基本信息:
- 专利标题： 晶圆缺陷密度获得方法、测试方法及半导体装置形成方法
- 申请号：CN201410007099.8 申请日：2014-01-07
- 公开(公告)号：CN104766808B 公开(公告)日：2017-04-26
- 发明人： 陈亚威
- 申请人： 无锡华润上华半导体有限公司
- 申请人地址： 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
- 专利权人： 无锡华润上华半导体有限公司
- 当前专利权人： 无锡华润上华科技有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
- 代理机构： 无锡互维知识产权代理有限公司
- 代理人： 庞聪雅
- 主分类号： H01L21/66
- IPC分类号： H01L21/66
摘要：
本发明提供的晶圆缺陷密度获得方法、测试方法及半导体装置形成方法，通过获得所述晶圆上各芯片的各导电层的致命缺陷率，并根据每个芯片的各导电层的致命缺陷率获得致命缺陷率系数，进而结合所述致命缺陷率系数及理论缺陷密度计算模型获得修正缺陷密度计算公式，再根据所述修正缺陷密度计算公式获得所述晶圆的缺陷密度，如此通过结合不同种类芯片信息对缺陷密度评估方式进行修正以提升评估准确性，从而增加合格品产量，提升利润。
公开/授权文献:
- CN104766808A 晶圆缺陷密度获得方法、测试方法及半导体装置形成方法 公开/授权日：2015-07-08
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/66 | .在制造或处理过程中的测试或测量 |