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    • 2. 发明授权
      US08471323B2 3-D electrically programmable and erasable single-transistor non-volatile semiconductor memory device 有权
    • 3-D electrically programmable and erasable single-transistor non-volatile semiconductor memory device
    • 3-D电可编程和可擦除单晶体管非易失性半导体存储器件
    • US08471323B2
    • 2013-06-25
    • US12880039
    • 2010-09-10
    • De Yuan Xiao , Gary Chen , Roger Lee
    • De Yuan Xiao , Gary Chen , Roger Lee
    • H01L29/788
    • H01L29/7885 , H01L21/28273 , H01L29/42324 , H01L29/66825
    • A non-volatile memory device includes a source region, a drain region, and a channel region therebetween. The channel region has a length extending from the source region to the drain region and a channel width in the direction perpendicular to the channel length direction. The device includes a floating gate positioned between the source and the drain in the channel length direction. The width of the floating gate is less than the channel width. A control gate covers a top surface and a side surface of the floating gate. The control gate also overlies an entirety of the channel region. Erasure of the cell is accomplished by Fowler-Nordheim tunneling from the floating gate to the control gate. Programming is accomplished by electrons migrating through an electron concentration gradient from a channel region underneath the control gate into a channel region underneath the floating gate and then injecting into the floating gate.
    • 非易失性存储器件包括源极区，漏极区和它们之间的沟道区。 沟道区域具有从源极区域到漏极区域的长度以及与沟道长度方向垂直的方向的沟道宽度。 该器件包括在沟道长度方向上位于源极和漏极之间的浮动栅极。 浮动栅极的宽度小于通道宽度。 控制栅极覆盖浮动栅极的顶表面和侧表面。 控制门也覆盖整个通道区域。 通过从浮动门到控制门的Fowler-Nordheim隧道实现对电池的擦除。 编程是通过电子从电子浓度梯度从控制栅极下方的沟道区域迁移到浮动栅极下方的沟道区域中，然后注入到浮动栅极中来实现的。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
    • 4. 发明申请
      US20110163369A1 SURROUNDING STACKED GATE MULTI-GATE FET STRUCTURE NONVOLATILE MEMORY DEVICE 有权
    • SURROUNDING STACKED GATE MULTI-GATE FET STRUCTURE NONVOLATILE MEMORY DEVICE
    • 周边堆叠门极多栅极结构非易失性存储器件
    • US20110163369A1
    • 2011-07-07
    • US12892879
    • 2010-09-28
    • Deyuan Xiao , Lily Jiang , Gary Chen , Roger Lee
    • Deyuan Xiao , Lily Jiang , Gary Chen , Roger Lee
    • H01L29/788 , H01L21/336
    • H01L29/66825 , H01L21/28273 , H01L21/845 , H01L27/11521 , H01L27/1211 , H01L29/42324 , H01L29/785 , H01L29/7881
    • Nonvolatile memory devices having a low off state leakage current and an excellent data retention time characteristics. The present invention provides a surrounding stacked gate fin field effect transistor nonvolatile memory structure comprising a silicon-on-insulator substrate of a first conductivity type and a fin active region projecting from an upper surface of the insulator. The structure further includes a tunnel oxide layer formed on the fin active region and a first gate electrode disposed on the tunnel oxide layer and upper surface of the insulator. Additionally, the structure includes an oxide/nitride/oxide (ONO) composite layer formed on the first gate electrode, a second gate electrode formed on the ONO composite layer and patterned so as to define a predetermined area of the ONO composite layer. The structure further includes a dielectric spacer formed on a sidewall of the second gate electrode and source/drain regions formed in the fin active region on both sides of the second gate electrode.
    • 具有低关断状态泄漏电流和优异的数据保持时间特性的非易失性存储器件。 本发明提供了一种包括堆叠的栅极鳍效应晶体管非易失性存储器结构，其包括第一导电类型的绝缘体上硅衬底和从绝缘体的上表面突出的鳍状有源区。 该结构还包括形成在翅片有源区上的隧道氧化物层和设置在隧道氧化物层和绝缘体的上表面上的第一栅电极。 另外，该结构包括形成在第一栅电极上的氧化物/氮化物/氧化物（ONO）复合层，形成在ONO复合层上的第二栅极，并且被图案化以限定ONO复合层的预定区域。 该结构还包括形成在第二栅电极的侧壁上的介质间隔物和形成在第二栅电极两侧的鳍有源区中的源/漏区。
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    • 5. 发明申请
      US20110084327A1 3-D ELECTRICALLY PROGRAMMABLE AND ERASABLE SINGLE-TRANSISTOR NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE 有权
    • 3-D ELECTRICALLY PROGRAMMABLE AND ERASABLE SINGLE-TRANSISTOR NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
    • 3-D电可编程和可擦除单晶非易失性半导体存储器件
    • US20110084327A1
    • 2011-04-14
    • US12880039
    • 2010-09-10
    • DE YUAN XIAO , Gary Chen , Roger Lee
    • DE YUAN XIAO , Gary Chen , Roger Lee
    • H01L29/788 , H01L21/336
    • H01L29/7885 , H01L21/28273 , H01L29/42324 , H01L29/66825
    • A non-volatile memory device includes a source region, a drain region, and a channel region therebetween. The channel region has a length extending from the source region to the drain region and a channel width in the direction perpendicular to the channel length direction. The device includes a floating gate positioned between the source and the drain in the channel length direction. The width of the floating gate is less than the channel width. A control gate covers a top surface and a side surface of the floating gate. The control gate also overlies an entirety of the channel region. Erasure of the cell is accomplished by Fowler-Nordheim tunneling from the floating gate to the control gate. Programming is accomplished by electrons migrating through an electron concentration gradient from a channel region underneath the control gate into a channel region underneath the floating gate and then injecting into the floating gate.
