固定电极结构；第一介质层和第三介质层键合，第一导电结构和第三导电结构键合；刻蚀晶片形成MEMS器件结构；提供顶盖体，顶盖体与晶片键合以得到MEMS传感器。本申请的混合键合方式实现第一基板和晶片间的连接和电导通的同时，第三导电结构和固定电极结构的同时形成，简化了生产工艺，降低了生产成本。
71	具有温度稳定输出的电容式传感器	CN202311679919.3	2019-04-25	CN117699733A	2024-03-15	奥拉夫·文尼肯; 弗雷德里克·万海尔蒙特; 威廉·弗雷德里克·贝斯林; 雷姆卡·亨里克斯·皮内伯格; 卡斯·范德阿福尔特; 安德森·辛格拉尼; 马基恩·戈森斯
一种示例系统，包括传感器。该传感器包括具有基底电极的基底以及悬在该基底上方的第一膜。第一膜包括第一膜电极。第一膜被配置为响应于环境条件而相对于基底电极偏转。传感器可操作以测量基底电极与第一膜电极之间的电容。该系统还包括第一导电屏蔽层，该第一导电屏蔽层定位在传感器与该系统的可操作以生成电干扰信号的设备之间。第一导电屏蔽层限定延伸穿过该第一导电屏蔽层的多个第一孔。该系统还包括设置在多个第一孔中的介电材料。
72	一种超声换能基板、制备方法及超声换能设备	CN202410021275.7	2024-01-05	CN117696412A	2024-03-15	宫奎; 段献学
本申请公开一种超声换能基板、制备方法及超声换能设备，涉及超声技术领域，可以提高超声换能设备的振动薄膜的弹性，抑制振动薄膜断裂风险，提高超声换能设备的可靠性，延长超声换能设备的使用寿命。超声换能基板包括：基底；第一电极，设置于基底的一侧；第一绝缘层，设置于第一电极远离基底的一侧；第二绝缘层，设置于第一绝缘层远离基底的一侧，第二绝缘层靠近基底的一侧与第一绝缘层远离基底的一侧之间形成有空腔；第二电极，设置于第二绝缘层远离基底的一侧；第二绝缘层用于通过振动形变实现超声能量转换；第二绝缘层远离基底的一侧具有凹陷部和/或凸起部，和/或，第二绝缘层靠近基底的一侧具有凹陷部和/或凸起部。
73	底电极红外探测器结构	CN202011386167.8	2020-12-01	CN112551477B	2024-03-15	康晓旭; 钟晓兰; 李铭
本发明提供一种底电极红外探测器结构，包括：设于介质结构内的底电极结构，所述底电极结构包括金属互连层和位于所述金属互连层上的金属通孔；设于所述介质结构表面的反射层；设于所述反射层上微桥结构，所述微桥结构包括微桥桥面及支撑结构，所述微桥桥面包括自下而上依次设置的第一红外敏感层和红外保护层，所述支撑结构包括自内向外依次设置的电极柱、第一功能层和第二红外敏感层。通过第二红外敏感层与反射层形成欧姆接触，有效提升器件的性能。
74	一种硅-玻璃密封的黑硅表面红外光源芯片及制备方法	CN201810978584.8	2018-08-27	CN109231154B	2024-03-15	蒋一博; 伞海生; 李晓波
本发明提供一种硅‑玻璃密封的黑硅表面红外光源芯片及制备方法，硅‑玻璃密封的黑硅表面红外光源芯片包括通过阳极键合的发光薄膜和玻璃晶片；发光薄膜包括依次设置的多晶硅层、隔离氧化硅层、硅器件层和黑硅层；玻璃晶片上设置有凹槽；多晶硅层中部为电加热多晶硅层，多晶硅层的外缘为高阻多晶硅层，电加热多晶硅层覆盖在玻璃晶片的凹槽上方形成密闭空腔；电加热多晶硅层背离玻璃晶片的一侧设置有金属电极，金属电极背离电加热多晶硅层的一侧与电源连接，所述电加热多晶硅层层通过金属电极与外部相连；玻璃晶片的凹槽底部或玻璃晶片的基底上沉积有金属红外反射层。该芯片具有耐高温、抗氧化、可靠性高、寿命长、光电效率高、可调制的优点。
75	一种嵌入式3D堆叠封装结构及其制造方法	CN202311693821.3	2023-12-11	CN117682474A	2024-03-12	汤茂友; 徐刚; 邵滋人
本发明涉及半导体封装技术领域，具体地说是一种嵌入式3D堆叠封装结构及其制造方法，包括重新布线层，重新布线层上方设有第一芯片，第一芯片包裹在第一塑封体中，第一塑封体的上方开有槽体，槽体底部设有第二芯片，第一塑封体内设有导电结构，导电结构的一端与重新布线层连接，另一端通过引线与第二芯片连接，第二芯片包裹在第二塑封体中，第一塑封体的上方设有盖板，重新布线层的下方设有金属凸块。同现有技术相比，通过重新布线层代替基板，可以减薄封装体的厚度；同时采用开槽嵌入的方式进行堆叠，不仅可以提高产品的集成度，进一步减小封装体的横向面积，还可以提高嵌入的第二塑封体的可靠性，从而提高产品的综合性能。
76	一种耐高温压力传感器及制造方法	CN202110371748.2	2021-04-07	CN112875637B	2024-03-12	王明伟; 丁文波; 夏露; 程鑫; 吴佐飞; 刘兴宇; 刘智辉; 田雷
