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1. 发明申请

US20110169136A1 CROSSBAR-INTEGRATED MEMRISTOR ARRAY AND METHOD EMPLOYING INTERSTITIAL LOW DIELECTRIC CONSTANT INSULATOR 审中-公开
标题翻译：交叉整体式电容器阵列和采用间接低介电常数绝缘体的方法
公开(公告)号：US20110169136A1
公开(公告)日：2011-07-14
申请号：US12687798
申请日：2010-01-14
申请人： Matthew D. Pickett , Dmitri B. Strukov
发明人： Matthew D. Pickett , Dmitri B. Strukov
IPC分类号： H01L29/86 , H01L21/02
CPC分类号： H01L27/24
摘要： A memristor crossbar array and method of making employ an interstitial insulator. The memristor crossbar array includes a plurality of memristors in an array. The memristors include columns of memristor material disposed between and connecting to a first plurality of wire electrodes and a second plurality of wire electrodes at cross points between the respective wire electrodes. The memristor crossbar array further includes an insulator of a solid material in an interstitial space between the wire electrodes of the first plurality and between the columns of memristor material. The insulator isolates the memristors from one another and has a dielectric constant that is lower than a dielectric constant of the memristor material. The method of making includes forming the plurality of memristors and filling the interstitial space between adjacent memristors with the insulator material.
摘要翻译：忆阻器横杆阵列和制造方法采用间隙绝缘体。忆阻器横杆阵列包括阵列中的多个忆阻器。忆阻器包括设置在第一多个线电极之间并连接到第一多个线电极之间的忆阻器材料的列和在各个线电极之间的交叉点处的第二多个线电极。忆阻器横杆阵列还包括固体材料的绝缘体，其位于第一组的线电极之间和忆阻器材料柱之间的间隙空间中。绝缘体将忆阻器彼此隔离，并且具有低于忆阻器材料的介电常数的介电常数。制造方法包括形成多个忆阻器并且将相邻忆阻器之间的间隙填充到绝缘体材料。

2. 发明申请

US20130037773A1 IONIC DEVICES WITH INTERACTING SPECIES 有权
标题翻译：具有相互作用的物种的离子装置
公开(公告)号：US20130037773A1
公开(公告)日：2013-02-14
申请号：US13383616
申请日：2010-04-30
申请人： Dmitri B. Strukov , Alexandre M. Bratkovski , R. Stanley Williams , Zhiyong Li
发明人： Dmitri B. Strukov , Alexandre M. Bratkovski , R. Stanley Williams , Zhiyong Li
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/08 , G02F1/13471 , H01L45/085 , H01L45/14 , H01L45/142 , H01L45/146
摘要： An ionic device includes a layer (220) of an ionic conductor containing first and second species (222, 224) of impurities. The first species (222) of impurity in the layer (220) is mobile in the ionic conductor, and a concentration profile of the first species (222) determines a functional characteristic of the device (200). The second species (224) of impurity in the layer (220) interacts with the first species (222) within the layer (220) to create a structure (226) that limits mobility of the first species (222) in the layer (220).
摘要翻译：离子装置包括含有杂质的第一和第二物质（222,224）的离子导体层（220）。层（220）中的第一杂质物质（222）在离子导体中是可移动的，并且第一物质（222）的浓度分布决定了装置（200）的功能特征。层（220）中的杂质的第二物质（224）与层（220）内的第一物质（222）相互作用以产生限制层（220）中第一物质（222）的迁移率的结构（226））。

3. 发明授权

US08735858B2 Ionic devices with interacting species 有权
标题翻译：具有相互作用物种的离子装置
公开(公告)号：US08735858B2
公开(公告)日：2014-05-27
申请号：US13383616
申请日：2010-04-30
申请人： Dmitri B. Strukov , Alexandre M. Bratkovski , R. Stanley Williams , Zhiyong Li
发明人： Dmitri B. Strukov , Alexandre M. Bratkovski , R. Stanley Williams , Zhiyong Li
IPC分类号： H01L29/02 , H01L47/00 , H01L23/58 , H01L21/326 , H01L21/479 , H01L21/425
CPC分类号： H01L45/08 , G02F1/13471 , H01L45/085 , H01L45/14 , H01L45/142 , H01L45/146
摘要： An ionic device includes a layer of an ionic conductor containing first and second species of impurities. The first species of impurity in the layer is mobile in the ionic conductor, and a concentration profile of the first species determines a functional characteristic of the device. The second species of impurity in the layer interacts with the first species within the layer to create a structure that limits mobility of the first species in the layer.
摘要翻译：离子装置包括含有第一和第二种杂质的离子导体层。层中的第一种杂质可以在离子导体中移动，并且第一种类的浓度分布决定了器件的功能特性。层中的第二种杂质与层内的第一种物质相互作用，以产生限制层中第一种类的迁移率的结构。

