1.一种集成电路起爆器设备，包括：
-提供有电绝缘层的电路基底；
-沉积在所述电绝缘层上的导电桥接电路；
-所述导电桥接电路被图案化为接触区域以及连接所述接触区域的桥接结构，所述桥接结构被布置用于在所述桥接结构被与所述接触区域接触的起爆器电路熔断时形成等离子体；
-旋涂在所述桥接结构上的聚合物层，用于形成通过所形成的等离子体被推动远离所述基底的飞片，
其中被图案化为接触区域以及连接所述接触区域的桥接结构的所述导电桥接电路在掺杂硅层中被图案化，所述掺杂硅层外延沉积在所述电绝缘层上，其中所述掺杂硅层包括来自III族元素的掺杂剂，并且其中所述导电桥接电路具有小于2*10-5欧姆米的欧姆电阻。
2.根据权利要求1所述的起爆器设备，其中所述聚合物层具有小于50微米的层厚度。
3.根据权利要求2所述的起爆器设备，其中所述聚合物层被图案化。
4.根据权利要求1所述的起爆器设备，其中所述导电桥接电路具有小于4微米的层厚度。
5.根据权利要求1所述的起爆器设备，其中所述桥接结构由锥形区域形成，所述锥形区域从接触区域延伸到桥接区域中，所述桥接区域限定沿所述接触区域之间的最短连接路径的电流流动方向；所述桥接区域具有横向于所述最短连接路径的连接部分。
6.根据权利要求5所述的起爆器设备，其中所述桥接区域通过圆形边缘连接到所述锥形区域。
7.根据权利要求1所述的起爆器设备，其中所述电绝缘层为二氧化硅层。
8.根据权利要求5所述的起爆器设备，其中所述接触区域被提供有金属互连焊盘。
9.根据权利要求8所述的起爆器设备，其中所述金属互连焊盘由延伸到所述锥形区域中的铝沉积物形成。
10.根据上述权利要求中任一项所述的起爆器设备，进一步包括用于引导所述飞片的筒体结构。