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1. 发明专利

JP2021524886A 金属材料の勾配ナノ双晶構造を変化させることにより、材料の機械的特性を向上させる方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021524886A
公开(公告)日：2021-09-16
申请号：JP2020566650
申请日：2018-09-20
申请人：中国科学院金属研究所
发明人：盧磊 , 程▲ツァオ▼ , 金師
IPC分类号： C25C1/12
摘要：本発明は、金属材料の勾配ナノ双晶構造を変化させることによって、該金属材料の機械的特性を改善する方法を開示しており、ナノ構造金属材料の技術分野に属する。この方法では、材料の機械的特性を改善するために、金属材料の微細構造と機械的特性の固有の原理を利用する。金属材料は勾配ナノ双晶構造を有する。金属材料の微細構造と機械的特性の原理とは、金属材料の機械的特性を、ナノ双晶構造の構造的勾配の大きさを変化させることによって調節制御することを意味する。本方法は、ナノ双晶及び勾配構造の2つの強化方法を組み合せて、金属材料の機械的特性を顕著に改善することができる。電着技術によって調製された勾配ナノ双晶構造の純銅材料では、降伏強度は481±15MPa、引張強度は520±12MPaまで、均一伸びは7±0.5%、破断伸びは11.7±1.3%である。

2. 发明专利

JP6634162B2 酸化グラフェンナノプレートレット連続調製法有权
公开(公告)号：JP6634162B2
公开(公告)日：2020-01-22
申请号：JP2018545341
申请日：2017-03-22
申请人：中国科学院金属研究所
发明人：裴嵩峰 , 任文才 , 成会明
IPC分类号： C01B32/19 , C01B32/225 , C01B32/198

3. 发明专利

JP2019510721A 酸化グラフェンナノプレートレット連続調製法审中-公开
公开(公告)号：JP2019510721A
公开(公告)日：2019-04-18
申请号：JP2018545341
申请日：2017-03-22
申请人：中国科学院金属研究所
发明人：裴嵩峰 , 任文才 , 成会明
IPC分类号： C01B32/19 , C01B32/225 , C01B32/198
摘要：【課題】酸化グラフェンナノプレートレット連続調製法を提供すること。【解決手段】グラフェン調製分野に属し、特に電気化学処理をベースにする酸化グラフェンナノプレートレット連続調製法に関する。フレキシブルグラファイトペーパーコイル、ストリップ又は炭素繊維線材を原料とし、送材装置を駆動させた状態下で、順次に電気化学インターカレーションと電解酸化剥離という2段階の処理を経て、それらを剥離して酸化グラフェンナノプレートレットとする。電気化学インターカレーションは、濃酸中において、グラファイト材料を陽極とし、浸漬条件下で通電し、酸性イオンが電界の駆動下でグラファイト層間に侵入し、第1ステージ又は低ステージインターカレーションのインターカレート連続グラファイト材料を形成し;電解剥離は、インターカレーション後のグラファイト連続材料を陽極とし、電解質水溶液内において通電することで電解剥離を行なわせ、層間に置換した水の電解で生成した酸素生成した酸素を利用してインターカレートグラファイトに対し酸化剥離を行うことで、酸化グラフェンを得る。この方法は、製品に金属不純物を含まず、かつグラフェン酸化度を制御でき、プロセスの連続化、自動化が可能で、安全で、低排出等の利点をもつ。【選択図】図1

4. 发明专利

JP2014519469A Graphene transfer method of low-cost non-destructive 有权
公开(公告)号：JP2014519469A
公开(公告)日：2014-08-14
申请号：JP2014513048
申请日：2012-06-08
申请人：中国科学院金属研究所
发明人：文才任 , 力波高 , 来鵬馬 , 会明成
IPC分类号： C01B31/02 , C23C26/00
CPC分类号： B32B37/025 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/184 , C01B32/194 , C01B2204/02 , C25B1/00 , C25F5/00
摘要：グラフェンの転写技術に関し、低コスト非破壊でグラフェンを転写する方法である。転写媒体を被覆したグラフェン及び第１基板を採用して電極とし、これを電解液中に設置し、電解過程においてグラフェンの電極表面に産生される気泡の推進力及びガスのインターカレーション作用を利用して、グラフェン及び第１基板を非破壊で分離する。その後、転写媒体を被覆したグラフェンをターゲット基板の表面に非破壊で結合させ、転写媒体を除去し、グラフェンをターゲット基板に非破壊で転写する。その転写方法は、グラフェン及びその第１基板のいずれに対しても、いかなる破壊及び損失もなく、基板は繰り返し使用することができ、なおかつ操作が簡単で、速度が速く、コントロールしやすく、汚染がない。さらに、量産化及び拡大が見込まれるため、低コストで高品質グラフェンを転写する理想的な方法として、透明導電材料、電子機器材料及びセンサー材料などの分野におけるグラフェンの幅広い応用に対して、基礎を固めることができる。
【選択図】図１

