专利检索_单晶生长（用超高压的例如用于金刚石形成的入B01J3/06）共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D塑料的加工入B29改变金属或合金的物理结构入C21DC22F）单晶或具有一定结构的均匀多晶材料单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）其所用的装置专利检索_单晶生长（用超高压的例如用于金刚石形成的入B01J3/06）共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D塑料的加工入B29改变金属或合金的物理结构入C21DC22F）单晶或具有一定结构的均匀多晶材料单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）其所用的装置专利检索查询_单晶生长（用超高压的例如用于金刚石形成的入B01J3/06）共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D塑料的加工入B29改变金属或合金的物理结构入C21DC22F）单晶或具有一定结构的均匀多晶材料单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）其所用的装置专利检索查询分析平台

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序号	专利名	申请号	申请日	公开（公告）号	公开（公告）日	发明人
1	一种用于MCZ法拉制重掺锑单晶的加掺方法和装置	CN202210603691.9	2022-05-30	CN115058767B	2024-04-23	苏波; 周小渊; 温洋; 马占东; 贺俊杰; 董长海; 陈娟; 沙彦文

2	一种利用拉速改善径向晶棒RRG值的系统及其方法	CN202210434850.7	2022-04-24	CN114959874B	2024-04-23	马小龙; 王忠保; 刘进

3	大面积原子级精度激光分子束外延薄膜制备系统及方法	CN201910280729.1	2019-04-09	CN110144553B	2024-04-23	朱银燕; 叶碧莹; 郁扬; 黄海明; 王文彬; 高春雷; 吴施伟; 殷立峰; 沈健

