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首页 / 专利分类库 / 无机化学 / 非金属元素;其化合物(制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P3/00;用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B) / 制备卤化物的一般方法(个别特殊的卤化物,见按与卤素化合的元素分的C01B至C01G小类中有关各组;无机化合物的电解法制备入C25B)
序号 专利名 申请号 申请日 公开(公告)号 公开(公告)日 发明人
1 从卤化氢中除去分的组合物和方法 CN98103093.9 1998-07-29 CN1126711C 2003-11-05 麦肯齐·E·金
提供了一种从卤化氢流体中有效地除去分的组合物,该组合物包括卤化镁涂布的大孔含基材。通过使卤化氢流体与卤化镁涂布的大孔含碳基材充分接触,并从涂布基材分离流体实现了有效地除去水分。
2 一种腈基树脂单体的新型制备方法 CN202010762385.0 2020-07-31 CN111875794A 2020-11-03 杨旭林; 王盼; 李逵; 刘前程; 安旭光; 李涛; 王怡如; 孔清泉; 冯威; 杨向莙; 杨林峰; 汤贻龙; 曾德莉; 卢志龙
发明公开了一种腈基树脂单体的新型制备方法,属于高分子领域,具体涉及腈基树脂单体制备技术领域,以解决现有腈基树脂单体制备中会产生副产物亚硝酸盐,使成分复杂,且危害工作人员及环境的缺陷,以卤代邻苯二甲腈为原料,采用酚类,以弱性盐为催化剂,以极性溶剂为反应介质,反应制得反应液,采用一步法或两步法合成,对反应液纯化得到腈基树脂粉末和副产物卤化盐。本发明主产物腈基树脂的产率高,副产物为单一的卤化盐,毒性小、成分简单、安全可靠、收率高、废水少、更加经济、安全和环保,此外能够回收大量溶剂,废水中溶剂含量降低。
3 一种紫外激发白光LED的矿白色荧光粉及制备方法 CN201710869139.3 2017-09-22 CN107699237A 2018-02-16 马必鹉; 董安钢; 张家奇; 夏浩孚; 陈延兵
发明公开了一种紫外激发白光LED的矿白色荧光粉及制备方法,本发明的白色荧光粉为钙钛矿结构,具有发光效率高,光色可调性较高,能被较短波长紫外光激发而发出白光的单一相荧光粉,且荧光粉的发光强度高,克服了荧光粉混合调配所带来的缺陷及光效低的问题;制备方法简单,生产成本低,能耗较小;本发明的白色荧光粉化学性稳定,抗湿性较好,具有较好的光衰一致性。
4 氯化过程的温度管理以及与其相关的系统 CN201480024560.9 2014-03-12 CN105164050A 2015-12-16 马克·威廉·达塞尔
呈现了反应器设计和操作条件,其使得能够进行通过氯化氢的冶金的绝热直接氯化。反应的放热被与所述反应的反应物和产物混合的冷却流体所吸收,由此消除了反应器对外部冷却的需要。反应器的温度是通过控制反应器进料的温度和组成来进行管理的。进料包含氢气、STC、TCS、HCl和冶金硅。提供了示例性的进料组成、流速、以及温度。描述了产生进料的供替代的方法,包括其中进料为上游STC转化器的产物的方法。
5 纳米级金属和金属化合物的制备方法 CN01822413.X 2001-12-17 CN1264629C 2006-07-19 K·M·莱维斯; 余铧; R·N·恩格; S·R·克罗米尔; C-L·奥阳; A·T·梅雷格
发明是制备纳米级金属化合物的方法。优选的产物是纳米级,纳米级铜(I)化物,和纳米级铜(II)氧化物。该方法包括在优选选自烷基苯,多芳香,烷烃和/或环烷烃的烃中,加热一种铜前体。加热需要在一定温度下进行一段时间,以实现将例如金属铜前体转化为纳米级铜(II)氧化物,纳米级铜(I)氧化物和/或纳米级铜。然后进行烃的分离。回收固体产物,并再次/重复使用回收的烃,进行随后的纳米级金属和金属氧化物的制备。通过与合适的酸反应并同时在烃中分散,本发明的纳米级金属氧化物可以另外转化为纳米级金属盐。
6 一种金属卤化物的生产方法及其生产装置 CN201911324821.X 2019-12-20 CN111186818B 2023-04-18 尚俊龙; 宋明明; 李茜; 王璐; 阎成友
发明提供一种金属卤化物的生产方法及其生产装置,所述金属卤化物的生产方法包括以下几个步骤:步骤1、将卤源与金属元素源混合;步骤2、将混合物放入反应器,向反应器中通入保护性气体,通气时长1‑5h;步骤3、在保护性气氛保护下,将混合物加热至100‑400℃,保温0.5‑10h;步骤4、在保护性气氛保护下,继续升温至500‑1000℃,保温1‑50h,得到金属元素卤化物。本发明金属卤化物的生产方法步骤简单、易行,无有毒、有害物质产生,避免或减少了高腐蚀性高毒性卤素对人及环境的危害。
