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1. 发明公开

CN113826198A 具有第一基板、第二基板和将基板彼此隔开的间隔件的半导体模块审中-实审
公开(公告)号：CN113826198A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202080034167.3
申请日：2020-05-06
申请人：丹佛斯硅动力有限责任公司
发明人：马丁·贝克尔 , 安德烈·巴斯托斯阿比贝 , 罗纳德·艾泽勒 , 亚采克·鲁茨基 , 弗兰克·奥斯特瓦尔德 , 戴维·本宁
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
摘要：一种半导体模块，包括第一基板(10)、第二基板(101)和将基板(10，10')彼此隔开的间隔件(40，40')，其中，间隔件(40，40')由至少一个弹性成形金属体(40，40')形成。半导体(20)可以设置在第一基板(10)与第二基板(10')之间，其中，半导体(20)牢固地接合到第一基板(10)或第二基板(10')中的一个基板，并且成形金属体(40，40')可以将半导体(20)与基板(10，10')中的另一个基板电连接。第一基板(10)和/或第二基板(10')可以是DCB基板或者可以包括引线框架。成形金属体(40，40')可以被制成有弹性的，使得在第一方向上施加压力引起在第二方向上的扩张，其中，多个成形金属体(40，40')可以相对于彼此在不同方向上定向。成形金属体(40，40')可以在基板(10，10')之间的平面中以平面方式设置在半导体(20)上。成形金属体(40，40')可以被弯曲、折叠和/或构造成截面是波浪形的，并且可以特别横向于弯曲的、折叠的或波浪形的构造被开狭槽。成形金属体(40，40')可以是膜。间隔件可以由至少两个弹性成形金属体(40，40')形成，成形金属体(40，40')设置在基板(10，10')之间的平面中，并且横向于此平面彼此连接。半导体(20)与第一基板(10)或第二基板(10')中的一个基板之间的连接以及(一个或多个)成形金属体(40，40')与半导体(20)和另一个基板(10，10')之间的连接可以通过烧结或纳米线进行，或者一个成形金属体(40，40')可以通过烧结连接到半导体(20)而另一个成形金属体(40，40')可以通过纳米线连接到另一个基板(10，10')。导电的弹性间隔件(40，40')可以经由弹性补偿运动破坏氧化表面，从而提供两个基板(10，10')之间的电连接，特别是当组装配备有半导体(20)的第二(上)基板(101)和第一(下)基板(10)时，间隔件(40，40')的波形可以在竖直方向和侧向方向上均变形，其中，然后“波峰”的尖端滑过要接触的表面并且执行清洁作用，从而使得可以破坏铝半导体金属化的氧化层，从而得到与半导体(20)的高导电性和导热性连接，而半导体不一定必须涂覆有贵金属表面。

2. 发明公开

CN113811992A 包括与成形金属体电连接的半导体本体的半导体模块及其获得方法审中-实审
公开(公告)号：CN113811992A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202080034162.0
申请日：2020-04-30
申请人：丹佛斯硅动力有限责任公司
发明人：安德烈·巴斯托斯阿比贝 , 弗兰克·奥斯特瓦尔德 , 亚采克·鲁茨基 , 马丁·贝克尔 , 罗纳德·艾泽勒 , 戴维·本宁
IPC分类号： H01L23/492 , H01L23/49 , H01L23/495 , H01L21/60 , H01L21/607 , H01L29/16
摘要：一种半导体模块，包括半导体，并且包括与半导体(10)电接触的成形金属体(30)，用于形成用于电导体(40)的接触表面，其中成形金属体(30)被弯曲或折叠。还描述了一种用于在半导体(10)上建立电导体(40)的电接触的方法，所述方法包括以下步骤：通过第一紧固方法将具有恒定厚度的弯曲的或折叠的成形金属体(30)紧固到半导体(10)，然后通过第二紧固方法将电导体(40)紧固到成形金属体(30)。

3. 发明授权

CN107452637B 用于将功率半导体模块的第一部件粘结性地连接到功率半导体模块的第二部件的方法有权
公开(公告)号：CN107452637B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201710281663.9
申请日：2017-04-26
申请人：丹佛斯硅动力有限责任公司
发明人：马丁·贝克尔 , 罗纳德·艾西尔 , 弗兰克·奥斯特瓦尔德 , 霍尔格·乌尔里奇 , 加赛克·鲁茨基
IPC分类号： H01L21/60
摘要：本发明提供了一种用于通过烧结将功率半导体模块的第一部件粘结性地连接到功率半导体模块的第二部件的方法，所述方法包括以下步骤：将一层未烧结的烧结材料涂覆到第一部件的预定结合表面；将第二部件设置在所述未烧结的烧结材料的表面层上；通过将压力和/或温度施加在预定结合表面内的局部界定的局部区域上而将第二部件附接到第一部件；处理功率半导体模块的第一和/或第二部件和/或其它部件；和对烧结材料进行全部区域烧结。

4. 发明公开

CN115280495A 功率模块审中-实审
公开(公告)号：CN115280495A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202180019999.2
申请日：2021-03-08
申请人：丹佛斯硅动力有限责任公司
发明人：奥勒·米尔费尔德 , 克劳斯·奥勒森 , 马蒂亚斯·贝克 , 霍尔格·乌尔里希 , 马丁·贝克尔
IPC分类号： H01L23/538 , H01L25/07
摘要：披露了一种包括安装在基板(4)上的刚性绝缘衬底(10)的功率模块(2)。附加电路载体(6，8)与该刚性绝缘衬底(10)相邻地安装在该基板(4)上。该附加电路载体(6，8)的刚度小于该刚性绝缘衬底(10)的刚度。