4	III族氮化物发光器件、III族氮化物外延晶片、III族氮化物发光器件的制作方法	CN202280060971.8	2022-09-09	CN117916901A	2024-04-19	上杉谦次郎; 三宅秀人; 中村孝夫
一种III族氮化物发光器件，具备：模板部件，包括模板层，所述模板层包含(10‑12)面的X射线摇摆曲线的半值宽度为1000arcsec以下的AlXGa1‑XN(X大于0且小于等于1)且内含覆盖支撑体的主面的压缩应变；活性层，在285nm以下的深紫外波长区域上产生具有峰值波长的光，包含内含压缩应变的AlGaN；以及n型III族氮化物半导体区域，设置在模板部件上，该III族氮化物半导体区域包括设置在模板层上的第一n型III族氮化物半导体层及设置在第一n型III族氮化物半导体层上的第二n型III族氮化物半导体层，第一n型III族氮化物半导体层以模板层为基准具有2％以下的晶格弛豫率，第二n型III族氮化物半导体层具有0.4nm以下的表面粗糙度。
5	一种莫桑钻的除杂方法	CN202410073084.5	2024-01-18	CN117904722A	2024-04-19	徐永帅
本发明公开了一种莫桑钻的除杂方法，包括退火炉，所述退火炉内设有两块多孔隔板，所述的两块多孔隔板将退火炉分为恒温区和两个低温区，中间区域为恒温区，两侧为低温区；取莫桑钻，在莫桑钻表面包裹高纯碳化硅颗粒或高纯活性炭颗粒或高纯活性氧化铝颗粒，再放置于恒温区；取多孔吸附材料，将其放置于左右两侧的低温区内；同时永磁体仓外侧的循环水仓开始进水，准备冷却永磁体，使退火炉在真空状态下充入惰性气体，并使恒温区在预设的第一个时间段后升温至退火温度，使退火炉在预设的第三个时间段后降温到常温，得到退火后的莫桑钻。本发明提供的莫桑钻除杂方法，有效降低非金属杂质含量的同时由于永磁体的作用使得金属杂质也得到了有效处理。
6	一种单晶炉提拉头校准机构及校准方法	CN202311721790.8	2023-12-14	CN117904705A	2024-04-19	李方; 孔德东; 蒋林; 王晓辉; 陈立; 李军
本发明属于单晶炉提拉头校准技术领域，具体的说是一种单晶炉提拉头校准机构及校准方法，校准机构包括旋转轴，旋转轴安装在单晶炉主炉底部，旋转轴上端设置有水平仪，水平仪上方悬置有校准装置，校准装置螺接重锤，重锤连接悬吊机构，悬吊机构包括：固定台，固定台固定连接提拉头，转动安装在固定台上的旋接套，固定连接旋接套的第一齿轮，啮合第一齿轮的第二齿轮，第二齿轮端部转动连接固定台，由于插杆串联多组链柱，使多组链柱串联为一体，从而使提拉链无法弯曲，因此在校准装置与重锤转动过程中，转动产生的离心力无法使提拉链无法弯曲，从而使校准装置与重锤无法发生摆动，进而保证校准装置连接部投影的精准性。
7	断线控制方法、装置、电子设备及存储介质	CN202211226286.6	2022-10-09	CN117904704A	2024-04-19	王正远; 张伟建; 郭力; 杨正华; 李广砥; 周宏坤
本发明实施例提供了一种断线控制方法、装置、设备及介质。该方法包括：在本次直拉单晶过程中获取特征数据，采用断线预测模型根据特征数据，确定本次直拉单晶过程会发生断线，获取断线预测模型中特征权重从高到低排序靠前的重要特征数据以及特征权重和预设工艺参数配置信息，根据预设工艺参数配置信息，确定重要特征数据对应的可调工艺参数以及调整信息，根据特征权重和对应的调整信息，对可调工艺参数进行调整，以控制在本次直拉单晶过程不发生断线，使得本次直拉单晶过程的断线能够准确的提前预测，并据此自动完成对工艺参数的调整，避免了断线判断不准确和工艺参数调整不及时的问题，减低断线问题的发生率，继而提高生产效率。
8	一种采用感应加热实现水平定向生长板状晶体的装置和方法	CN202410068067.2	2024-01-17	CN117904701A	2024-04-19	李海林; 徐扬; 丁雨憧; 刘荣荣; 张月; 张灵
本发明涉及一种采用感应加热实现水平定向生长板状晶体的装置和方法，装置包括生长腔室，生长腔室内放置坩埚，所述坩埚上方敞口并设有籽晶夹持口、放肩生长段和等宽生长段；生长腔室的外部沿坩埚的长度方向环设有感应线圈；坩埚的上表面设有盖板，盖板将坩埚放肩生长段全段和等宽生长段除尾部外的其余区域上方敞口封盖，等宽生长段尾部保留的敞口区域构成装料口；还包括直线运动机构，所述直线运动机构用于使得感应线圈和生长腔室之间沿坩埚内结晶方向产生相对运动。本发明将上方设计有封盖的坩埚放于可移动式温场结构内进行感应加热、生长晶体，能为晶体生长提供一个均匀、稳定的温场，避免生长出的板状晶体出现多晶、杂质、云层、开裂等缺陷。
9	一种钛三铝碳二MAX相单晶材料的制备方法	CN202410318434.X	2024-03-20	CN117904699A	2024-04-19	肖昱琨; 黄庆; 张卿瑜
本发明属于无机材料技术领域，涉及一种钛三铝碳二MAX相单晶材料的制备方法。所述制备方法包括：将TiC、C、Al混合后置于管式炉中保温烧结，然后以第一降温速率降至1300~1600℃，然后以第二降温速率降至1150~1350℃，再以第三降温速率降至500~700℃，最后自然冷却至室温，得到Ti3AlC2单晶材料；其中，第二降温速率大于第一降温速率和第三降温速率。本发明成功制备了单晶Ti3AlC2材料，且单晶平面面积可以达到12 mm²，为Ti3AlC2相材料在高技术领域的应用开发提供了强大的技术支持，具有十分重要的科学研究意义和工程应用价值。
10	一种可规模化生产取向性石膏单晶材料的热结晶分离一体化控制方法	CN202311731151.X	2023-12-15	CN117904698A	2024-04-19	史培阳; 闫国英; 刘承军; 刘剑飞; 贾中帅; 王继平; 赵青; 芦福; 张波
本发明公开了一种可规模化生产取向性石膏单晶材料的热结晶分离一体化控制方法，包括如下步骤：(1)热结晶器处理，填充系数为0.7，搅拌轴为钢轴表面激光熔覆金属钛丝方式，搅拌转速为20‑130r/min，温度控制范围115‑135℃；待反应结束后直接开启出料阀；(2)规模化高温高压下固液直接分离，物料直接进入到高温高压箱式过滤机中进行固液分离；(3)尾气处理和溶液循环利用。该方法不仅具有结晶速度快、产品粒度均匀和分散性好等特点，且分离速度快，分离后的溶液可与结晶器进行热循环，最大限度的减少热损失，使制备取向性石膏单晶体产品的能耗更低，操作环境更为清洁和环保。
11	一种大面积褶皱二硒化钨纳米结构的制备方法	CN202311703250.7	2023-12-12	CN117904599A	2024-04-19	郝国林; 郝世杰; 高枫林; 郝玉龙; 周欢; 王凯祎
本发明公开一种大面积褶皱二硒化钨纳米结构的制备方法。采用化学气相沉积法，基于基底工程、快速降温等策略，生长出大面积、高质量、高均匀性的褶皱二硒化钨纳米结构。通过对基底、生长温度、限域高度的调节，可以实现对二硒化钨纳米褶皱结构波长、幅度的有效调控。本发明无需在生长过程中使用催化剂，避免了其它杂质元素的引入，制备工艺较为简单。该褶皱二硒化钨纳米结构的合成方法具有制备效率高、低成本等优点，可以满足工业界大规模生产的需求，在光电探测、传感器、成像等技术领域具有广泛的应用前景。
12	一种多晶金刚石合成用加热体的制作方法	CN202211231551.X	2022-10-10	CN117899749A	2024-04-19	张存升; 邵增明
本发明公开了一种多晶金刚石合成用加热体的制作方法，属于金刚石加工技术领域，其中所述方法包括以下步骤：将选取好的氯化钠、白云石和二氧化锆分别投放在研磨机的内部进行研磨，并且将研磨完成后的氯化钠、白云石和二氧化锆进行过筛；将过筛后的氯化钠、白云石和二氧化锆投放在容器的内部进行混合，并且注入聚乙烯醇溶液进行搅拌均匀，其有益效果是既保持合成金刚石时所必需的密封性，又有良好的传压性和保温性，且不产生有害气体，并且减少合成腔体中的轴向压力梯度，同时减少合成腔体内的热量外流，具有密封性能高、传压性能好、加工方便等优点，还可以促进晶体生长、降低合成压力，从而提高金刚石粗颗粒比例和优质品比例。
13	基于模糊控制的磷化铟单晶生产温度控制方法	CN202311268720.1	2023-09-27	CN117313535B	2024-04-19	钱俊兵; 马思艺; 黄国勇; 朱雪峰; 王应武