    • 非易失性存储器件包括源极区，漏极区和它们之间的沟道区。 沟道区域具有从源极区域到漏极区域的长度以及与沟道长度方向垂直的方向的沟道宽度。 该器件包括在沟道长度方向上位于源极和漏极之间的浮动栅极。 浮动栅极的宽度小于通道宽度。 控制栅极覆盖浮动栅极的顶表面和侧表面。 控制门也覆盖整个通道区域。 通过从浮动门到控制门的Fowler-Nordheim隧道实现对电池的擦除。 编程是通过电子从电子浓度梯度从控制栅极下方的沟道区域迁移到浮动栅极下方的沟道区域中，然后注入到浮动栅极中来实现的。
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    • 6. 发明申请
      US20070181917A1 Split dual gate field effect transistor 有权
    • Split dual gate field effect transistor
    • 分离双栅场效应晶体管
    • US20070181917A1
    • 2007-08-09
    • US11377936
    • 2006-03-15
    • Deyuan Xiao , Gary Chen , Tan Seng , Roger Lee
    • Deyuan Xiao , Gary Chen , Tan Seng , Roger Lee
    • H01L29/76
    • H01L21/823842 , H01L21/823828 , H01L21/823871 , H01L23/53223 , H01L29/66484 , H01L29/7831 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
    • A semiconductor device with at least two gate regions. The device includes a substrate region including a surface, a source region in the substrate region, and a drain region in the substrate region. The drain region and the source region are separate from each other. Additionally, the device includes a first gate region on the surface, a second gate region on the surface, and an insulation region on the surface and between the first gate region and the second gate region. The first gate region and the second gate region are separated by the insulation region. The first gate region is capable of forming a first channel in the substrate region. The first channel is from the source region to the drain region. The second gate region is capable of forming a second channel in the substrate region. The second channel is from the source region to the drain region.
    • 具有至少两个栅极区域的半导体器件。 该器件包括：衬底区域，其包括表面，衬底区域中的源极区域和衬底区域中的漏极区域。 漏极区域和源极区域彼此分离。 此外，该器件包括表面上的第一栅极区域，表面上的第二栅极区域以及表面上以及第一栅极区域和第二栅极区域之间的绝缘区域。 第一栅极区域和第二栅极区域被绝缘区域分开。 第一栅极区域能够在衬底区域中形成第一沟道。 第一通道从源极区域到漏极区域。 第二栅极区域能够在衬底区域中形成第二沟道。 第二通道从源极区域到漏极区域。
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    • 8. 发明授权
      US06703303B2 Method of manufacturing a portion of a memory 有权
    • Method of manufacturing a portion of a memory
    • 制造存储器的一部分的方法
    • US06703303B2
    • 2004-03-09
    • US10405200
    • 2003-04-01
    • Gary Chen , Li Li , Yongjun Jeff Hu
    • Gary Chen , Li Li , Yongjun Jeff Hu
    • H01L214763
    • H01L29/4941 , H01L21/28061 , H01L21/28247 , H01L21/32134
    • Metal nitride and metal oxynitride extrusions often form on metal suicides. These extrusions can cause short circuits and degrade processing yields. The present invention discloses a method of selectively removing such extrusions. In one embodiment, a novel wet etch comprising an oxidizing agent and a chelating agent selectively removes the extrusions from a wordline in a memory array. In another embodiment, the wet etch includes a base, that adjusts the pH of the etch to selectively remove certain extrusions relative to other substances in the wordline. Accordingly, new metal silicide structures can be used to form novel wordlines and other types of integrated circuits.
    • 金属氮化物和金属氮氧化物挤出物通常在金属硅化物上形成。 这些挤压可能导致短路并降低加工产量。 本发明公开了一种选择性地去除这种挤出物的方法。 在一个实施方案中，包含氧化剂和螯合剂的新型湿蚀刻选择性地从存储器阵列中的字线除去挤出物。 在另一个实施例中，湿蚀刻包括基底，其调整蚀刻的pH以相对于字线中的其它物质选择性地去除某些挤出物。 因此，可以使用新的金属硅化物结构来形成新颖的字线和其他类型的集成电路。
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