1.一种基板处理方法，包括：
a)提供具有图案且保护对象膜位于所述图案的底部的基板的工序；
b)在位于所述图案的底部的所述保护对象膜上层叠催化剂膜的工序；
c)通过VLS即Vapor Liquid Solid生长法，在所述图案内形成从下方支撑所述催化剂膜且覆盖所述保护对象膜的保护膜的工序；
d)除去由所述保护膜从下方支撑的所述催化剂膜的工序；
e)在所述保护对象膜被所述保护膜覆盖的状态下，对所述基板的与所述图案不同的部分实施规定的处理的工序；
f)除去所述图案内的所述保护膜的工序。
2.一种基板处理方法，包括：
a)提供具有图案且保护对象膜位于所述图案的底部的基板的工序；
b)在位于所述图案的底部的所述保护对象膜上层叠催化剂膜的工序；
c)通过VLS生长法，在所述图案内形成从下方支撑所述催化剂膜且覆盖所述保护对象膜的保护膜的工序；
d)在所述保护对象膜被所述保护膜覆盖的状态下，对所述基板的与所述图案不同的部分实施规定的处理的工序；
e)除去由所述保护膜从下方支撑的所述催化剂膜的工序，
f)除去所述图案内的所述保护膜的工序。
3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述b)中，在位于所述图案的底部的所述保护对象膜上选择性地层叠所述催化剂膜。
4.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述b)包括：
b－1)将所述图案的顶部的表面改性，在所述图案的顶部形成疏液性的改性膜的工序；
b－2)在所述图案的顶部形成有所述改性膜的状态下，将含有催化剂的胶体溶液供给所述图案的底部，然后，使所述胶体溶液的溶剂挥发，由此在所述保护对象膜上层叠所述催化剂膜的工序。
5.根据权利要求4所述的基板处理方法，其中，所述b－1)中，通过还原性气体或氧化气体的等离子体将所述图案的顶部的表面改性。
6.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述b)包括：
b－3)通过化学气相沉积即Chemical Vapor Deposition：CVD、或原子层沉积即Atomic Layer Deposition：ALD，在所述图案的顶部和侧壁上、以及所述保护对象膜上层叠所述催化剂膜的工序；
b－4)除去在所述催化剂膜中层叠在所述图案的顶部和侧壁上的部分，在所述保护对象膜上保留所述催化剂膜的工序。
7.根据权利要求6所述的基板处理方法，其中，所述b－4)中，通过各向同性干式蚀刻选择性地除去所述催化剂膜的所述部分。
8.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述c)中，通过VLS生长法，以不完全埋没所述图案的膜厚在所述图案内形成所述保护膜。
9.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述保护对象膜为含金属膜或含碳膜。
10.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述催化剂膜为金属膜。
11.根据权利要求10所述的基板处理方法，其中，所述金属膜包含镓和金中的至少任意一个。
12.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述保护膜为碳膜、硅膜、金属膜、氧化硅膜、氮化硅膜、碳化硅膜、金属氧化膜、金属氮化膜、金属碳化膜、或包含选自由这些膜构成的集合中的至少2种膜的层叠膜。