14	气相沉积用锗棒、其制备方法及四氯化锗还原装置	CN202311377475.8	2023-10-23	CN117107357B	2024-04-19	王云鹏; 王同波; 娄花芬; 崔丁方; 莫永达; 孙燕; 子光平; 缪彦美; 王苗苗; 李腾飞

15	一种埚底吸空后的复投工艺	CN202110523700.9	2021-05-13	CN115341265B	2024-04-19	赵子龙; 项龙; 刘振宇; 杨志; 刘有益; 王林; 王建平; 程立波; 高利强; 钟旭

16	钝化接触的多层多晶硅电池及其制备方法	CN202210492663.4	2022-05-07	CN115188835B	2024-04-19	杨睿; 王尧; 殷丽

17	一种单晶炉氩气尾气处理装置及其处理方法	CN202011514167.1	2020-12-18	CN114645316B	2024-04-19	李灿; 李军

18	单晶硅的制造方法	CN202111405434.6	2021-11-24	CN114540938B	2024-04-19	川添真一; 琴冈敏朗; 堤有二

19	高性能高质量InGaAs/InGaAsP多量子阱的外延结构及其生长方法和应用	CN202111249771.0	2021-10-26	CN114204419B	2024-04-19	王海珠; 刘伟超; 范杰; 邹永刚; 马晓辉; 赵鑫; 李洋; 李卫岩

20	用于冷坩埚制备高纯氧化铝多晶锭的倾斜铸造系统和方法	CN201710978178.7	2017-10-18	CN107557857B	2024-04-19	张清勇; 唐皇哉; 胡树金

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