4. 发明申请

US20130033920A1 IONIC DEVICES CONTAINING A MEMBRANE BETWEEN LAYERS 有权
标题翻译：包含层之间的薄膜的离子装置
公开(公告)号：US20130033920A1
公开(公告)日：2013-02-07
申请号：US13383614
申请日：2010-04-30
申请人： Dmitri B. Strukov , Alexandre M. Bratkovski , R. Stanley Williams , Michael R.T. Tan
发明人： Dmitri B. Strukov , Alexandre M. Bratkovski , R. Stanley Williams , Michael R.T. Tan
IPC分类号： H01L45/00 , G11C11/00
CPC分类号： G02F1/1525
摘要： A device contains a first layer (420), a second layer (440); and a membrane (430) between the first and second layers (420, 440). Mobile ions (425) are in at least one of the first and second layers (420, 440), and the membrane (430) is permeable to the ions. Interfaces of the conductive membrane (430) with the first layer (420) and the second layer (440) are such that charge of a polarity of the ions (425) collects at the interfaces.
摘要翻译：装置包含第一层（420），第二层（440）; 和在第一和第二层（420,440）之间的膜（430）。移动离子（425）在第一和第二层（420,440）中的至少一个中，并且膜（430）对离子是可渗透的。导电膜（430）与第一层（420）和第二层（440）的接触使得离子（425）的极性的电荷在界面处收集。

5. 发明申请

US20110266605A1 Memristive Transistor Memory 有权
标题翻译：忆阻晶体管内存
公开(公告)号：US20110266605A1
公开(公告)日：2011-11-03
申请号：US13142581
申请日：2009-01-30
申请人： Dmitri B. Strukov , Philip J. Kuekes , Duncan Stewart , Zhiyong Li
发明人： Dmitri B. Strukov , Philip J. Kuekes , Duncan Stewart , Zhiyong Li
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： G11C13/0002 , B82Y10/00 , H01L29/41758 , H01L29/517 , H01L29/685 , H01L29/775
摘要： A memory device (100) includes a semiconductor wire including a source region (132), a drain region (134), and a channel region (130) between the source region (132) and the drain region (134). A gate structure that overlies the channel region includes a memristive portion (120) and a conductive portion (110) overlying the memristive portion (120).
摘要翻译：存储器件（100）包括在源极区域（132）和漏极区域（134）之间包括源极区域（132），漏极区域（134）和沟道区域（130）的半导体器件。覆盖沟道区的栅极结构包括覆盖在忆阻部分（120）上的忆阻部分（120）和导电部分（110）。

6. 发明授权

US08705265B2 Ionic devices containing a membrane between layers 有权
标题翻译：在层之间含有膜的离子装置
公开(公告)号：US08705265B2
公开(公告)日：2014-04-22
申请号：US13383614
申请日：2010-04-30
申请人： Dmitri B. Strukov , Alexandre M. Bratkovski , R. Stanley Williams , Michael R. T. Tan
发明人： Dmitri B. Strukov , Alexandre M. Bratkovski , R. Stanley Williams , Michael R. T. Tan
IPC分类号： H01L45/00 , G11C11/00
CPC分类号： G02F1/1525
摘要： A device contains a first layer, a second layer; and a membrane between the first and second layers. Mobile ions are in at least one of the first and second layers, and the membrane is permeable to the ions. Interfaces of the conductive membrane with the first layer and the second layer are such that charge of a polarity of the ions collects at the interfaces.
摘要翻译：设备包含第一层，第二层; 以及第一和第二层之间的膜。移动离子在第一和第二层中的至少一个中，并且膜对离子是可渗透的。导电膜与第一层和第二层的接触使得离子的极性的电荷在界面处收集。

7. 发明授权

US08507968B2 Memristive transistor memory 有权
标题翻译：记忆晶体管存储器
公开(公告)号：US08507968B2
公开(公告)日：2013-08-13
申请号：US13142581
申请日：2009-01-30
申请人： Dmitri B. Strukov , Philip J. Kuekes , Duncan Stewart , Zhiyong Li
发明人： Dmitri B. Strukov , Philip J. Kuekes , Duncan Stewart , Zhiyong Li
IPC分类号： H01L29/76 , H01L21/336
CPC分类号： G11C13/0002 , B82Y10/00 , H01L29/41758 , H01L29/517 , H01L29/685 , H01L29/775
摘要： A memory device (100) includes a semiconductor wire including a source region (132), a drain region (134), and a channel region (130) between the source region (132) and the drain region (134). A gate structure that overlies the channel region includes a memristive portion (120) and a conductive portion (110) overlying the memristive portion (120).
摘要翻译：存储器件（100）包括在源极区域（132）和漏极区域（134）之间包括源极区域（132），漏极区域（134）和沟道区域（130）的半导体器件。覆盖沟道区的栅极结构包括覆盖在忆阻部分（120）上的忆阻部分（120）和导电部分（110）。

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