专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明公开

CN107851620A 功率半导体模块有权
公开(公告)号：CN107851620A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680043293.9
申请日：2016-07-04
申请人：丹佛斯硅动力有限责任公司
发明人：弗兰克·奥斯特瓦尔德 , 罗纳德·艾泽勒 , 霍尔格·乌利齐
IPC分类号： H01L23/31
摘要：本发明公开了一种功率半导体模块，该功率半导体模块包括：基板；半导体，该半导体设置在该基板的顶侧上；以及封装体，该封装体形成于该半导体和该基板上，其中，该封装体在其顶侧具有开口，该半导体和该基板的端子触点通过这些开口暴露于外部并且可从外部触及。

2. 发明公开

CN113906557A 改善冷却的功率电子模块审中-实审
公开(公告)号：CN113906557A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202080032796.2
申请日：2020-04-30
申请人：丹佛斯硅动力有限责任公司
发明人：斯特凡·贝伦特 , 罗纳德·艾泽勒
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/40 , H01L23/373 , H01L23/433
摘要：一种功率电子模块，其具有平坦的电路载体(5)和电接触地布置在该电路载体(5)的上平面侧上的电子结构组件(10)以及与该电路载体(5)的下侧热接触的冷却体(20)，其特征在于布置在该电路载体(5)的上侧上的、跨越该结构组件(10)并且面型地覆盖该结构组件的导热桥(30)，其中该导热桥(30)在布置在该结构组件(10)附近的安装点处与该冷却体(20)热接触，并且在该导热桥(30)与该电路载体(5)之间的空间填充有导热性的浇注料(50)。

3. 发明授权

CN107851620B 功率半导体模块有权
公开(公告)号：CN107851620B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201680043293.9
申请日：2016-07-04
申请人：丹佛斯硅动力有限责任公司
发明人：弗兰克·奥斯特瓦尔德 , 罗纳德·艾泽勒 , 霍尔格·乌利齐
IPC分类号： H01L23/31
摘要：本发明公开了一种功率半导体模块，该功率半导体模块包括：基板；半导体，该半导体设置在该基板的顶侧上；以及封装体，该封装体形成于该半导体和该基板上，其中，该封装体在其顶侧具有开口，该半导体和该基板的端子触点通过这些开口暴露于外部并且可从外部触及。

4. 发明公开

CN113826198A 具有第一基板、第二基板和将基板彼此隔开的间隔件的半导体模块审中-实审
公开(公告)号：CN113826198A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202080034167.3
申请日：2020-05-06
申请人：丹佛斯硅动力有限责任公司
发明人：马丁·贝克尔 , 安德烈·巴斯托斯阿比贝 , 罗纳德·艾泽勒 , 亚采克·鲁茨基 , 弗兰克·奥斯特瓦尔德 , 戴维·本宁
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
摘要：一种半导体模块，包括第一基板(10)、第二基板(101)和将基板(10，10')彼此隔开的间隔件(40，40')，其中，间隔件(40，40')由至少一个弹性成形金属体(40，40')形成。半导体(20)可以设置在第一基板(10)与第二基板(10')之间，其中，半导体(20)牢固地接合到第一基板(10)或第二基板(10')中的一个基板，并且成形金属体(40，40')可以将半导体(20)与基板(10，10')中的另一个基板电连接。第一基板(10)和/或第二基板(10')可以是DCB基板或者可以包括引线框架。成形金属体(40，40')可以被制成有弹性的，使得在第一方向上施加压力引起在第二方向上的扩张，其中，多个成形金属体(40，40')可以相对于彼此在不同方向上定向。成形金属体(40，40')可以在基板(10，10')之间的平面中以平面方式设置在半导体(20)上。成形金属体(40，40')可以被弯曲、折叠和/或构造成截面是波浪形的，并且可以特别横向于弯曲的、折叠的或波浪形的构造被开狭槽。成形金属体(40，40')可以是膜。间隔件可以由至少两个弹性成形金属体(40，40')形成，成形金属体(40，40')设置在基板(10，10')之间的平面中，并且横向于此平面彼此连接。半导体(20)与第一基板(10)或第二基板(10')中的一个基板之间的连接以及(一个或多个)成形金属体(40，40')与半导体(20)和另一个基板(10，10')之间的连接可以通过烧结或纳米线进行，或者一个成形金属体(40，40')可以通过烧结连接到半导体(20)而另一个成形金属体(40，40')可以通过纳米线连接到另一个基板(10，10')。导电的弹性间隔件(40，40')可以经由弹性补偿运动破坏氧化表面，从而提供两个基板(10，10')之间的电连接，特别是当组装配备有半导体(20)的第二(上)基板(101)和第一(下)基板(10)时，间隔件(40，40')的波形可以在竖直方向和侧向方向上均变形，其中，然后“波峰”的尖端滑过要接触的表面并且执行清洁作用，从而使得可以破坏铝半导体金属化的氧化层，从而得到与半导体(20)的高导电性和导热性连接，而半导体不一定必须涂覆有贵金属表面。

5. 发明公开

CN113811992A 包括与成形金属体电连接的半导体本体的半导体模块及其获得方法审中-实审
公开(公告)号：CN113811992A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202080034162.0
申请日：2020-04-30
申请人：丹佛斯硅动力有限责任公司
发明人：安德烈·巴斯托斯阿比贝 , 弗兰克·奥斯特瓦尔德 , 亚采克·鲁茨基 , 马丁·贝克尔 , 罗纳德·艾泽勒 , 戴维·本宁
IPC分类号： H01L23/492 , H01L23/49 , H01L23/495 , H01L21/60 , H01L21/607 , H01L29/16
摘要：一种半导体模块，包括半导体，并且包括与半导体(10)电接触的成形金属体(30)，用于形成用于电导体(40)的接触表面，其中成形金属体(30)被弯曲或折叠。还描述了一种用于在半导体(10)上建立电导体(40)的电接触的方法，所述方法包括以下步骤：通过第一紧固方法将具有恒定厚度的弯曲的或折叠的成形金属体(30)紧固到半导体(10)，然后通过第二紧固方法将电导体(40)紧固到成形金属体(30)。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式