5. 发明公开

CN107078069A 用于烧结电子子组件的烧结工具和方法有权
公开(公告)号：CN107078069A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580052162.2
申请日：2015-09-09
申请人：丹佛斯硅动力有限责任公司
发明人：弗兰克·奥斯特瓦尔德 , 马丁·贝克尔 , 罗纳德·艾西尔 , 拉尔斯·保罗森 , 加赛克·鲁茨基 , 霍尔格·乌尔里奇
IPC分类号： H01L21/60
摘要：具有用于接收有待烧结的电子子组件(BG)的托架的烧结工具(10)，其特征为至少一个支撑架(20)，该至少一个支撑架被安排在与该托架相反的两个位置处，以用于将覆盖该电子子组件(BG)的保护膜(30)固定。

6. 发明公开

CN113519043A 用于通过压力辅助低温烧结工艺来制造电子部件的压力烧结装置和方法审中-实审
公开(公告)号：CN113519043A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202080017750.3
申请日：2020-02-27
申请人：丹佛斯硅动力有限责任公司
发明人：马丁·贝克尔 , 德克·迪特曼
IPC分类号： H01L21/67 , H05K13/04 , H01L21/98 , H01L21/60 , H05K3/32
摘要：公开了一种用于通过压力辅助低温烧结工艺来制造电子部件(34，34’，34”)的方法，该压力辅助低温烧结工艺通过使用具有上模(4)和下模(6)的压力烧结装置(2)来进行。上模(4)和/或下模(6)设置有第一压力垫(10，10”，10”’，210，210”，210”’)。该方法包括以下步骤：将第一部件(26)放置在设置于第一基板(20+12+22)的顶层(22)上的第一烧结层(24)上，以旨在形成第一电子部件(34)；在要形成的第一电子部件(34)上方或下方的水平面中，将至少第二部件(26’，26”)放置在设置于第二基板(20’+12’+22’，20”+12”+22”)的顶层(22’，22”)上的第二烧结层(24”，24””)上，以旨在形成第二电子部件(34’，34”)；将第二压力垫(10’，10”，10”’，10””，10””’，210’，210”，210”’，210””，210””’)放置在要形成的第一电子部件(34)和第二电子部件(34’，34”)之间；以及通过将上模(4)和下模(6)压向彼此，借助于第一烧结层(24)联结第一部件(26)和第一基板(20+12+22)的顶层(22)以形成第一电子部件(34)、以及借助于第二烧结层(24”，24””)联结第二部件(26’，26”)和第二基板(20’+12’+22’，20”+12”+22”)的顶层(22’，22”)以形成第二电子部件(34’，34”)，其中，同时加热烧结装置(2)。该方法可以进一步包括用布置成与第一压力垫(10，210)接合的第一保护箔(18)覆盖第一部件(26)的步骤。该方法还可以包括用第二保护箔(18’，18”)覆盖第二部件(26’，26”)的步骤。压力垫(10，10’，10”，10”’，10””，10””’)中的一个或多个可以是可变形压力垫(210，210’，210”，210”’，210””，210””’)，其可以包括容纳在外壳中的流体。板(36，36’)可以布置在相邻的电子部件(34，34’，34”)之间，其中，板(36)可以设置有加热元件(32’)，或者可以通过感应器件(232)来加热板(36，36’)。第一电子部件(34，34’，34”)或第二电子部件(34，34’，34”)可以包括底板(28，28’，28”)，该底板可以用作附加压力垫。第一电子部件和第二电子部件(34，34’，34”)可以是包括绝缘件(12，12’，12”)的双面电子部件，该绝缘件具有设置有第一烧结层(24，24”，24”’)的顶表面，第一部件(26，26”，26”’)放置到该第一烧结层上，并且该绝缘件具有设置有第二烧结层(24’，24”’)的底面表面，第二部件(26’，26”’)布置到该第二烧结层上。

7. 发明授权

CN107078069B 用于烧结电子子组件的烧结工具和方法有权
公开(公告)号：CN107078069B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201580052162.2
申请日：2015-09-09
申请人：丹佛斯硅动力有限责任公司
发明人：弗兰克·奥斯特瓦尔德 , 马丁·贝克尔 , 罗纳德·艾西尔 , 拉尔斯·保罗森 , 加赛克·鲁茨基 , 霍尔格·乌尔里奇
IPC分类号： H01L21/60
摘要：具有用于接收有待烧结的电子子组件(BG)的托架的烧结工具(10)，其特征为至少一个支撑架(20)，该至少一个支撑架被安排在与该托架相反的两个位置处，以用于将覆盖该电子子组件(BG)的保护膜(30)固定。

8. 发明公开

CN107452637A 用于将功率半导体模块的第一部件粘结性地连接到功率半导体模块的第二部件的方法有权
公开(公告)号：CN107452637A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710281663.9
申请日：2017-04-26
申请人：丹佛斯硅动力有限责任公司
发明人：马丁·贝克尔 , 罗纳德·艾西尔 , 弗兰克·奥斯特瓦尔德 , 霍尔格·乌尔里奇 , 加赛克·鲁茨基
IPC分类号： H01L21/60
摘要：本发明提供了一种用于通过烧结将功率半导体模块的第一部件粘结性地连接到功率半导体模块的第二部件的方法，所述方法包括以下步骤：将一层未烧结的烧结材料涂覆到第一部件的预定结合表面；将第二部件设置在所述未烧结的烧结材料的表面层上；通过将压力和/或温度施加在预定结合表面内的局部界定的局部区域上而将第二部件附接到第一部件；处理功率半导体模块的第一和/或第二部件和/或其它部件；和对烧结材料进行全部区域烧结。

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