7 固体电解质材料和使用该材料的电池 CN201980069385.8 2019-12-04 CN112930319A 2021-06-08 西尾勇祐; 宫武和史; 久保敬; 浅野哲也; 酒井章裕
本公开的目的在于提供具有高的锂离子传导率的固体电解质材料。本公开的固体电解质材料,包含Li、Y、O和X,X为选自F、Cl、Br和I中的至少两种元素。
8 还原含卤素化合物的方法 CN201780075992.6 2017-12-04 CN110049945A 2019-07-23 塞利内·雷托雷; 蒂莫·奥特
发明涉及将卤素还原成卤化物的方法,其中过化氢、亚硫酸盐、亚硫酸氢盐、焦亚硫酸盐及其前体被用作还原剂。
9 聚氯化式氯化铝,方法和组成:高碱度和超高碱度产品 CN200780006608.3 2007-01-04 CN101437753A 2009-05-20 威廉斯·E·普拉特; 约瑟夫·J·斯蒂文斯三世; 彼得·戈登·西蒙斯
发明一般涉及生产高度和超高碱度聚氯化(包括碱式氯化铝)的方法。该方法可生产各种碱度范围的产品,特别适用于生产高碱度产品。该方法可产生各种溶液浓度,特别用于产生高溶液浓度。所描述的方法产生不含副产物盐的高纯度产品。所描述的方法也可用于生产效增强的聚氯化铝,包括碱式氯化铝。与制备这些化合物的常规方法相比,所描述的方法是独特的,所揭示的方法不需要铝金属作为原料。该方法的产物适用于包括纯化应用、催化剂和止汗剂在内的应用。此外,本发明涉及通过本发明所述方法制备的产品。
10 用于制造元素卤化物的方法 CN200580039498.1 2005-11-10 CN101061060A 2007-10-24 诺贝特·奥纳
发明描述了一种用于制备元素卤化物的方法,其特征在于,在第一步中,制造由含有相应元素的材料及或含碳材料组成的混合物,将该混合物与在选定的反应条件下呈气态的卤素、卤化氢或它们的混合物相接触并加热,其中利用交变电磁场输入能量
11 纳米级金属和金属化合物的制备 CN01822413.X 2001-12-17 CN1487862A 2004-04-07 K·M·莱维斯; 余铧; R·N·恩格; S·R·克罗米尔; C-L·奥阳; A·T·梅雷格
发明是制备纳米级金属化合物的方法。优选的产物是纳米级,纳米级铜(I)化物,和纳米级铜(II)氧化物。该方法包括在优选选自烷基苯,多芳香,烷烃和/或环烷烃的烃中,加热一种铜前体。加热需要在一定温度下进行一段时间,以实现将例如金属铜前体转化为纳米级铜(II)氧化物,纳米级铜(I)氧化物和/或纳米级铜。然后进行烃的分离。回收固体产物,并再次/重复使用回收的烃,进行随后的纳米级金属和金属氧化物的制备。通过与合适的酸反应并同时在烃中分散,本发明的纳米级金属氧化物可以另外转化为纳米级金属盐。
12 一种低频微波热法制大片高质量二维纳米片的方法 CN202310785237.4 2023-06-29 CN116675254A 2023-09-01 李佳慧; 马荣谦; 谢燕楠
发明属于二维材料制备领域,公开了一种低频微波热法制大片高质量二维纳米片的方法,该方法通过采用低频微波辅助法对无机层状材料进行插层剥离,具体为:无机层状材料与插层剂混合,加热搅拌,在加热搅拌插层剂过程中加入低频微波处理,使插层剂迅速均匀分散在无机层状材料内,所述插层剂含阳离子,冷却至室温后用稀释剂稀释,采用超声震荡对插层对步骤3的得到的材料进行剥离,用去离子洗涤3‑6次,离心提纯,用分子膜过滤获得大片高质量二维纳米片材料。本发明通过对二维材料处理采用低频微波法,在不破坏主体的二维层状结构下实现了高度的插层,使得最终形成的二维纳米片,薄且厚度均匀,尺寸大,形貌良好。
13 一种配酸装置 CN202210028109.0 2022-01-11 CN114256945A 2022-03-29 李磊; 王传鸿; 曲玉强; 高翔; 黄小磊; 荣峰; 杨瑾; 韩金权; 曾令桥; 曹朋飞
发明公开了一种配酸装置,包括整流单元、逆变单元、第一电机、第二电机、第三电机、第四电机、电池单元、直流转换器、配酸控制单元、电池管理系统;所述整流单元电性连接于供电电网与逆变单元之间,所述逆变单元与所述第一电机、第二电机、第三电机以及第四电机电性连接,所述电池单元与直流转换器电性连接,所述直流转换器与逆变单元电性连接,所述逆变单元与配酸控制单元的控制器电性连接,所述整流单元、逆变单元、第一电机、第二电机、第三电机、第四电机、电池单元、直流转换器以及控制器均与电池管理系统电性连接。
14 一种卤化固态电解质材料、柔性固态电解质膜和锂电池及其制备方法 CN202011090133.4 2020-10-13 CN112216863A 2021-01-12 贺子建; 刘亚飞; 陈彦彬