5. 发明专利

JP2014500801A Method of enhancing the self-feed capacity of large cross-section casting blank 有权
公开(公告)号：JP2014500801A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：JP2013539120
申请日：2011-06-30
申请人：中国科学院金属研究所
发明人：李殿中 , 欒義坤 , 傅排先 , 夏立軍 , 李依依
IPC分类号： B22D11/124 , B22D11/00 , B22D11/12 , B22D27/04
CPC分类号： B22D25/06 , B22D11/124 , B22D11/22 , B22D27/04 , B22D30/00
摘要：鋳造ブランクの外表面を強制冷却して急速に凝固させるステップと、次に、断熱材または保温カバーにより鋳造ブランクの外表面の保温を行なって、鋳造ブランク表面と周囲環境との間の熱交換の強さを減じるステップと、鋳造ブランクの中心部の潜熱によって、鋳造ブランクの外表面の温度を上昇させて、ブランクの放射方向の温度勾配を減じて、鋳造ブランクの中心部で、同期して半溶融領域を形成し、鋳造ブランク中心部の同期した凝固を促進するステップと、を含む大断面鋳造ブランクの自己フィード能力を高める方法。鋳造ブランク中心部が同期して凝固するとき、凝固ブランク表面がまだ高温状態にあって、中心部の凝固及び収縮によって生じる引張応力の動きによって、自己フィード能力を高める。この方法は、大断面金属鋳造ブランクに適用され、特に、大きな高さ−直径比を有し、軸方向の空隙が、上昇させるフィードでは改善できない大断面連続鋳造丸ビレットまたは正方形ビレットに適用される。本方法では、鋳造ブランクの収縮空隙、表面割れ及び内側空隙をなくすことができる。

6. 发明专利

JP5840772B2 非破壊のグラフェン転写方法有权
标题翻译：的非破坏性的石墨烯转移方法
公开(公告)号：JP5840772B2
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：JP2014513048
申请日：2012-06-08
申请人：中国科学院金属研究所
发明人：任文才 , 高力波 , 馬来鵬 , 成会明
IPC分类号： C23C26/00 , C01B31/02
CPC分类号： B32B37/025 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B31/0446 , C01B31/0484 , C25B1/00 , C25F5/00 , C01B2204/02

7. 发明专利

JP2006505101A Ultra high strength and nanocrystalline copper material and manufacturing method thereof having a conductivity 有权
公开(公告)号：JP2006505101A
公开(公告)日：2006-02-09
申请号：JP2004547350
申请日：2003-10-16
申请人：中国科学院金属研究所
发明人：斯曉 , 申勇峰 , 盧柯 , 盧磊
IPC分类号： H01B1/02 , C22C1/00 , C22C9/00 , C25C1/12 , C25D1/04 , C25D5/18
CPC分类号： C25D1/04 , C22C1/00
摘要：本発明は、ナノメートル結晶金属材料、特に、超高強度及び導電率を有するナノ双晶銅材料ならびにその製造方法である。電着法を使用することによって高純度多結晶Ｃｕ材料を製造する。微細構造は、実質的に等軸晶のサブミクロンサイズの粒径３００〜１０００nmのオーダである結晶粒からなる。結晶粒の中には、異なる方位の双晶層の高密度構造が存在し、同じ方位の双晶層が互いに対して平行であり、双晶層の厚さは数ナノメートルから１００nmまでであり、その長さは１００〜５００nmである。関連技術と比較して、本発明は性質が優れている。周囲温度下で加工されると、材料は、９００MPaまでの降伏強さ及び１０８６MPaまでの破断強さを有する。この超高強度は、多くの他の方法では、同じ銅材料によって実現することはできない。同時に、導電率が優れ、従来の粗結晶銅材料の導電率とほぼ同じであり、周囲温度下での抵抗は、９６％ＩＡＣＳに等しい１．７５±０．０２×１０
-8 Ω・mである。