本发明的一种耐高温压力传感器及制造方法涉及无引线封装结构半导体压力传感器和制造方法，目的是为了克服现有压力传感器的无引线封装对封装材料间的热膨胀系数匹配性要求高，无法长期稳定地在宽温区范围内使用的问题；其中耐高温压力传感器包括：MEMS芯片的正面设有多个槽孔；槽孔能够露出金属电极；管座包括管座外壳、导电管脚和内部支撑体；管座外壳为两端开口的中空柱状壳体；导电管脚的一端为圆柱螺旋线状，通过内部支撑体与管座外壳固定于一体；导电管脚的一端穿过并露出于内部支撑体的一端端面，形成凸出的插入连接部；MEMS芯片的正面通过软胶层固定于内部支撑体的一端端面；插入连接部一一对应地插入槽孔中与对应的金属电极电气连接。
77	一种抗离子流干扰的谐振式静电场传感器及测量装置	CN202311672035.5	2023-12-07	CN117665419A	2024-03-08	杨鹏飞; 王若航; 李晓南; 顾羽
本发明公开一种抗离子流干扰的谐振式静电场传感器及测量装置，属于传感器技术领域。本发明的谐振式静电场传感器设置可变电容结构使第一电场感应电极和/或第二电场感应电极的输出电压与施加在第一驱动电极和第二驱动电极上的驱动电压存在2倍频的关系，避免驱动电压与输出电压同频而导致的干扰噪声大、信噪比低的问题，本发明设置第一固定电极、第二固定电极、第一电场感应电极和第二电场感应电极，使该谐振式静电场传感器能够实现差分测量，消除离子流场对被测电场的影响，实现存在离子流的直流高压输电线路附近的直流电场准确测量。
78	微机械压力传感器和用于制造微机械压力传感器的方法	CN202311163040.3	2023-09-08	CN117664430A	2024-03-08	F·韦尔克; C·于芬格; D·S·波德别尔
本发明涉及一种微机械压力传感器(100)，所述微机械压力传感器包括：传感器壳体(101)，所述传感器壳体具有容纳空间(103)和压力开口(119)，经由所述压力开口能够实现所述容纳空间(103)与所述压力传感器(100)的环境之间的在流体技术上的连接；传感器系统(105)，所述传感器系统布置在所述容纳空间(103)中，所述传感器系统具有ASIC结构(107)、MEMS结构(109)和膜片元件(111)；凝胶材料(113)，所述凝胶材料布置在所述容纳空间(103)中并且至少遮盖所述膜片元件(111)，其中，在所述凝胶材料(113)的面向所述传感器壳体(101)的压力开口(119)的表面(115)上构造有涂层(117)，所述涂层具有至少一个留空部区域(123)，其中，在所述留空部区域(123)中在所述凝胶材料(113)的表面(115)上未构造有涂层(117)。此外，本发明涉及一种用于制造微机械压力传感器(100)的方法(200)。
79	硅基宽阵列纳米通孔的制造方法及硅基宽阵列纳米通孔	CN202311653710.X	2023-12-04	CN117658058A	2024-03-08	陈云; 吴文轩; 蔡楚濠; 张子超; 侯茂祥; 吴恒旭; 马莉; 陈新
本发明提供了一种硅基宽阵列纳米通孔的制造方法及硅基宽阵列纳米通孔，所述制造方法包括以下步骤：S1、硅片准备：对硅片晶圆进行初步清洗烘干；S2、锥形槽初步刻蚀：将所述硅片浸泡在KOH和异丙醇的混合溶液中刻蚀；S3、金属辅助化学刻蚀：通过匀胶机将包覆SiO2的Au颗粒溶液旋涂在硅片表面，固化后将目标硅片浸泡在HF和H2O2混合液中刻蚀；S4、去除所述目标硅片的表面多余杂质，并依次进行离心洗涤与真空干燥，得到硅基宽阵列纳米通孔成品。本发明的硅基宽阵列纳米通孔的制造方法制造效率高，硅纳米孔排列有序且间距易调控，稳定性好。
80	一种扫描微镜芯片的制备方法及扫描微镜芯片	CN202311569611.3	2023-11-21	CN117658057A	2024-03-08	夏园林; 夏银锋; 张林; 夏操; 王竹卿
一种扫描微镜芯片的制备方法及扫描微镜芯片，属于微型光学器件领域。扫描微镜芯片的制备方法包括：对硅晶片进行图案化刻蚀得到梁结构；在梁结构表面全包覆含碳保护层得到扭转梁。扫描微镜芯片能够通过上述的制备方法制得，该扫描微镜芯片的扭转梁包括梁结构和全包覆在梁结构表面的含碳保护层；扭转梁满足以下条件(a)和(b)；(a)扭转梁的强度为1.8～4GPa，可选为2GPa～4GPa；(b)扭转梁的扭转角度≥‑20°～20°，可选≥‑30°～30°。该扫描微镜芯片的制备方法，采用硅晶片作为基片，大幅降低了制造成本；刻蚀后的裸硅表面全包覆含碳保护层，通过屏蔽刻蚀后的裸硅的表面缺陷，能够提高扭转梁的强度和扭转角。

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