发明涉及锂离子电池领域,公开了一种卤化固态电解质材料及其制备方法、柔性固态电解质膜及其制备方法、锂电池及其制备方法。所述卤化固态电解质材料具有式I所示的组成:LiαMβM’γAδA’ε式I;其中,式I中,M选自IIIB族元素和/或IIIA族元素,M’选自IIA族元素、IB族元素、IIB族元素、IVB族元素、VIII族元素和VIII族元素中的至少一种;A选自F‑、Cl‑、Br‑和I‑中的至少一种;A’选自SO42‑和/或SiO32‑;1≤α≤3,0≤β≤1,0≤γ≤2,0<δ≤6,0≤ε≤1。基于本发明所述无溶剂方法制备的卤化物固态电解质的固态锂电池具有较高的比容量和循环稳定性
15 纳米材料及纳米材料修饰的玻电极的制备方法 CN201910757275.2 2019-08-16 CN110526214A 2019-12-03 吴静; 王宇飞
说明书实施例提供了一种纳米材料的制备方法,所述纳米材料为CsPbX3型无机量子点材料,其中X为Cl、Br或I中的一种或多种。该方法包括以下步骤:首先,称取0.3mmolPbX2、0.1mmolCsCO3、1.5mL油酸、1.5mL油胺和10mL 1-十八烯,放入容器中混合均匀,作为反应原料;然后,将容器放入微波炉中,并以预设加热功率加热预设加热时长,以使反应原料发生反应得到反应产物,其中包括所述纳米材料;接着,将反应产物冷却至预设温度,以预设离心转速离心预设离心时长,以从中分离出纳米材料;再去除上清液,并利用环己烷和乙醇对分离出的纳米材料进行清洗。如此可以实现简单、快速、高通量合成多种不同的无机钙钛矿量子点。所得无机钙钛矿量子点可应用于电化学发光传感器
16 一种异质结结构的二维纳米材料的制备方法 CN201811159483.4 2018-09-30 CN109319841A 2019-02-12 尚京旗; 徐宁; 丁恩勇; 曾幸荣; 陈洁伟; 张念椿; 薛锋; 魏秋实
发明属于二维异质结材料的技术领域,公开了一种异质结结构的二维纳米材料的制备方法。方法:1)将两种以上的无机层状粉体分散于溶剂中,得到无机层状物的分散液;2)将分散液进行高压均质,静置和/或离心,取上层液,获得异质结结构的二维纳米材料。本发明的方法操作简便、耗时短、步骤少,后处理工艺简单;并且本发明成功制备异质结结构二维纳米材料,所制备的异质结结构的二维纳米材料具有较好的均匀性。
17 氟化物处理方法 CN200880123900.8 2008-12-22 CN102026913B 2014-10-22 A·杰克逊; R·巴拉
发明涉及采用式(I)的固体载体结合的穴状配体处理[18F]-氟化物靶的方法以及涉及用于实施这种方法的装置。得到的[18F]-氟化物可用于通过亲核氟化制备放射性药物,特别是用于电子发射断层显像(PET)。
18 离子卤化物的中等温度再利用的方法 CN201080033467.6 2010-07-06 CN102471058A 2012-05-23 安杰尔·桑贾乔; 洛伦茨·莫罗; 霍尔迪·佩雷斯·马里亚诺; 罗凯洪; 谢晓兵; 阿努普·内格; 马尔科·霍恩博斯特尔; 戈帕拉·N·克里希南
在一个实施方式中,本发明一般涉及用于在生产元素材料中再利用离子卤化物的方法。在一个实施方式中,所述方法包括:将离子卤化物、待生成元素的化物、低氧化物或卤氧化物中的至少一种和含酸溶液的混合物在中等温度下反应以形成复合前体盐和盐;从复合前体盐形成前体卤化物;将前体卤化物还原成待生成的元素和离子卤化物;和使离子卤化物返回至反应步骤的混合物中。
19 氟化物处理方法 CN200880123900.8 2008-12-22 CN102026913A 2011-04-20 A·杰克逊; R·巴拉
发明涉及采用式(I)的固体载体结合的穴状配体处理[18F]-氟化物靶的方法以及涉及用于实施这种方法的装置。得到的[18F]-氟化物可用于通过亲核氟化制备放射性药物,特别是用于电子发射断层显像(PET)。
20 卤化物废液的再生方法 CN02809287.2 2002-03-14 CN1278949C 2006-10-11 雷蒙德·D·西门斯; 莱尔·H·霍华德; 托马斯·W·波尔金霍恩; 苏伦德拉·K·米什拉
一种密度大于9.0lbs/gal(1.078g/cm3)且含有可溶和不可溶杂质的卤化物废液的再生方法。该方法包括下述步骤:(1)向卤化物废液中加入酸,使pH约为0-10.0;(2)使卤化物废液与卤素接触,使密度增加到至少10.0lbs/gal(1.198g/cm3),保持所述液体所需的实际结晶温度化可溶杂质;(3)加入还原剂,同时调节温度至最低10℃;(4)使所述液体与接触,以中和过量的酸;和(5)从所述液体中分离任何悬浮的固体杂质。