8. 发明专利

JP2018512281A 均質化鍛造品を製造する構築成形方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018512281A
公开(公告)日：2018-05-17
申请号：JP2017550198
申请日：2015-07-01
申请人：中国科学院金属研究所
发明人：孫明月 , 徐斌 , 李殿中 , 李依依
IPC分类号： B21J1/04 , B23K15/00
CPC分类号： B21J5/12 , B08B1/006 , B08B1/02 , B08B3/022 , B08B7/00 , B21J1/02 , B21J1/04 , B21J1/06 , B21J5/00 , B21J5/002 , B21J5/08 , B23K15/06 , B23K20/14 , B23K20/26 , B23K31/02 , B23K37/006 , B65G47/92 , B65G61/00
摘要：【課題】低コストの連続鋳造素材を原料とし、表面加工とクリーニングの後、真空電子ビームによって複数の板状素材をシール溶接し、そして大幅変形保圧と多方向鍛造を特徴とする鍛造溶接プロセスを施し、界面を十分に溶合して分散させ、最終的に界面における成分、組織及び夾雑物レベルを基体に一致させることを実現する均質化鍛造品を製造する構築成形方法を提供すること。【解決手段】鍛造品鍛造の分野にある、均質化鍛造品を製造する構築成形方法は、まず、複数の連続鋳造板状素材を所定のサイズで投入し、溶合待ち表面をフライス盤で平らに加工し、真空プラズマ洗浄を行い、素材を積層した後に真空室内において溶合待ち面周囲に対して電子ビームシール溶接を行うことにより、素材を製造し、その後、溶接後の素材を所定温度に加熱して炉から出し、油圧プレス機で鍛造し、鍛造中保圧、鍛造間保温、三方向鍛造方法を用い、界面を十分に溶合して分散させて原界面における成分、組織、夾雑物を基体に一致するレベルにすることにより、素材の鍛造溶接及び均一化を実現し、最後に、素材を最終規格サイズに鍛造することにより成形する。【選択図】なし

9. 发明专利

JP2014527581A 溶鋼の清浄化により鋼塊のＡ偏析を制御する方法有权
标题翻译：通过清洗钢水控制钢锭的A偏析的方法
公开(公告)号：JP2014527581A
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：JP2014525303
申请日：2012-10-15
申请人：中国科学院金属研究所
发明人：殿中李 , 殿中李 , 排先傅 , 排先傅 , 宏偉劉 , 宏偉劉 , 立軍夏 , 立軍夏 , 依依李 , 依依李
IPC分类号： C21C7/00 , B22D1/00 , C21C7/04 , C21C7/06 , C21C7/064 , C21C7/076 , C21C7/10
CPC分类号： C21C7/064 , C21C7/0075 , C21C7/06 , C21C7/0645 , C21C7/076 , C21C7/10 , C22C38/22 , C22C38/40 , Y02P10/242
摘要：本発明は、あらゆる炭素鋼、合金鋼など黒色金属材料の製錬及び鋳込みに関し、詳しくは、溶鋼の清浄化により鋼塊のA偏析を制御する方法であり、各種規格の丸鋼塊、平鋼及び各種規格の一般的な連鋳鋼片、垂直で大断面の連鋳鋼片の調製に応用される。電気炉から出鋼するとき、P含量≦̸0.005wt%とし、製鋼スラグが取鍋内に流入するのを防止する。溶融金属の予備脱酸に真空炭素脱酸法を用い、通常のアルミ脱酸剤は少量使用するか、または使用せず、介在物の数量を減少させる。LFを利用して深度脱硫、介在物の除去、酸素含量の制御を行い、硫黄の含量は≦̸0.005wt%とする。さらに、高真空により脱酸、脱ガスを行って介在したものを除去し、溶融金属の清浄化制御を実現する。最後に、全酸素含量を≦̸15ppm、好ましくは≦̸10ppmとする。これによって、製錬の清浄化及び鋳込み制御技術により、溶融金属中の介在物を減少させ、特に酸化物含量を、鋼塊、連鋳鋼片のA偏析の問題が解消するまで効果的に減少させることができ、鋼塊の内部品質を顕著に高める。【選択図】図1
摘要翻译：本发明中，任何碳钢，冶炼和黑色金属材料的铸造如合金钢，特别是，通过清洗钢水控制钢锭的A偏析的方法，各种标准的圆钢锭，扁钢和的各种标准的一般通信铸钢带被施加大部分连通在垂直铸钢件的制备。当从电炉中，P的含量＆NLE攻丝;和0.005％（重量），钢渣流入到浇包防止。使用熔融金属的真空碳脱氧法预脱氧，或正常铝脱氧剂使用少量或不带，减少夹杂物的数量。深度脱硫使用LF，除去夹杂物，并控制氧含量，硫含量是＆NLE;和0.005％（重量）。此外，脱氧通过高真空以除去那些居间进行脱气，以实现清洁的熔融金属的控制。最后，总氧含量＆NLE; 15 ppm，优选＆NLE;和10ppm。因此，清洁和铸造控制技术的冶炼降低夹杂物在熔融金属中，以减少特别是氧化物含量，钢锭，以有效地消除通信铸钢件甲偏析问题它可以显著提高钢锭的内部质量。点域1

10. 发明专利

JP6845259B2 炭素溶接構造の単層カーボンナノチューブフレキシブル透明導電性フィルムの調製方法有权
公开(公告)号：JP6845259B2
公开(公告)日：2021-03-17
申请号：JP2018564954
申请日：2017-06-06
申请人：中国科学院金属研究所
发明人：侯鵬翔 , 蒋松 , 劉暢 , 成会明
IPC分类号： C01B32/162 , B01J31/22 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01B5/14 , H01B13/00 , C01B32/159

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